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Diskette HalblerProdukte (31214)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2KBP04M-E4/45 | - - - |  | 4125 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, kbpm | 2KBP04 | Standard | Kbpm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 1,1 V @ 3.14 a | 5 µa @ 400 V | 2 a | Einphase | 400 V | |||||||||||||||
 | VS-2KBB10R | 2.0600 | | 483 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, 2KBB | 2KBB10 | Standard | 2KBB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.9 a | Einphase | 100 v | |||||||||||||||||
 | EDF1DS-E3/45 | 0,5547 | | 8696 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | EDF1 | Standard | DFS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,05 V @ 1 a | 5 µa @ 200 V. | 1 a | Einphase | 200 v | |||||||||||||||
 | KBU4D-E4/51 | 3.3700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, KBU | KBU4 | Standard | KBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 4 a | 5 µa @ 200 V. | 4 a | Einphase | 200 v | |||||||||||||||
 | VS-92MT120KPBF | 96.1787 | | 1819 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | MT-K-Modul | 92MT120 | Standard | MT-K | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS92MT120KPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 90 a | DRIPHASE | 1,2 kv | ||||||||||||||||
| VS-51MT80KPBF | 105.5500 | | 1591 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | MT-K-Modul | 51MT80 | Standard | MT-K | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS51MT80KPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 55 a | DRIPHASE | 800 V | ||||||||||||||||
 | BZM55B56-TR3 | 0,0433 | | 9146 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZM55 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Keine Frotung | BZM55B56 | 500 MW | Mikrokomelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 µa @ 43 V | 56 v | 1000 Ohm | |||||||||||||||
| VS-52MT80KPBF | 105.4033 | | 7349 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | MT-K-Modul | 52MT80 | Standard | MT-K | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS52MT80KPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 55 a | DRIPHASE | 800 V | ||||||||||||||||
| VS-GB200NH120N | - - - | | 3076 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Doppelter int-a-pak (3 + 4) | GB200 | 1562 w | Standard | Double Int-a-Pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGB200NH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Einzel | - - - | 1200 V | 420 a | 1,8 V @ 15V, 200a (Typ) | 5 Ma | NEIN | 18 NF @ 25 V. | ||||||||||
 | B250C1000G-E4/51 | 0,6100 | | 5880 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | K. Loch | 4-kreiförmigerer Wog | B250 | Standard | Wog | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 V @ 1 a | 10 µa @ 400 V | 1 a | Einphase | 400 V | |||||||||||||||
| 2kbp10m/51 | - - - | | 2813 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, kbpm | 2KBP10 | Standard | Kbpm | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1,1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 1000 V | 2 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||||
 | BZX384B22-G3-08 | 0,0445 | | 7638 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Bzx384-g | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384B22 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 50 na @ 15.4 v | 22 v | 55 Ohm | ||||||||||||||||
 | MMBZ5257B-E3-18 | - - - | | 3598 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5257 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 Na @ 25 V. | 33 v | 58 Ohm | ||||||||||||||||
 | VS-130MT100KPBF | 92.5073 | | 5886 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | MT-K-Modul | 130mt100 | Standard | MT-K | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS130MT100KPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 130 a | DRIPHASE | 1 kv | ||||||||||||||||
| DZ23C36-HE3_A-08 | - - - | | 6424 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, DZ23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 112-DZ23C36-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 na @ 27 V | 36 v | 40 Ohm | ||||||||||||||||||
| 2kbp005m-e4/45 | - - - | | 9713 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, kbpm | 2kbp005 | Standard | Kbpm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 1,1 V @ 3.14 a | 5 µa @ 50 V | 2 a | Einphase | 50 v | |||||||||||||||
 | GBLA02-M3/51 | - - - | | 9724 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, gbl | Gbla02 | Standard | Gbl | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 112-GBLA02-M3/51 | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 4 a | 5 µa @ 200 V. | 4 a | Einphase | 200 v | ||||||||||||||||
 | SMBZ5934B-E3/52 | 0,1676 | | 7341 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBZ5934 | 3 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 18,2 V. | 24 v | 19 Ohm | |||||||||||||||
 | VS-KBPC1005 | 2.4900 | | 249 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | VS-KBPC1 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, KBPC-1 | KBPC1005 | Standard | KBPC1 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1,1 V @ 1,5 a | 10 µa @ 50 V | 3 a | Einphase | 50 v | |||||||||||||||
| BZX84C16-E3-18 | 0,2300 | | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Bzx84 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84C16 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 50 NA @ 11.2 V. | 16 v | 40 Ohm | ||||||||||||||||
 | GBU8G-E3/45 | 2.0100 | | 800 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | GBU8 | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 8 a | 5 µa @ 400 V | 3.9 a | Einphase | 400 V | |||||||||||||||
| GBL04-M3/45 | 0,8801 | | 2309 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, gbl | Gbl04 | Standard | Gbl | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-GBL04-M3/45 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | 1 V @ 4 a | 5 µa @ 400 V | 3 a | Einphase | 400 V | ||||||||||||||
 | VSIB15A60-E3/45 | - - - | | 6273 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GSIB-5S | Vsib15 | Standard | GSIB-5S | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1 V @ 7.5 a | 10 µa @ 600 V | 3.5 a | Einphase | 600 V | |||||||||||||||
| VS-93MT160KS90PBF | - - - | | 5513 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | MT-K-Modul | 93MT160 | Standard | MT-K | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS93MT160KS90PBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 90 a | DRIPHASE | 1,6 kv | ||||||||||||||||
| GSIB2540-E3/45 | 2.9200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB2540 | Standard | GSIB-5S | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 12.5 a | 10 µa @ 400 V | 3.5 a | Einphase | 400 V | |||||||||||||||
 | BZG05C33TR | - - - | | 2362 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | - - - | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 24 V. | 33 v | 1000 Ohm | |||||||||||||||
| BZX84B24-HE3_A-08 | 0,0498 | | 3028 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 112-BZX84B24-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 50 Na @ 16,8 V. | 24 v | 70 Ohm | |||||||||||||||||||
 | VS-60MT80KPBF | 69.1800 | | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | MT-K-Modul | 60mt80 | Standard | MT-K | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 60 a | DRIPHASE | 800 V | |||||||||||||||||
| DF01SA-E3/77 | 0,6400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DF01 | Standard | DFS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,1 V @ 1 a | 5 µa @ 100 V. | 1 a | Einphase | 100 v | |||||||||||||||
| GDZ5V1B-G3-08 | 0,3300 | | 48 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Gdz-g | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Gdz5v1 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 µa @ 1 V | 5.1 v | 80 Ohm |
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