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Diskrete Halbleiterprodukte(102)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)
EPC2106ENGRT	-	Anfrage	7434	EPC	eGaN®	Tape & Reel (TR)	Bei SIC eingestellt	-40°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	Sterben	EPC210	GaNFET (Galliumnitrid)	-	Sterben	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0040	2.500	2 N-Kanal (Halbbrücke)		100V	1,7A		70 mOhm bei 2 A, 5 V	2,5 V bei 600 µA	0,73 nC bei 5 V		75pF bei 50V	-
EPC2033	9.4600	Anfrage	7	EPC	eGaN®	Tape & Reel (TR)	Nicht für neue Designs		Oberflächenmontage	Sterben	EPC20	GaNFET (Galliumnitrid)		Sterben	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0040	500		N-Kanal	150 V	48A (Ta)		7 mOhm bei 25 A, 5 V	2,5 V bei 9 mA	10 nC bei 5 V		1140 pF bei 75 V	-
EPC2039	1.6800	Anfrage	72	EPC	eGaN®	Tape & Reel (TR)	Nicht für neue Designs	-40°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	Sterben	EPC20	GaNFET (Galliumnitrid)		Sterben	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0040	2.500		N-Kanal	80 V	6,8 A (Ta)	5V	25 mOhm bei 6 A, 5 V	2,5 V bei 2 mA	2,4 nC bei 5 V	+6V, -4V	210 pF bei 40 V	-	-
EPC2252	1.8600	Anfrage	24	EPC	eGaN®	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-40°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	Sterben		GaNFET (Galliumnitrid)		Sterben	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0040	2.500		N-Kanal	80 V	8,2A (Ta)		11 mOhm bei 11 A, 5 V	2,5 V bei 2,5 mA	4,3 nC bei 5 V	+6V, -4V	576 pF bei 50 V	-	-
EPC2016	-	Anfrage	7644	EPC	eGaN®	Tape & Reel (TR)	Bei SIC eingestellt	-40°C ~ 125°C (TJ)	Oberflächenmontage	Sterben	EPC20	GaNFET (Galliumnitrid)		Sterben	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0040	2.500		N-Kanal	100 V	11A (Ta)	5V	16 mOhm bei 11 A, 5 V	2,5 V bei 3 mA	5,2 nC bei 5 V	+6V, -5V	520 pF bei 50 V	-	-
EPC8009	3.3100	Anfrage	12	EPC	eGaN®	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-40°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	Sterben		GaNFET (Galliumnitrid)		Sterben	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0040	2.500		N-Kanal	65 V	4A (Ta)	5V	130 mOhm bei 500 mA, 5 V	2,5 V bei 250 µA	0,45 nC bei 5 V	+6V, -4V	52 pF bei 32,5 V	-	-
EPC2030ENGRT	-	Anfrage	4437	EPC	eGaN®	Tape & Reel (TR)	Bei SIC eingestellt	-40°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	Sterben	EPC20	GaNFET (Galliumnitrid)		Sterben	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0040	500		N-Kanal	40 V	31A (Ta)	5V	2,4 mOhm bei 30 A, 5 V	2,5 V bei 16 mA	18 nC bei 5 V	+6V, -4V	1900 pF bei 20 V	-	-
EPC2216	1.3200	Anfrage	46	EPC	Automobil, AEC-Q101, eGaN®	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-40°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	Sterben		GaNFET (Galliumnitrid)		Sterben	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0040	2.500		N-Kanal	15 V	3,4A (Ta)	5V	26 mOhm bei 1,5 A, 5 V	2,5 V bei 1 mA	1,1 nC bei 5 V	+6V, -4V	118 pF bei 7,5 V	Standard	-
EPC2015C	4.6200	Anfrage	19	EPC	eGaN®	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-40°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	Sterben	EPC20	GaNFET (Galliumnitrid)		Sterben	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0040	2.500		N-Kanal	40 V	53A (Ta)	5V	4 mOhm bei 33 A, 5 V	2,5 V bei 9 mA	8,7 nC bei 5 V	+6V, -4V	1180 pF bei 20 V	-	-
EPC2035	0,9300	Anfrage	13	EPC	eGaN®	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-40°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	Sterben	EPC20	GaNFET (Galliumnitrid)		Sterben	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0040	2.500		N-Kanal	60 V	1,7 A (Ta)	5V	45 mOhm bei 1 A, 5 V	2,5 V bei 800 µA	1,15 nC bei 5 V	+6V, -4V	115 pF bei 30 V	-	-
EPC8002	3.1200	Anfrage	53	EPC	eGaN®	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-40°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	Sterben		GaNFET (Galliumnitrid)		Sterben	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal	65 V	2A (Ta)	5V	530 mOhm bei 500 mA, 5 V	2,5 V bei 250 µA		+6V, -4V	21 pF bei 32,5 V	-	-
EPC2021	8.5800	Anfrage	8	EPC	eGaN®	Tape & Reel (TR)	Nicht für neue Designs	-40°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	Sterben	EPC20	GaNFET (Galliumnitrid)		Sterben	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0040	1.000		N-Kanal	80 V	90A (Ta)	5V	2,5 mOhm bei 29 A, 5 V	2,5 V bei 14 mA	15 nC bei 5 V	+6V, -4V	1650 pF bei 40 V	-	-