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Diskette HalblerProdukte (2357)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AO3416L | - - - |  | 6540 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, SOT-23-3 Variante | Ao34 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 6,5a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 22mohm @ 6,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 16 NC @ 4,5 V | ± 8 v | 1160 PF @ 10 V. | - - - | 1.4W (TA) | |||||
 | AOT22N50L | 1.3444 | | 9201 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | AOT22N50 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 22a (TC) | 10V | 260 MOHM @ 11A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 83 NC @ 10 V | ± 30 v | 3710 PF @ 25 V. | - - - | 417W (TC) | ||||
 | Aon6508_101 | - - - | | 1211 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphamos | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powermd, Flache Leitungen | Aon650 | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn (5x6) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 29a (TA), 32A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,2 MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 49 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2010 PF @ 15 V | - - - | 4,2W (TA), 41W (TC) | |||||
 | Aon7430 | 0,1269 | | 5845 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | Aon743 | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn-ep (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 13a (ta), 34a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 910 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 23W (TC) | ||||
 | AOTF11N70 | 0,9211 | | 4921 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | AOTF11 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 700 V | 11a (TC) | 10V | 870MOHM @ 5.5A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 30 v | 2150 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||
 | AOTF16N50_002 | - - - | | 2514 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | - - - | - - - | AOTF16 | MOSFET (Metalloxid) | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||
 | AO4714 | - - - | | 9282 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Srfet ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | AO47 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 20a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4,7 MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 74 NC @ 10 V | ± 20 V | 4512 PF @ 15 V | Schottky Diode (Körper) | 3W (TA) | |||||
| AO4494L | - - - | | 2839 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | AO44 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,5 MOHM @ 18A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 36 NC @ 10 V | ± 20 V | 1900 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TC) | |||||
| AO4576 | 0,6000 | | 2 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | AO45 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 20a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 5.8mohm @ 20a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 22,5 NC @ 10 V | ± 20 V | 951 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA) | ||||
| Aon7450 | - - - | | 7221 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | SDMOS ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | Aon745 | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn-ep (3x3) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 100 v | 5.6a (TA), 21A (TC) | 8 V, 10V | 48mohm @ 7.8a, 10V | 4,1 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 25 V | 1090 PF @ 50 V | - - - | 3.1W (TA), 43W (TC) | |||||
 | Aon2701 | - - - | | 8992 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-WDFN Exponierte Pad | Aon27 | MOSFET (Metalloxid) | 6-dfn (2x2) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 120 MOHM @ 3A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 6,5 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 700 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 1,5 W (TA) | |||||
 | Aon1606_001 | - - - | | 8275 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | Aon16 | MOSFET (Metalloxid) | 3-DFN (1,0 x 0,60) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | N-Kanal | 20 v | 700 mA (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 275mohm @ 400 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,85 NC @ 4,5 V | ± 8 v | 62,5 PF @ 10 V. | - - - | 900 MW (TA) | |||||
 | AO6409_102 | - - - | | 2671 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | AO640 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P-Kanal | 20 v | 5.5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 45mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 17,2 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 1450 PF @ 10 V. | - - - | 2.1W (TA) | |||||
| AOTF5N50FD_001 | - - - | | 1269 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | - - - | - - - | AOTF5 | MOSFET (Metalloxid) | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||
| AO4488L | - - - | | 9260 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | AO44 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4.6mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 112 NC @ 10 V | ± 20 V | 6800 PF @ 15 V | - - - | 1.7W (TA) | |||||
 | Aoi2n60a | 0,2634 | | 4094 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | Aoi2 | MOSFET (Metalloxid) | To-251a | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 785-1646-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | N-Kanal | 600 V | 2a (TC) | 10V | 4.7ohm @ 1a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 30 v | 295 PF @ 25 V. | - - - | 57W (TC) | |||
| Aon6748_102 | - - - | | 2715 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | - - - | Aon67 | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - - - | |||||||||||||||||
| Aon6444l | - - - | | 9817 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | SDMOS ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-Powermd, Flache Leitungen | Aon644 | 8-dfn (5x6) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | 81a (TC) | |||||||||||||||||
| AONS32310 | 2.1100 | | 35 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powermd, Flache Leitungen | Aons323 | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn (5x6) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60A (TA), 400A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,05 MOHM @ 20A, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 240 nc @ 10 v | ± 20 V | 15350 PF @ 15 V | - - - | 6,2 W (TA), 400 W (TC) | ||||
 | AOB411L_001 | - - - | | 9380 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | AOB411 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (D2pak) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P-Kanal | 60 v | 8A (TA), 78a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 16,5 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 6400 PF @ 30 V | - - - | 187W (TC) | |||||
| AO4606L | - - - | | 2830 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | AO46 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-und p-kanal-krementär | 30V | 6a | 30mohm @ 6a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 6nc @ 10v | 310pf @ 15V | - - - | |||||||
| AON7202 | - - - | | 9127 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | Aon72 | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn-ep (3x3) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 20A (TA), 40A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5mohm @ 20a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2200 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 36W (TC) | |||||
 | AO8822 | 0,3679 | | 6273 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | AO882 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5W | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 20V | 7a | 18mohm @ 7a, 10V | 1V @ 250 ähm | 18nc @ 10v | 780PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||
| AO4485L | - - - | | 8874 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | AO44 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 10a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 15mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 55 NC @ 10 V | ± 20 V | 3000 PF @ 20 V | - - - | 1.7W (TA) | |||||
| Aons66641 | 2.0700 | | 5505 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powermd, Flache Leitungen | Aons666 | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 47A (TA), 275A (TC) | 8 V, 10V | 1,4mohm @ 20a, 10V | 3,4 V @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 5300 PF @ 30 V | - - - | 6.2W (TA), 208W (TC) | |||||
| Aon7444 | - - - | | 2910 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | SDMOS ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | Aon744 | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn-ep (3x3) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 60 v | 9A (TA), 33A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 22mohm @ 9a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2000 PF @ 30 V | - - - | 3.1W (TA), 42W (TC) | |||||
| Aosp62626e | 0,2331 | | 1641 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Aosp626 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 785-aosp62626etr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 11a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 13,5 MOHM @ 11A, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 900 PF @ 30 V | - - - | 3.1W (TA) | ||||
| AOSS32389 | - - - | | 7030 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | AOSS323 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 785-AOSS32389TR | Veraltet | 3.000 | - - - | |||||||||||||||||||
 | AOW125A60 | 4.3900 | | 7 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS5 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | AOW125 | MOSFET (Metalloxid) | To-262 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 785-aow125a60 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 28a (TC) | 10V | 125mohm @ 14a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2993 PF @ 100 V | - - - | 312.5W (TC) | |||
| Ao4476a | 0,6800 | | 109 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | AO44 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7.7Mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 1380 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA) |
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