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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgang | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Spannung - Test |
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![]() | DE475-102N21A | - - - | ![]() | 3029 | 0.00000000 | Ixys-rf | De | Rohr | Veraltet | 1000 v | 6-SMD, Flaches Bleierationspad exponiert | DE475 | - - - | Mosfet | DE475 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-Kanal | 24a | 1800W | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 150-201N09A-00 | - - - | ![]() | 7476 | 0.00000000 | Ixys-rf | De | Rohr | Veraltet | 200 v | 6-SMD, Flaches Bleierationspad exponiert | 150-201 | - - - | Mosfet | DE150 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DE150-201N09A-00 | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | N-Kanal | 9a | 200W | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 275x2-102n06a-00 | - - - | ![]() | 4279 | 0.00000000 | Ixys-rf | De | Rohr | Veraltet | 1000 v | 8-SMD, Flaches Bleierationspad exponiert | 275x2-102 | - - - | Mosfet | DE275 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 2 n-kanal (dual) | 8a | 1180W | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixzr08n120b-00 | - - - | ![]() | 4397 | 0.00000000 | Ixys-rf | Z-Mos ™ | Rohr | Veraltet | 1200 V | To-247-3 | 65 MHz | Mosfet | Plus247 ™ -3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 8a | 250W | 23 dB | - - - | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixzr18n50a-00 | - - - | ![]() | 2333 | 0.00000000 | Ixys-rf | Z-Mos ™ | Rohr | Veraltet | 500 V | To-247-3 | Ixzr18 | 65 MHz | Mosfet | Plus247 ™ -3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 19a | 350W | 23 dB | - - - | 100 v | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 275-501N16A-00 | - - - | ![]() | 6436 | 0.00000000 | Ixys-rf | De | Rohr | Veraltet | 500 V | 6-SMD, Flaches Bleierationspad exponiert | 275-501 | - - - | Mosfet | DE275 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 16a | 590W | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 275x2-501n16a-00 | - - - | ![]() | 8481 | 0.00000000 | Ixys-rf | De | Rohr | Veraltet | 500 V | 8-SMD, Flaches Bleierationspad exponiert | 275x2-501 | - - - | Mosfet | DE275 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DE275X2-501N16A-00 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 2 n-kanal (dual) | 16a | 1180W | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SS275TC12205 | - - - | ![]() | 8110 | 0.00000000 | Ixys-rf | - - - | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-SMD, Flaches Bleierationspad exponiert | SS275 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | DE275 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 3 Gemeinsame Kathode | 1200 V | 5a | 1,8 V @ 5 a | 0 ns | 200 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DE150-501N04A | - - - | ![]() | 2682 | 0.00000000 | Ixys-rf | De | Rohr | Veraltet | 500 V | 6-SMD, Flaches Bleierationspad exponiert | DE150 | - - - | Mosfet | DE150 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | N-Kanal | 4,5a | 25 µA | 200W | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SS150TC60110 | - - - | ![]() | 4711 | 0.00000000 | Ixys-rf | - - - | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-SMD, Flaches Bleierationspad exponiert | SS150 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | DE150 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 3 Gemeinsame Kathode | 600 V | 10a | 1,8 V @ 5 a | 0 ns | 50 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IXZ308N120 | - - - | ![]() | 6358 | 0.00000000 | Ixys-rf | Z-Mos ™ | Rohr | Veraltet | 1200 V | 6-SMD, Flaches Bleierationspad exponiert | 65 MHz | Mosfet | DE375 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 8a | 880W | 23 dB | - - - | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||
IXZ2210N50L2 | - - - | ![]() | 3521 | 0.00000000 | Ixys-rf | Z-Mos ™ | Rohr | Veraltet | 500 V | 8-SMD, Flaches Bleierationspad exponiert | IXZ2210 | 70 MHz | Mosfet | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 2 n-kanal (dual) | 10a | 270W | 17db | - - - | 100 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixzh10n50l2b | - - - | ![]() | 5022 | 0.00000000 | Ixys-rf | Z-Mos ™ | Rohr | Veraltet | 500 V | To-247-3 | 70 MHz | Mosfet | To-247 (ixfh) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 10a | 200W | 17db | - - - | 100 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixzr18n50 | - - - | ![]() | 5296 | 0.00000000 | Ixys-rf | Z-Mos ™ | Rohr | Veraltet | 500 V | To-247-3 | 65 MHz | Mosfet | Plus247 ™ -3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 19a | 350W | 23 dB | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXZ210N50L2 | - - - | ![]() | 1775 | 0.00000000 | Ixys-rf | Z-Mos ™ | Rohr | Veraltet | 500 V | 6-SMD, Flaches Bleierationspad exponiert | IXZ210 | 70 MHz | Mosfet | DE275 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 10a | 390W | 17db | - - - | 100 v | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixzr18n50b-00 | - - - | ![]() | 3689 | 0.00000000 | Ixys-rf | Z-Mos ™ | Rohr | Veraltet | 500 V | To-247-3 | 65 MHz | Mosfet | Plus247 ™ -3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 19a | 350W | 23 dB | - - - | 100 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixzh10n50l2a | - - - | ![]() | 2779 | 0.00000000 | Ixys-rf | Z-Mos ™ | Rohr | Veraltet | 500 V | To-247-3 | 70 MHz | Mosfet | To-247 (ixfh) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 10a | 200W | 17db | - - - | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS150TA60110 | - - - | ![]() | 2555 | 0.00000000 | Ixys-rf | - - - | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-SMD, Flaches Bleierationspad exponiert | SS150 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | DE150 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 3 Gemeinsame -Anode | 600 V | 10a | 1,8 V @ 5 a | 0 ns | 50 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 375-0001 | - - - | ![]() | 7194 | 0.00000000 | Ixys-rf | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-247-3 | 375-000 | - - - | - - - | To-247ad | - - - | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixzh16n60 | - - - | ![]() | 7625 | 0.00000000 | Ixys-rf | - - - | Rohr | Veraltet | 600 V | To-247-3 | - - - | Mosfet | To-247ad | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1ma | 350W | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixz318n50 | - - - | ![]() | 8163 | 0.00000000 | Ixys-rf | Z-Mos ™ | Rohr | Veraltet | 500 V | 6-SMD, Flaches Bleierationspad exponiert | 65 MHz | Mosfet | DE375 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 19a | 880W | 23 dB | - - - | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DE375-102N12A | - - - | ![]() | 6829 | 0.00000000 | Ixys-rf | De | Rohr | Veraltet | 1000 v | 6-SMD, Flaches Bleierationspad exponiert | DE375 | - - - | Mosfet | DE375 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 12a | 940W | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixrfsm18n50 | - - - | ![]() | 5944 | 0.00000000 | Ixys-rf | Smpd | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 16-Besop (0,790 ", 20,11 mm Breit), 15 Leitungen, Exponiertes Pad | Ixrfsm18 | MOSFET (Metalloxid) | 16-smpd | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 500 V | 19A (TC) | 20V | 340MOHM @ 9.5A, 20V | 6,5 V @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2250 PF @ 400 V | - - - | 835W | |||||||||||||||||||||
![]() | DE275-102N06A | - - - | ![]() | 3265 | 0.00000000 | Ixys-rf | De | Rohr | Veraltet | 1000 v | 6-SMD, Flaches Bleierationspad exponiert | DE275 | - - - | Mosfet | DE275 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 8a | 590W | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixzr08n120 | - - - | ![]() | 7770 | 0.00000000 | Ixys-rf | Z-Mos ™ | Rohr | Veraltet | 1200 V | To-247-3 | 65 MHz | Mosfet | Plus247 ™ -3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 8a | 250W | 23 dB | - - - | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixrfsm12n100 | - - - | ![]() | 7509 | 0.00000000 | Ixys-rf | Smpd | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 16-Besop (0,790 ", 20,11 mm Breit), 15 Leitungen, Exponiertes Pad | Ixrfsm12 | MOSFET (Metalloxid) | 16-smpd | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1000 v | 12a (TC) | 15 v | 1,05OHM @ 6a, 15 V | 5,5 V @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | ± 20 V | 2875 PF @ 800 V | - - - | 940W | |||||||||||||||||||||
![]() | 150-101N09A-00 | - - - | ![]() | 4176 | 0.00000000 | Ixys-rf | De | Rohr | Veraltet | 100 v | 6-SMD, Flaches Bleierationspad exponiert | 150-101 | - - - | Mosfet | DE150 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DE150-101N09A-00 | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | N-Kanal | 9a | 200W | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SS150TI60110 | - - - | ![]() | 1132 | 0.00000000 | Ixys-rf | - - - | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-SMD, Flaches Bleierationspad exponiert | SS150 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | DE150 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 3 Unabhängig | 600 V | 10a | 1,8 V @ 5 a | 0 ns | 50 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 475-501N44A-00 | - - - | ![]() | 2270 | 0.00000000 | Ixys-rf | De | Rohr | Veraltet | 500 V | 6-SMD, Flaches Bleierationspad exponiert | 475-501n | - - - | Mosfet | DE475 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DE475-501N44A-00 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-Kanal | 48a | 1800W | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 275-201N25A-00 | - - - | ![]() | 6984 | 0.00000000 | Ixys-rf | De | Rohr | Veraltet | 200 v | 6-SMD, Flaches Bleierationspad exponiert | 275-201 | - - - | Mosfet | DE275 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DE275-201N25A-00 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 25a | 590W | - - - | - - - |
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