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Diskrete Halbleiterprodukte(22)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung – Nennspannung | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Frequenz | Technologie | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | FET-Typ | Nennstrom (Ampere) | Aktuell - Test | Leistung – Leistung | Gewinnen | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) | Rauschzahl | Spannung – Test |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GPI65060DFN | 30.0000 |  | 19 | 0,00000000 | GaNPower | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | Sterben | GaNFET (Galliumnitrid) | Sterben | herunterladen | Nicht zutreffend | Anbieter nicht definiert | Anbieter nicht definiert | 4025-GPI65060DFNTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 650 V | 60A | 6V | 1,2 V bei 3,5 mA | 16 nC bei 6 V | +7,5V, -12V | 420 pF bei 400 V | - | - | |||||||||||
 | GPI4TIC15DFV | 9.3600 | | 211 | 0,00000000 | GaNPower | - | Rohr | Aktiv | 900 V | 8-WDFN freiliegendes Pad | - | MOSFET | 8-DFN (8x8) | herunterladen | 4025-GPI4TIC15DFV | 1 | N-Kanal | - | 2,5 A | - | - | - | 6,5 V | |||||||||||||||||||
 | GPIXV30DFN | - | | 1692 | 0,00000000 | GaNPower | - | Tasche | Aktiv | - | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | GaNFET (Galliumnitrid) | 8-DFN (8x8) | - | 4025-GPIXV30DFN | 1 | N-Kanal | 1200 V | 30A | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||
 | GPIHV30SB5L | 22.0000 | | 8552 | 0,00000000 | GaNPower | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | Sterben | GaNFET (Galliumnitrid) | Sterben | herunterladen | Nicht zutreffend | Anbieter nicht definiert | Anbieter nicht definiert | 4025-GPIHV30SB5L | 1 | N-Kanal | 1200 V | 30A | 6V | 1,4 V bei 3,5 mA | 8,25 nC bei 6 V | +7,5V, -12V | 236 pF bei 400 V | - | - | |||||||||||||
 | GPI65010DF56 | 5.0000 | | 340 | 0,00000000 | GaNPower | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | Sterben | GaNFET (Galliumnitrid) | Sterben | herunterladen | Nicht zutreffend | Anbieter nicht definiert | Anbieter nicht definiert | 4025-GPI65010DF56TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 650 V | 10A | 6V | 1,4 V bei 3,5 mA | 2,6 nC bei 6 V | +7,5V, -12V | 90 pF bei 400 V | - | - | |||||||||||
 | GPI65030TO5L | 15.0000 | | 90 | 0,00000000 | GaNPower | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | GaNFET (Galliumnitrid) | herunterladen | RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 4025-GPI65030TO5LTR | 3A001 | 8541.49.7000 | 1 | N-Kanal | 650 V | 30A | 6V | 1,4 V bei 3,5 mA | 5,8 nC bei 6 V | +7,5V, -12V | 241 pF bei 400 V | |||||||||||||||
 | GPI65007DF88 | 3.9600 | | 30 | 0,00000000 | GaNPower | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | GaNFET (Galliumnitrid) | herunterladen | RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 4025-GPI65007DF88TR | 3A001 | 8541.49.7000 | 1 | N-Kanal | 650 V | 7A | 6V | 1,5 V bei 3,5 mA | 2,1 nC bei 6 V | +7,5V, -12V | 60 pF bei 500 V | |||||||||||||||
| GPI65008DF56 | 4.0000 | | 53 | 0,00000000 | GaNPower | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | Sterben | GaNFET (Galliumnitrid) | Sterben | herunterladen | Nicht zutreffend | Anbieter nicht definiert | Anbieter nicht definiert | 4025-GPI65008DF56TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 650 V | 8A | 6V | 1,4 V bei 3,5 mA | 2,1 nC bei 6 V | +7,5V, -12V | 63 pF bei 400 V | - | - | |||||||||||
 | GPI65008DF68 | 4.0000 | | 990 | 0,00000000 | GaNPower | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | GaNFET (Galliumnitrid) | herunterladen | RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 4025-GPI65008DF68TR | 3A001 | 8541.49.7000 | 1 | N-Kanal | 650 V | 8A | 6V | 1,7 V bei 3,5 mA | 2,1 nC bei 6 V | +7,5V, -12V | 63 pF bei 400 V | |||||||||||||||
| GPI65005DF | 2.5000 | | 200 | 0,00000000 | GaNPower | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | Sterben | GaNFET (Galliumnitrid) | Sterben | herunterladen | Nicht zutreffend | Anbieter nicht definiert | Anbieter nicht definiert | 4025-GPI65005DFTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 650 V | 5A | 6V | 1,4 V bei 1,75 mA | 2,6 nC bei 6 V | +7,5V, -12V | 45 pF bei 400 V | - | - | |||||||||||
 | GPI65007DF56 | 3.9600 | | 40 | 0,00000000 | GaNPower | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | GaNFET (Galliumnitrid) | herunterladen | RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 4025-GPI65007DF56TR | 3A001 | 8541.49.7000 | 1 | N-Kanal | 650 V | 7A | 6V | 1,5 V bei 3,5 mA | 2,1 nC bei 6 V | +7,5V, -12V | 76,1 pF bei 400 V | |||||||||||||||
 | GPI6TIC15DFV | 9.3600 | | 226 | 0,00000000 | GaNPower | - | Rohr | Aktiv | 900 V | 8-WDFN freiliegendes Pad | - | MOSFET | 8-DFN (8x8) | herunterladen | 4025-GPI6TIC15DFV | 1 | N-Kanal | - | 2,5 A | - | - | - | 6,5 V | |||||||||||||||||||
| GPI65015DFN | 7.5000 | | 121 | 0,00000000 | GaNPower | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | Sterben | GaNFET (Galliumnitrid) | Sterben | herunterladen | Nicht zutreffend | Anbieter nicht definiert | Anbieter nicht definiert | 4025-GPI65015DFNTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 650 V | 15A | 6V | 1,2 V bei 3,5 mA | 3,3 nC bei 6 V | +7,5V, -12V | 116 pF bei 400 V | - | - | |||||||||||
| GPIHV30DFN | 22.0000 | | 128 | 0,00000000 | GaNPower | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | Sterben | GaNFET (Galliumnitrid) | Sterben | herunterladen | Nicht zutreffend | Anbieter nicht definiert | Anbieter nicht definiert | 4025-GPIHV30DFNTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | N-Kanal | 1200 V | 30A | 6V | 1,4 V bei 3,5 mA | 8,25 nC bei 6 V | +7,5V, -12V | 236 pF bei 400 V | - | - | |||||||||||
 | GPIHV7DK | 5.3000 | | 490 | 0,00000000 | GaNPower | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | GaNFET (Galliumnitrid) | herunterladen | RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 4025-GPIHV7DKTR | 3A001 | 8541.49.7000 | 1 | N-Kanal | 1200 V | 7A | 6V | 1,7 V bei 3,5 mA | 3,1 nC bei 6 V | +7,5V, -12V | 90 pF bei 700 V | |||||||||||||||
| GPIHV5DK | 3.8000 | | 25 | 0,00000000 | GaNPower | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | GaNFET (Galliumnitrid) | herunterladen | RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 4025-GPIHV5DKTR | 3A001 | 8541.49.7000 | 1 | N-Kanal | 1200 V | 5A | 6V | 1,7 V bei 3,5 mA | 1,9 nC bei 6 V | +7,5V, -12V | 90 pF bei 700 V | |||||||||||||||
 | GPIRGIC15DFV | 9.3600 | | 424 | 0,00000000 | GaNPower | - | Tasche | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | GaNFET (Galliumnitrid) | 8-DFN (8x8) | herunterladen | 4025-GPIRGIC15DFV | 5 | N-Kanal | 900 V | 2,5 A (Tc) | 5V, 8V | 105 mOhm bei 2,5 A, 0 V | |||||||||||||||||||||
 | GPIHV14DF | - | | 5412 | 0,00000000 | GaNPower | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | GaNFET (Galliumnitrid) | herunterladen | RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 4025-GPIHV14DFTR | 3A001 | 8541.49.7000 | 1 | N-Kanal | 1200 V | 14A | 6V | 1,7 V bei 3,5 mA | 4 nC bei 6 V | +7,5V, -12V | 60 pF bei 700 V | |||||||||||||||
 | GPI65005DF68 | 2.5000 | | 490 | 0,00000000 | GaNPower | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | GaNFET (Galliumnitrid) | herunterladen | RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 4025-GPI65005DF68TR | 3A001 | 8541.49.7000 | 1 | N-Kanal | 650 V | 5A | 6V | 1,7 V bei 3,5 mA | 1,6 nC bei 6 V | +7,5V, -12V | 39 pF bei 500 V | |||||||||||||||
 | GPIHV10DK | 7.5000 | | 340 | 0,00000000 | GaNPower | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | GaNFET (Galliumnitrid) | herunterladen | RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 4025-GPIHV10DKTR | 3A001 | 8541.49.7000 | 1 | N-Kanal | 1200 V | 10A | 6V | 1,7 V bei 3,5 mA | 3,5 nC bei 6 V | +7,5V, -12V | 105 pF bei 700 V | |||||||||||||||
| GPI65030DFN | 15.0000 | | 105 | 0,00000000 | GaNPower | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | Sterben | GaNFET (Galliumnitrid) | Sterben | herunterladen | Nicht zutreffend | Anbieter nicht definiert | Anbieter nicht definiert | 4025-GPI65030DFNTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 650 V | 30A | 6V | 1,2 V bei 3,5 mA | 5,8 nC bei 6 V | +7,5V, -12V | 241 pF bei 400 V | - | - | |||||||||||
 | GPI65015TO | 7.5000 | | 2478 | 0,00000000 | GaNPower | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | Sterben | GaNFET (Galliumnitrid) | Sterben | herunterladen | Nicht zutreffend | Anbieter nicht definiert | Anbieter nicht definiert | 4025-GPI65015TO | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 650 V | 15A | 6V | 1,2 V bei 3,5 mA | 3,3 nC bei 6 V | +7,5V, -12V | 123 pF bei 400 V | - | - |
2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
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