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Diskette HalblerProdukte (6315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Struktur LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Triactyp Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Anzahl der Scrs, Dioden IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max)
IXFK44N50 IXYS Ixfk44n50 - - -
RFQ
 ECAD 8815 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Ixfk44 MOSFET (Metalloxid) To-264aa (ixfk) Herunterladen Rohs Nick Konform Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 500 V 44a (TC) 10V 120MOHM @ 22A, 10V 4v @ 8ma 270 nc @ 10 v ± 20 V 8400 PF @ 25 V. - - - 500W (TC)
QV6012NH5TP IXYS QV6012NH5TP 3.5200
RFQ
 ECAD 7797 0.00000000 Ixys Qvxx12xhx Rohr Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab To-263 (D2pak) - - - 3 (168 Stunden) 238-QV6012NH5TP Ear99 8541.30.0080 1.000 Einzel 50 ma Logik - Sensitive Gate 600 V 12 a 1,2 v 140a, 153a 50 ma
MCMA140PD1600T-NMI IXYS MCMA140PD1600T-NMI - - -
RFQ
 ECAD 1930 0.00000000 Ixys - - - Kasten Abgebrochen bei Sic - - - - - - - - - MCMA140 - - - - - - UnberÜHrt Ereichen 238-MCMA140PD1600T-NMI Ear99 8541.30.0080 36 - - - - - -
IXBT42N170A IXYS IxBT42N170A 27.2547
RFQ
 ECAD 1277 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixbt42 Standard 357 w To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen IxBT42N170a -end Ear99 8541.29.0095 30 850 V, 21A, 1OHM, 15 V. 330 ns - - - 1700 v 42 a 265 a 6v @ 15V, 21a 3,43 MJ (EIN), 430 µJ (AUS) 188 NC 19ns/200ns
IXTP08N100D2 IXYS IXTP08N100D2 2.4900
RFQ
 ECAD 1851 0.00000000 Ixys Erschöpfung Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IXTP08 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 1000 v 800 Ma (TC) - - - 21ohm @ 400 mA, 0V - - - 14.6 NC @ 5 V. ± 20 V 325 PF @ 25 V. Depletion -modus 60 W (TC)
IXGA15N120B IXYS Ixga15n120b - - -
RFQ
 ECAD 5169 0.00000000 Ixys Hiperfast ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixga15 Standard 150 w To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 960 V, 15a, 10ohm, 15 V. Pt 1200 V 30 a 60 a 3,2 V @ 15V, 15a 1,75 MJ (AUS) 69 NC 25ns/180ns
IXGR32N60C IXYS Ixgr32n60c - - -
RFQ
 ECAD 8889 0.00000000 Ixys HiPerfast ™, LightSpeed ​​™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixgr32 Standard 140 w Isoplus247 ™ Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 480 V, 32a, 4,7ohm, 15 V. - - - 600 V 45 a 120 a 2,7 V @ 15V, 32a 320 µj (AUS) 110 NC 25ns/85ns
IXGT20N100 IXYS IXGT20N100 - - -
RFQ
 ECAD 4755 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixgt20 Standard 150 w To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 800 V, 20A, 47OHM, 15 V. Pt 1000 v 40 a 80 a 3v @ 15V, 20a 3,5 MJ (AUS) 73 NC 30ns/350ns
IXTC36P15P IXYS Ixtc36p15p - - -
RFQ
 ECAD 5419 0.00000000 Ixys Polarp ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Isoplus220 ™ IXTC36 MOSFET (Metalloxid) Isoplus220 ™ Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 P-Kanal 150 v 22a (TC) 10V 120Mohm @ 18a, 10V 5 V @ 250 ähm 55 NC @ 10 V ± 20 V 2950 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
IXTT30N50L IXYS IXTT30N50L - - -
RFQ
 ECAD 4237 0.00000000 Ixys Linear Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixtt30 MOSFET (Metalloxid) To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 30a (TC) 10V 200mohm @ 15a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 240 nc @ 10 v ± 20 V 10200 PF @ 25 V. - - - 400W (TC)
VUO125-16NO7 IXYS Vuo125-16no7 - - -
RFQ
 ECAD 2309 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg PWS-C VUO125 Standard PWS-C - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10 1,07 V @ 50 a 200 µA @ 1600 V 166 a DRIPHASE 1,6 kv
IXBH14N250 IXYS Ixbh14n250 - - -
RFQ
 ECAD 4112 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv - - - K. Loch To-247-3 Ixbh14 Standard To-247ad - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 - - - - - - 2500 V - - - - - - - - -
IXTR170P10P IXYS Ixtr170p10p 23.5500
RFQ
 ECAD 830 0.00000000 Ixys Polarp ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixtr170 MOSFET (Metalloxid) Isoplus247 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 P-Kanal 100 v 108a (TC) 10V 13mohm @ 85a, 10V 4v @ 1ma 240 nc @ 10 v ± 20 V 12600 PF @ 25 V. - - - 312W (TC)
IXYQ40N65C3D1 IXYS Ixyq40N65C3D1 - - -
RFQ
 ECAD 2011 0.00000000 Ixys XPT ™, GenX3 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 Ixyq40 Standard 300 w To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 30a, 10ohm, 15 V. 40 ns - - - 650 V 80 a 180 a 2,35 V @ 15V, 40a 830 µJ (EIN), 650 µJ (AUS) 66 NC 23ns/110ns
GWM160-0055X1-SMDSAM IXYS GWM160-0055X1-SMDSAM - - -
RFQ
 ECAD 7041 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 17-SMD, Möwenflügel GWM160 MOSFET (Metalloxid) - - - Isoplus-Dil ™ Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 6 N-Kanal (3-Phasen-Brückke) 55 v 150a 3,3 MOHM @ 100A, 10V 4,5 V @ 1ma 105nc @ 10v - - - - - -
IXGT12N120A2D1 IXYS IXGT12N120A2D1 - - -
RFQ
 ECAD 9347 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv - - - Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixgt12 Standard To-268aa - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 - - - - - - 1200 V - - - - - - - - -
IXFA7N80P IXYS Ixfa7n80p 4.0000
RFQ
 ECAD 4694 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixfa7n80 MOSFET (Metalloxid) To-263aa (ixfa) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 800 V 7a (TC) 10V 1,444ohm @ 3,5a, 10 V 5v @ 1ma 32 NC @ 10 V ± 30 v 1890 PF @ 25 V. - - - 200W (TC)
DHG10I600PA IXYS DHG10I600PA 2.9200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 DHG10 Standard To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -Dhg10i600pa Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 2,35 V @ 10 a 35 ns 15 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a - - -
IXTQ88N15 IXYS IXTQ88N15 - - -
RFQ
 ECAD 2016 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv - - - K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq88 MOSFET (Metalloxid) To-3p - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 150 v 88a (TC) 10V - - - - - - ± 20 V - - - - - -
IXFT7N90Q IXYS Ixft7n90q - - -
RFQ
 ECAD 5932 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, q -Klasse Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixft7n90 MOSFET (Metalloxid) To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 900 V 7a (TC) 10V 1,5OHM @ 500 mA, 10V 5 V @ 2,5 mA 56 NC @ 10 V ± 20 V 2200 PF @ 25 V. - - - 180W (TC)
IXKP24N60C5 IXYS IXKP24N60C5 5.3932
RFQ
 ECAD 8385 0.00000000 Ixys Coolmos ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixkp24 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 24a (TC) 10V 165mohm @ 12a, 10V 3,5 V @ 790 ähm 52 NC @ 10 V ± 20 V 2000 PF @ 100 V - - - - - -
VUO160-08NO7 IXYS VUO160-08NO7 65.7500
RFQ
 ECAD 1975 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg PWS-e VUO160 Standard PWS-e Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen VUO16008NO7 Ear99 8541.10.0080 5 1,1 V @ 60 a 200 µA @ 800 V 175 a DRIPHASE 800 V
IXFH20N60Q IXYS IXFH20N60Q - - -
RFQ
 ECAD 2150 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh20 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 600 V 20A (TC) 10V 350Mohm @ 10a, 10V 4,5 V @ 4ma 90 nc @ 10 v ± 30 v 3300 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IXYH8N250CV1HV IXYS Ixyh8n250cv1hv 24.7200
RFQ
 ECAD 7153 0.00000000 Ixys XPT ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixyh8n250 Standard 280 w To-247 (ixyh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 1250 V, 8a, 15ohm, 15 V. 5 ns - - - 2500 V 29 a 70 a 4V @ 15V, 8a 2,6 MJ (EIN), 1,07MJ (AUS) 45 NC 11ns/180ns
IXTA1N100P-TRL IXYS Ixta1n100p-trl 1.7238
RFQ
 ECAD 5248 0.00000000 Ixys Polar Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta1 MOSFET (Metalloxid) To-263 (D2pak) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-ixta1n100p-trltr Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 1000 v 1a (TC) 10V 15ohm @ 500 mA, 10V 4,5 V @ 50 µA 15,5 NC @ 10 V. ± 20 V 331 PF @ 25 V. - - - 50W (TC)
IXBF9N160G IXYS Ixbf9n160g - - -
RFQ
 ECAD 1153 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Rohr Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch I4 -PAC ™ -5 (3 Leads) Ixbf9n160 Standard 70 w Isoplus i4-pac ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 960V, 5a, 27OHM, 10 V. - - - 1600 v 7 a 7v @ 15V, 5a - - - 34 NC - - -
IXFH46N30T IXYS Ixfh46n30t 5.5148
RFQ
 ECAD 9527 0.00000000 Ixys HiPerfet ™, Graben Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh46 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-IXFH46N30T Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 300 V 46a (TC) 10V 80MOHM @ 23A, 10V 5v @ 4ma 86 NC @ 10 V ± 20 V 4770 PF @ 25 V. - - - 460W (TC)
IXTA110N055T2 IXYS IXTA110N055T2 2.9800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta110 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 110a (TC) 10V 6.6mohm @ 25a, 10V 4v @ 250 ähm 57 NC @ 10 V ± 20 V 3060 PF @ 25 V. - - - 180W (TC)
IXFH17N80Q IXYS Ixfh17n80q - - -
RFQ
 ECAD 4678 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, q -Klasse Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh17 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 800 V 17a (TC) 10V 600mohm @ 500 mA, 10 V 4,5 V @ 4ma 95 NC @ 10 V ± 20 V 3600 PF @ 25 V. - - - 400W (TC)
IXTP220N055T IXYS IXTP220N055T - - -
RFQ
 ECAD 6155 0.00000000 Ixys Trenchmv ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IXTP220 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 220a (TC) 10V 4mohm @ 25a, 10V 4v @ 250 ähm 158 NC @ 10 V ± 20 V 7200 PF @ 25 V. - - - 430W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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