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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Strom - Hold (ih) (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | CD214C-R350 | - - - | | 1113 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | CD214C | Standard | SMC (Do-214AB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 700 mv @ 3 a | 500 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 250pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
| CD1005-Z7V5 | - - - | | 3716 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 1005 (2512 Metrik) | CD1005 | 200 MW | 1005 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 100 na @ 5 v | 7,5 v | 7 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
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 | CD214C-B320LF | - - - | | 5619 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | CD214C | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 500 mV @ 3 a | 500 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 250pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
| TIP152-S | - - - | | 9340 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 2 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TIP152s | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 7 a | 250 µA | NPN - Darlington | 2v @ 250 mA, 5a | 15 @ 7a, 5v | - - - | |||||||||||||||||||||||
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 | CD214B-FS2D | 0,1350 | | 3288 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Keine Frotung | CD214B | Standard | 2-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mV @ 2 a | 35 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 19PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
 | CD214A-B160R | 0,3800 | | 158 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Keine Frotung | CD214a | Schottky | 2-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 500 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 110PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
 | BSDH10G65E2 | 2.9400 | | 2 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 118-BSDH10G65E2 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 a | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 323PF @ 1V, 1 MHz |
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