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Diskrete Halbleiterprodukte(61)

Bild	Produktnummer	Preis (USD)	Menge	ECAD	Verfügbare Menge	Gewicht (kg)	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Technologie	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	ECCN	HTSUS	Standardpaket	FET-Typ	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)
	AO4485	1.0900	Anfrage		2	0,00000000	UMW	UMW	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)	MOSFET (Metalloxid)	8-SOP	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.21.0095	3.000	P-Kanal	40 V	10A (Ta)	4,5 V, 10 V	15 mOhm bei 10 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	55 nC bei 10 V	±20V	3000 pF bei 20 V	-	1,7 W (Ta)