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Diskette HalblerProdukte (6315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Struktur Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Triactyp Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Anzahl der Scrs, Dioden IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce
VGF0136AH IXYS VGF0136AH - - -
RFQ
 ECAD 8067 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet Chassis -berg Modul VGF0136 Einphase (Bremsen) Modul Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 1400 v 1,5a - - -
IXTQ60N10T IXYS IXTQ60N10T 3.6053
RFQ
 ECAD 8416 0.00000000 Ixys Graben Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq60 MOSFET (Metalloxid) To-3p - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-IXTQ60N10T Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 100 v 60a (TC) 10V 18mohm @ 25a, 10V 4,5 V @ 50 µA 49 NC @ 10 V. ± 30 v 2650 PF @ 25 V. - - - 176W (TC)
MEE75-12DA IXYS Mee75-12da 34.7800
RFQ
 ECAD 7506 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv Chassis -berg To-240aa Mee75 Standard To-240aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 36 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1200 V 75a 2.17 V @ 100 a 300 ns 2 ma @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C.
MII150-12A4 IXYS Mii150-12a4 - - -
RFQ
 ECAD 4306 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv 150 ° C (TJ) Chassis -berg Y3-DCB Mii150 760 w Standard Y3-DCB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2 Halbbrücke Npt 1200 V 180 a 2,7 V @ 15V, 100a 7.5 Ma NEIN 6.6 NF @ 25 V
DGS10-018A IXYS DGS10-018A - - -
RFQ
 ECAD 8910 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 DGS10 Schottky To-220ac Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 180 v 1,1 V @ 5 a 1,3 mA @ 180 v -55 ° C ~ 175 ° C. 15a - - -
QV6012NH5TP IXYS QV6012NH5TP 3.5200
RFQ
 ECAD 7797 0.00000000 Ixys Qvxx12xhx Rohr Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab To-263 (D2pak) - - - 3 (168 Stunden) 238-QV6012NH5TP Ear99 8541.30.0080 1.000 Einzel 50 ma Logik - Sensitive Gate 600 V 12 a 1,2 v 140a, 153a 50 ma
IXTP220N055T IXYS IXTP220N055T - - -
RFQ
 ECAD 6155 0.00000000 Ixys Trenchmv ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IXTP220 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 220a (TC) 10V 4mohm @ 25a, 10V 4v @ 250 ähm 158 NC @ 10 V ± 20 V 7200 PF @ 25 V. - - - 430W (TC)
IXRR40N120 IXYS Ixrr40n120 - - -
RFQ
 ECAD 3926 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv - - - K. Loch To-247-3 Ixrr40 Standard Isoplus247 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 - - - - - - 1200 V 45 a - - - - - - - - -
QV6012LH5TP IXYS QV6012LH5TP 3.1400
RFQ
 ECAD 6299 0.00000000 Ixys Qvxx12xhx Rohr Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 isolierte RegisterKarte ITO-220AB - - - 3 (168 Stunden) 238-QV6012LH5TP Ear99 8541.30.0080 1.000 Einzel 50 ma Logik - Sensitive Gate 600 V 12 a 1,2 v 140a, 153a 50 ma
IXFH46N30T IXYS Ixfh46n30t 5.5148
RFQ
 ECAD 9527 0.00000000 Ixys HiPerfet ™, Graben Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh46 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-IXFH46N30T Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 300 V 46a (TC) 10V 80MOHM @ 23A, 10V 5v @ 4ma 86 NC @ 10 V ± 20 V 4770 PF @ 25 V. - - - 460W (TC)
IXFK44N50 IXYS Ixfk44n50 - - -
RFQ
 ECAD 8815 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Ixfk44 MOSFET (Metalloxid) To-264aa (ixfk) Herunterladen Rohs Nick Konform Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 500 V 44a (TC) 10V 120MOHM @ 22A, 10V 4v @ 8ma 270 nc @ 10 v ± 20 V 8400 PF @ 25 V. - - - 500W (TC)
IXTK33N50 IXYS IXTK33N50 - - -
RFQ
 ECAD 7564 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Ixtk33 MOSFET (Metalloxid) To-264 (ixtk) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 500 V 33a (TC) 10V 170 MOHM @ 500 mA, 10V 4v @ 250 ähm 250 NC @ 10 V ± 20 V 4900 PF @ 25 V. - - - 416W (TC)
IXFH130N15X3 IXYS IXFH130N15X3 11.9100
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x3 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh130 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 150 v 130a (TC) 10V 9mohm @ 65a, 10V 4,5 V @ 1,5 mA 80 nc @ 10 v ± 20 V 5230 PF @ 25 V. - - - 390W (TC)
IXGH40N60B2D1 IXYS Ixgh40n60b2d1 - - -
RFQ
 ECAD 5176 0.00000000 Ixys Hiperfast ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixgh40 Standard 300 w To-247ad Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 30a, 3,3 Ohm, 15 V. 25 ns Pt 600 V 75 a 200 a 1,7 V @ 15V, 30a 400 µJ (AUS) 100 nc 18ns/130ns
DGSK20-025AS-TUB IXYS DGSK20-025AS-Tub - - -
RFQ
 ECAD 7678 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab DGSK20 Schottky To-263aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 250 V 12a 1,5 V @ 5 a 1,3 mA @ 250 V -55 ° C ~ 175 ° C.
IXFB210N30P3 IXYS IXFB210N30P3 32.0700
RFQ
 ECAD 6367 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar3 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa IXFB210 MOSFET (Metalloxid) Plus264 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -IXFB210N30P3 Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 300 V 210a (TC) 10V 14,5 MOHM @ 105A, 10V 5v @ 8ma 268 NC @ 10 V ± 20 V 16200 PF @ 25 V. - - - 1890W (TC)
IXTA110N055T2 IXYS IXTA110N055T2 2.9800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta110 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 110a (TC) 10V 6.6mohm @ 25a, 10V 4v @ 250 ähm 57 NC @ 10 V ± 20 V 3060 PF @ 25 V. - - - 180W (TC)
IXTN40P50P IXYS Ixtn40p50p 38.4800
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Ixys Polarp ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixtn40 MOSFET (Metalloxid) SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 P-Kanal 500 V 40a (TC) 10V 230mohm @ 500 mA, 10V 4v @ 1ma 205 NC @ 10 V ± 20 V 11500 PF @ 25 V. - - - 890W (TC)
MCMA140PD1600T-NMI IXYS MCMA140PD1600T-NMI - - -
RFQ
 ECAD 1930 0.00000000 Ixys - - - Kasten Abgebrochen bei Sic - - - - - - - - - MCMA140 - - - - - - UnberÜHrt Ereichen 238-MCMA140PD1600T-NMI Ear99 8541.30.0080 36 - - - - - -
IXFA30N25X3 IXYS IXFA30N25X3 7.1400
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x3 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixfa30 MOSFET (Metalloxid) To-263aa (ixfa) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -IXFA30N25X3 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 250 V 30a (TC) 10V 60mohm @ 15a, 10V 4,5 V @ 500 ähm 21 NC @ 10 V ± 20 V 1450 PF @ 25 V. - - - 176W (TC)
VWO36-08IO7 IXYS VWO36-08IO7 - - -
RFQ
 ECAD 2770 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Modul VWO36 3 -Phasen -Controller -Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 10 100 ma 800 V 28 a 1 v 320a, 350a 65 Ma 18 a 6 Scrs
IXGR24N60CD1 IXYS Ixgr24N60CD1 - - -
RFQ
 ECAD 5439 0.00000000 Ixys Hiperfast ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixgr24 Standard 80 w Isoplus247 ™ Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 480v, 24a, 18Ohm, 15 V. 25 ns - - - 600 V 42 a 80 a 2,5 V @ 15V, 24a 240 µJ (AUS) 55 NC 15ns/75ns
MCD250-18IO1 IXYS MCD250-18IO1 - - -
RFQ
 ECAD 1857 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Chassis -berg Y2-DCB MCD250 Serienverbindung - SCR/Diode Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 2 150 Ma 1,8 kv 450 a 2 v 9000a, 9600a 150 Ma 287 a 1 SCR, 1 Diode
MMO230-16IO7 IXYS MMO230-16IO7 35.5584
RFQ
 ECAD 3104 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Modul MMO230 1 -Phasen -Controller -Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 25 200 ma 1,6 kv 180 a 1,5 v 2250a, 2400A 150 Ma 105 a 2 SCRS
IXTL2N470 IXYS IXTL2N470 114.3700
RFQ
 ECAD 274 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Isoplusi5-Pak ™ Ixtl2 MOSFET (Metalloxid) Isoplusi5-Pak ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -Ixtl2N470 Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 4700 v 2a (TC) 10V 20ohm @ 1a, 10V 6 V @ 250 ähm 180 nc @ 10 v ± 20 V 6860 PF @ 25 V. - - - 220W (TC)
IXFA7N80P IXYS Ixfa7n80p 4.0000
RFQ
 ECAD 4694 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixfa7n80 MOSFET (Metalloxid) To-263aa (ixfa) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 800 V 7a (TC) 10V 1,444ohm @ 3,5a, 10 V 5v @ 1ma 32 NC @ 10 V ± 30 v 1890 PF @ 25 V. - - - 200W (TC)
IXFH30N60Q IXYS IXFH30N60Q - - -
RFQ
 ECAD 8824 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, q -Klasse Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh30 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 600 V 30a (TC) 10V 230mohm @ 500 mA, 10V 4,5 V @ 4ma 125 NC @ 10 V ± 20 V 4700 PF @ 25 V. - - - 500W (TC)
IXYL60N450 IXYS Ixyl60N450 126.3500
RFQ
 ECAD 2223 0.00000000 Ixys XPT ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Isoplusi5-Pak ™ Ixyl60 Standard 417 w Isoplusi5-Pak ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Q9485533 Ear99 8541.29.0095 25 960 V, 60A, 4,7OHM, 15 V. - - - 4500 v 90 a 680 a 3,3 V @ 15V, 60a - - - 366 NC 55ns/450ns
MDNA280UB2200P-PC IXYS MDNA280UB2200P-PC 157.1036
RFQ
 ECAD 8956 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv - - - - - - - - - MDNA280 - - - - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-mDNA280UB2200P-PC Ear99 8541.30.0080 28 - - - - - -
MII200-12A4 IXYS Mii200-12a4 - - -
RFQ
 ECAD 5280 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv 150 ° C (TJ) Chassis -berg Y3-DCB Mii200 1130 w Standard Y3-DCB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2 Halbbrücke Npt 1200 V 270 a 2,7 V @ 15V, 150a 10 ma NEIN 11 NF @ 25 V
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