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Diskette HalblerProdukte (31214)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | Struktur | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Strom - Hold (ih) (max) | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | Spannung - Im Zustand (VTM) (max) | Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) | Aktuell - Aus dem Zustand (max) | SCR -Typ | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Anzahl der Scrs, Dioden | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRKT105/04A | - - - |  | 5976 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | Chassis -berg | Add-a-Pak (3 + 2) | IRKT105 | Serienverbindung - Alle SCRs | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 ma | 400 V | 235 a | 2,5 v | 1785a, 1870a | 150 Ma | 105 a | 2 SCRS | ||||||||||||||||||||||||
 | VS-60CTQ150PBF | - - - | | 9132 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-3 | 60ctq150 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 30a | 880 mv @ 30 a | 75 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||
| VS-ST300C18L1 | 151.9567 | | 1069 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassis -berg | To-200ab, e-puk | ST300 | To-200ab (e-puk) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSST300C18L1 | Ear99 | 8541.30.0080 | 3 | 600 mA | 1,8 kv | 1290 a | 3 v | 6730a, 7040a | 200 ma | 2.18 v | 650 a | 50 ma | Standardwiederherherster | |||||||||||||||||||||
 | VS-MBRB3030CTLL-M3 | 1.1501 | | 2845 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB3030 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 15a | 470 mv @ 15 a | 2 ma @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||
 | VS-25TTS08FP-M3 | 5.3100 | | 9909 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | K. Loch | To-220-3 Full Pack | 25tts08 | To-220ab Full-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 150 Ma | 800 V | 25 a | 2 v | 270a @ 50Hz | 45 ma | 1,25 V. | 16 a | 500 µA | Standardwiederherherster | ||||||||||||||||||||||
 | SSB43LHM3_A/H. | 0,1731 | | 2382 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SSB43 | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-SSB43LHM3_A/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 450 mV @ 4 a | 600 µa @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 4a | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| VS-VSKV91/12 | 44.4670 | | 8736 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | Add-a-Pak (3 + 4) | VSKV91 | Gemeinsame Anode - Alle SCRs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSVSKV9112 | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 1,2 kv | 150 a | 2,5 v | 2000a, 2094a | 150 Ma | 95 a | 2 SCRS | |||||||||||||||||||||||
 | VS-ST280C06C0 | 65.0500 | | 5421 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Klemmen | To-200ab, a-puk | ST280 | To-200ab, a-puk | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 600 V | 960 a | 3 v | 7850a, 8220a | 150 Ma | 1,36 v | 500 a | 30 ma | Standardwiederherherster | ||||||||||||||||||||||
| Ss23he3_a/h | 0,1878 | | 3027 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SS23 | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 2 a | 400 µa @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | |||||||||||||||||||||||||
 | VS-ST1200C20K1 | 365.5950 | | 3175 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassis -berg | To-200ac, k-puk, a-24 | ST1200 | A-24 (K-Puk) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSST1200C20K1 | Ear99 | 8541.30.0080 | 2 | 600 mA | 2 kv | 3080 a | 3 v | 25700a, 26900a | 200 ma | 1,73 v | 1650 a | 100 ma | Standardwiederherherster | |||||||||||||||||||||
 | AR1PDHM3/84A | 0,1914 | | 3551 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | AR1 | Lawine | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,25 V @ 1 a | 140 ns | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 12.5PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | BU1510-E3/45 | 2.5900 | | 785 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, bu | BU1510 | Standard | ISOCINK+™ BU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1,05 V @ 7,5 a | 5 µA @ 1000 V | 3.4 a | Einphase | 1 kv | ||||||||||||||||||||||||||
 | VS-71HFR60 | 9.9729 | | 4335 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 71HFR60 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,35 V @ 220 a | 9 ma @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 70a | - - - | |||||||||||||||||||||||||
| VS-30th06-N-S1 | - - - | | 3297 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | 30eth06 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Irkl41/12a | - - - | | 6102 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | Add-a-Pak (3 + 2) | Irkl41 | Serienverbindung - SCR/Diode | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 ma | 1,2 kv | 100 a | 2,5 v | 850a, 890a | 150 Ma | 45 a | 1 SCR, 1 Diode | ||||||||||||||||||||||||
 | BZG05C30TR3 | - - - | | 9349 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | - - - | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 na @ 2 v | 30 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
| S1mhe3_a/i | 0,4200 | | 98 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | S1m | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 12pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||
| VS-180NQ045PBF | 24.7585 | | 3135 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | D-67 Half-Pak | 180NQ045 | Schottky | D-67 Half-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 600 mv @ 180 a | 15 mA @ 45 V | 180a | 7700pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| SML4764-E3/5A | 0,1733 | | 2555 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4764 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 5 µa @ 76 V | 100 v | 350 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
| BZG03C22TR3 | - - - | | 4164 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG03C | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG03 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µa @ 16 V | 22 v | 6 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
 | VS-SD200N20PC | 69.1300 | | 5221 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AC, Do-30, Stud | SD200 | Standard | DO-205AC (DO-30) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2000 v | 1,4 V @ 630 a | 15 mA @ 2000 v | -40 ° C ~ 180 ° C. | 200a | - - - | |||||||||||||||||||||||||
 | MMSZ5262C-HE3_A-08 | 0,0566 | | 5938 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | 112-mmsz5262C-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 39 V | 51 v | 125 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
| VS-25TTS12STRRPBF | - - - | | 8895 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 25tts12 | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 800 | 150 Ma | 1,2 kv | 25 a | 2 v | 350a @ 50Hz | 45 ma | 1,25 V. | 16 a | 500 µA | Standardwiederherherster | ||||||||||||||||||||||
 | VS-10CWH02FNTR-M3 | 0,9700 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 10CWH02 | Standard | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 10a | 1,15 V @ 10 a | 21 ns | 4 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||
| Irkh57/08a | - - - | | 6988 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | Add-a-Pak (3 + 2) | Irkh57 | Serienverbindung - SCR/Diode | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 ma | 800 V | 135 a | 2,5 v | 1310a, 1370a | 150 Ma | 60 a | 1 SCR, 1 Diode | ||||||||||||||||||||||||
| VS-ST230C04C0 | 52.0358 | | 7499 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Klemmen | To-200ab, a-puk | ST230 | To-200ab, a-puk | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 400 V | 780 a | 3 v | 5700a, 5970a | 150 Ma | 1,69 v | 410 a | 30 ma | Standardwiederherherster | ||||||||||||||||||||||
| SS2P3LHM3/85A | 0,1363 | | 3758 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | SS2P3 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 2 a | 200 µA @ 30 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 130pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||
| Irkl26/04a | - - - | | 1981 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | Add-a-Pak (3 + 2) | Irkl26 | Serienverbindung - SCR/Diode | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 ma | 400 V | 60 a | 2,5 v | 400a, 420a | 150 Ma | 27 a | 1 SCR, 1 Diode | ||||||||||||||||||||||||
| VS-70HFR140 | 13.7400 | | 54 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 70HFR140 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1400 v | 1,46 V @ 220 a | 4,5 mA @ 1400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 70a | - - - | |||||||||||||||||||||||||
 | AZ23B36-HE3_A-18 | - - - | | 4347 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, AZ23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 112-AZ23B36-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 50 NA @ 25.2 V. | 36 v | 90 Ohm |
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