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Diskette HalblerProdukte (6315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Struktur LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Spannung - Im Zustand (VTM) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) Aktuell - Aus dem Zustand (max) SCR -Typ Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Anzahl der Scrs, Dioden IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max)
CS8-08IO2 IXYS CS8-08IO2 - - -
RFQ
 ECAD 6128 0.00000000 Ixys - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Chassis, Stollenberg To-208ab, to-64-3, Stud CS8 To-64 Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 10 80 Ma 800 V 25 a 2,5 v 250a, 270a 30 ma 1,6 v 16 a 3 ma Standardwiederherherster
IXGH28N120BD1 IXYS Ixgh28n120bd1 - - -
RFQ
 ECAD 3898 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixgh28 Standard 250 w To-247ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 960V, 28a, 5ohm, 15 V. 40 ns Pt 1200 V 50 a 150 a 3,5 V @ 15V, 28a 2,2mj (AUS) 92 NC 30ns/210ns
IXTH50P085 IXYS Ixth50p085 - - -
RFQ
 ECAD 5133 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixth50 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ixth50p085-ndr Ear99 8541.29.0095 30 P-Kanal 85 V 50a (TC) 10V 55mohm @ 25a, 10V 5 V @ 250 ähm 150 NC @ 10 V. ± 20 V 4200 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
MMO140-12IO7 IXYS MMO140-12IO7 22.0224
RFQ
 ECAD 2771 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul MMO140 1 -Phasen -Controller -Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 25 200 ma 1,2 kv 90 a 1,5 v 1150a, 1230a 100 ma 58 a 2 SCRS
DSSK18-0025B IXYS DSSK18-0025B - - -
RFQ
 ECAD 2474 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 DSSK18 Schottky To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 350 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 25 v 10a 450 mV @ 10 a 10 mA @ 25 V. -55 ° C ~ 150 ° C.
IXFK90N20 IXYS Ixfk90n20 15.3652
RFQ
 ECAD 5156 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Ixfk90 MOSFET (Metalloxid) To-264aa (ixfk) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen IXFK90N20-NDR Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 200 v 90a (TC) 10V 23mohm @ 45a, 10V 4v @ 8ma 380 nc @ 10 v ± 20 V 9000 PF @ 25 V. - - - 500W (TC)
CMA30P1600FC IXYS CMA30P1600FC 12.9372
RFQ
 ECAD 1810 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch I4 -Pac ™ -5 CMA30 Serienverbindung - Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 25 100 ma 1,6 kv 47 a 1 v 400a, 430a 55 Ma 30 a 2 SCRS
VTO110-14IO7 IXYS VTO110-14IO7 - - -
RFQ
 ECAD 9106 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg PWS-E2 VTO110 Brücke, 3 -Phasen - Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 5 200 ma 1,4 kv 58 a 1,5 v 1150a, 1230a 100 ma 110 a 6 Scrs
DSA120C150QB IXYS DSA120C150QB 6.9500
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Ixys - - - Rohr Abgebrochen bei Sic K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 DSA120 Schottky To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 300 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 60a 930 MV @ 60 a 1,8 mA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C.
VUO80-18NO1 IXYS Vuo80-18no1 35.1342
RFQ
 ECAD 9438 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg V1-a Vuo80 Standard V1-a Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 24 1,14 V @ 30 a 40 µa @ 1800 V 82 a DRIPHASE 1,8 kv
MCA700-20IO1W IXYS MCA700-20IO1W - - -
RFQ
 ECAD 6449 0.00000000 Ixys - - - Tablett Veraltet - - - Chassis -berg WC-500 MCA700 Gemeinsame Anode - Alle SCRs - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 1 2 kv 1331 a 18200 @ 50MHz 700 a 2 SCRS
IXTQ160N085T IXYS IXTQ160N085T - - -
RFQ
 ECAD 7202 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ160 MOSFET (Metalloxid) To-3p Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 85 V 160a (TC) 10V 6mohm @ 50a, 10V 4v @ 1ma 164 NC @ 10 V. ± 20 V 6400 PF @ 25 V. - - - 360W (TC)
VBO160-16NO7 IXYS VBO160-16NO7 88.2660
RFQ
 ECAD 4349 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg PWS-e VBO160 Standard PWS-e Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5 1,43 V @ 300 a 300 µa @ 1600 V 174 a Einphase 1,6 kv
IXTH8P50 IXYS Ixth8p50 9.5600
RFQ
 ECAD 4770 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixth8 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ixth8p50-ndr Ear99 8541.29.0095 30 P-Kanal 500 V 8a (TC) 10V 1,2OHM @ 4a, 10V 5 V @ 250 ähm 130 nc @ 10 v ± 20 V 3400 PF @ 25 V. - - - 180W (TC)
IXFH13N50 IXYS Ixfh13n50 - - -
RFQ
 ECAD 8691 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh13 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 13a (TC) 10V 400MOHM @ 6.5a, 10V 4v @ 2,5 mA 120 nc @ 10 v ± 20 V 2800 PF @ 25 V. - - - 180W (TC)
MDC700-22IO1W IXYS MDC700-22IO1W - - -
RFQ
 ECAD 3302 0.00000000 Ixys - - - Tablett Veraltet - - - Chassis -berg WC-500 MDC700 Serienverbindung - SCR/Diode - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 1 2,2 kv 1331 a 18200 @ 50MHz 700 a 1 SCR, 1 Diode
MCD200-18IO1 IXYS MCD200-18IO1 89.1200
RFQ
 ECAD 8219 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Y4-M6 MCD200 Serienverbindung - SCR/Diode Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 6 150 Ma 1,8 kv 340 a 2 v 8000a, 8600a 150 Ma 216 a 1 SCR, 1 Diode
IXFR80N50P IXYS Ixfr80n50p 24.9500
RFQ
 ECAD 1950 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfr80 MOSFET (Metalloxid) Isoplus247 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 45a (TC) 10V 72mohm @ 40a, 10V 5v @ 8ma 197 NC @ 10 V ± 30 v 12700 PF @ 25 V. - - - 360W (TC)
DSEI20-12A IXYS DSEI20-12a 4.5500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 DSEI20 Standard To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1200 V 2,15 V @ 12 a 60 ns 750 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 17a - - -
VUO121-16NO1 IXYS Vuo121-16no1 68.5500
RFQ
 ECAD 2385 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg E2 VUO121 Standard E2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 6 1,19 V @ 40 a 100 µa @ 1600 V 118 a DRIPHASE 1,6 kv
VHF15-16IO5 IXYS VHF15-16IO5 - - -
RFQ
 ECAD 3419 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg PWS-E1 VHF15 Brücke, Einphase - SCRS/DIODEN (Layout 1) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen VHF1516IO5 Ear99 8541.30.0080 10 100 ma 1,6 kv 15 a 1 v 190a, 210a 65 Ma 2 SCRS, 2 DIODEN
IXTT26N50P IXYS IXTT26N50P 9.5600
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Ixys Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixtt26 MOSFET (Metalloxid) To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 26a (TC) 10V 230mohm @ 13a, 10V 5,5 V @ 250 ähm 65 NC @ 10 V ± 30 v 3600 PF @ 25 V. - - - 400W (TC)
MCO25-12IO1 IXYS MCO25-12IO1 26.2020
RFQ
 ECAD 2024 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MCO25 Einzel Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 10 100 ma 1,2 kv 49 a 1,5 v 370a, 400a 55 Ma 31 a 1 scr
IXTP32P20T IXYS IXTP32P20T 9.0100
RFQ
 ECAD 8111 0.00000000 Ixys Trenchp ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IxtP32 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 P-Kanal 200 v 32a (TC) 10V 130mohm @ 16a, 10V 4v @ 250 ähm 185 NC @ 10 V. ± 15 V 14500 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
VMO550-01F IXYS VMO550-01F - - -
RFQ
 ECAD 4691 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Kasten Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Y3-DCB VMO550 MOSFET (Metalloxid) Y3-DCB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2 N-Kanal 100 v 590a (TC) 10V 2,1 MOHM @ 500 mA, 10 V 6 V @ 110 mA 2000 NC @ 10 V. ± 20 V 50000 PF @ 25 V. - - - 2200W (TC)
MCA500-18IO1 IXYS MCA500-18IO1 - - -
RFQ
 ECAD 5958 0.00000000 Ixys - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg WC-500 MCA500 Gemeinsame Anode - Alle SCRs Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 1 1 a 1,8 kv 1294 a 3 v 16500a @ 50Hz 300 ma 545 a 2 SCRS
DSEI25-06AS-TUB IXYS DSEI25-06AS-Tub 3.9500
RFQ
 ECAD 5955 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab DSEI25 Standard To-263 (D2pak) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-DSEI25-06AS-Tub Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,31 V @ 25 a 50 ns 100 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C. 25a 20pf @ 400V, 1 MHz
IXFX20N120P IXYS Ixfx20n120p 27.7800
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante Ixfx20 MOSFET (Metalloxid) Plus247 ™ -3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1200 V 20A (TC) 10V 570MOHM @ 10a, 10V 6,5 V @ 1ma 193 NC @ 10 V. ± 30 v 11100 PF @ 25 V. - - - 780W (TC)
IXTV30N50PS IXYS IXTV30N50PS - - -
RFQ
 ECAD 3038 0.00000000 Ixys Polarhv ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Plus-220Smd Ixtv30 MOSFET (Metalloxid) Plus-220Smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 500 V 30a (TC) 10V 200mohm @ 15a, 10V 5 V @ 250 ähm 70 nc @ 10 v ± 30 v 4150 PF @ 25 V. - - - 460W (TC)
HTZ260G14K IXYS HTZ260G14K - - -
RFQ
 ECAD 9410 0.00000000 Ixys HTZ260G Kasten Aktiv Chassis -berg Modul HTZ260 Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 14000 v 4.7a 16 V @ 12 a 500 µA @ 14000 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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