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Diskette HalblerProdukte (6315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Struktur Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min rds an) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Triactyp Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Spannung - Im Zustand (VTM) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) Aktuell - Aus dem Zustand (max) SCR -Typ Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Anzahl der Scrs, Dioden IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce
N7585FE280 IXYS N7585Fe280 - - -
RFQ
 ECAD 6609 0.00000000 Ixys - - - Kasten Abgebrochen bei Sic - - - Chassis -berg To-200af N7585 W119 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-N7585Fe280 Ear99 8541.30.0080 6 2,8 kv 110000a @ 50Hz 7535 a Standardwiederherherster
IXTH3N120 IXYS Ixth3n120 6.3785
RFQ
 ECAD 1520 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixth3 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1200 V 3a (TC) 10V 4,5OHM @ 500 mA, 10V 4,5 V @ 250 ähm 39 NC @ 10 V. ± 20 V 1300 PF @ 25 V. - - - 200W (TC)
IXFH88N30P IXYS Ixfh88n30p 14.8700
RFQ
 ECAD 1809 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Kasten Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh88 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 300 V 88a (TC) 10V 40mohm @ 44a, 10V 5v @ 4ma 180 nc @ 10 v ± 20 V 6300 PF @ 25 V. - - - 600W (TC)
MCD220-12IO1 IXYS MCD220-12IO1 - - -
RFQ
 ECAD 9987 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Chassis -berg Y2-DCB MCD220 Serienverbindung - SCR/Diode Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 2 150 Ma 1,2 kv 400 a 2 v 8500a, 9000a 150 Ma 250 a 1 SCR, 1 Diode
IXTK8N150L IXYS IXTK8N150L 42.6100
RFQ
 ECAD 3716 0.00000000 Ixys Linear Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Ixtk8 MOSFET (Metalloxid) To-264 (ixtk) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -Ixtk8n150l Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 1500 V 8a (TC) 20V 3,6OHM @ 4a, 20V 8v @ 250 ähm 250 NC @ 15 V ± 30 v 8000 PF @ 25 V. - - - 700W (TC)
IXTT24P20 IXYS Ixtt24p20 11.8500
RFQ
 ECAD 3207 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixtt24 MOSFET (Metalloxid) To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 P-Kanal 200 v 24a (TC) 10V 110 MOHM @ 500 mA, 10V 5 V @ 250 ähm 150 NC @ 10 V. ± 20 V 4200 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
DSI45-16A IXYS DSI45-16a 5.0200
RFQ
 ECAD 8378 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 DSI45 Standard To-247ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Dsi4516a Ear99 8541.10.0080 30 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1600 v 1,28 V @ 45 a 20 µa @ 1600 V -40 ° C ~ 175 ° C. 45a - - -
IXFH13N100 IXYS IXFH13N100 - - -
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 ECAD 4176 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh13 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1000 v 12,5a (TC) 10V 900mohm @ 500 mA, 10V 4,5 V @ 4ma 155 NC @ 10 V ± 20 V 4000 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
R0577YC12E IXYS R0577YC12E - - -
RFQ
 ECAD 2612 0.00000000 Ixys - - - Kasten Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 125 ° C. Chassis -berg To-200ab, b-puk R0577 W58 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-R0577YC12E Ear99 8541.30.0080 6 1 a 1,2 kv 1169 a 3 v 6600a @ 50Hz 200 ma 2.15 V 577 a 60 mA Standardwiederherherster
IXFB62N80Q3 IXYS IXFB62N80Q3 43.4700
RFQ
 ECAD 4928 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Q3 -Klasse Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Ixfb62 MOSFET (Metalloxid) Plus264 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 800 V 62a (TC) 10V 140Mohm @ 31a, 10V 6,5 V @ 8ma 270 nc @ 10 v ± 30 v 13600 PF @ 25 V. - - - 1560W (TC)
IXBT10N170 IXYS Ixbt10n170 10.9477
RFQ
 ECAD 6146 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixbt10 Standard 140 w To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 1360 V, 10a, 56OHM, 15 V. 360 ns - - - 1700 v 20 a 40 a 3,8 V @ 15V, 10a 6MJ (AUS) 30 NC 35ns/500ns
IXTH04N300P3HV IXYS Ixth04N300P3HV 25.3500
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 Ixys Polar P3 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante Ixth04 MOSFET (Metalloxid) To-247HV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -ISSIXTH04N300P3HV Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 3000 v 400 mA (TC) 10V 190OHM @ 200 Ma, 10V 4v @ 250 ähm 13 NC @ 10 V ± 20 V 283 PF @ 25 V. - - - 104W (TC)
IXFT23N60Q IXYS Ixft23n60q - - -
RFQ
 ECAD 7224 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, q -Klasse Kasten Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixft23 MOSFET (Metalloxid) To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 23a (TC) 10V 320mohm @ 500 mA, 10V 4,5 V @ 4ma 90 nc @ 10 v ± 30 v 3300 PF @ 25 V. - - - 400W (TC)
MMO230-08IO7 IXYS MMO230-08IO7 - - -
RFQ
 ECAD 3751 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Modul MMO 1 -Phasen -Controller -Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 25 200 ma 800 V 180 a 1,5 v 2250a, 2400A 150 Ma 105 a 2 SCRS
QV6016RH5TP IXYS Qv6016rh5tp 3.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Ixys Qvxx16xhx Rohr Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Qv6016 To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-Qv6016RH5TP Ear99 8541.30.0080 50 Einzel 60 mA Alternistor - Schubberlos 600 V 16 a 1,3 v 167a, 200a 50 ma
DGSK20-025AS-TUB IXYS DGSK20-025AS-Tub - - -
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 ECAD 7678 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab DGSK20 Schottky To-263aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 250 V 12a 1,5 V @ 5 a 1,3 mA @ 250 V -55 ° C ~ 175 ° C.
IXFP12N65X2M IXYS IXFP12N65X2M 4.2300
RFQ
 ECAD 2832 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x2 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte Ixfp12 MOSFET (Metalloxid) To-220 Isolierte RegisterKarte Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 12a (TC) 10V 310mohm @ 6a, 10V 5 V @ 250 ähm 18,5 NC @ 10 V. ± 30 v 1134 PF @ 25 V. - - - 40W (TC)
IXFC14N80P IXYS Ixfc14n80p - - -
RFQ
 ECAD 6710 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polarht ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Isoplus220 ™ IXFC14N80 MOSFET (Metalloxid) Isoplus220 ™ Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 800 V 8a (TC) 10V 770Mohm @ 7a, 10V 5,5 V @ 4MA 61 NC @ 10 V ± 30 v 3900 PF @ 25 V. - - - 130W (TC)
IXTA80N10T7 IXYS IXTA80N10T7 - - -
RFQ
 ECAD 9490 0.00000000 Ixys Trenchmv ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) Ixta80 MOSFET (Metalloxid) To-263-7 (ixta) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 80A (TC) 10V 14mohm @ 25a, 10V 4,5 V @ 100 µA 60 nc @ 10 v ± 30 v 3040 PF @ 25 V. - - - 230W (TC)
P0327WC12D IXYS P0327WC12D 123.7500
RFQ
 ECAD 4682 0.00000000 Ixys - - - Kasten Nicht für Designs -40 ° C ~ 125 ° C. Chassis -berg To-200ab, b-puk P0327 W8 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-P0327WC12D Ear99 8541.30.0080 24 600 mA 1,2 kv 670 a 3 v 3575a @ 50Hz 200 ma 2.17 V 330 a 30 ma Standardwiederherherster
IXBT14N300HV IXYS IXBT14N300HV 49.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixbt14 Standard 200 w To-268HV (IXBT) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Q10794009 Ear99 8541.29.0095 30 960V, 14a, 20ohm, 15 V. 1,4 µs - - - 3000 v 38 a 120 a 2,7 V @ 15V, 14a - - - 62 NC - - -
IXTM9226 IXYS IXTM9226 - - -
RFQ
 ECAD 4913 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet - - - - - - - - - Ixtm92 - - - - - - - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 20 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
MUBW40-12T7 IXYS MUBW40-12T7 - - -
RFQ
 ECAD 8119 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg E2 MUBW40 220 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER E2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 6 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse Graben 1200 V 62 a 2,6 V @ 15V, 40a 1,75 Ma Ja 2,5 NF @ 25 V.
IXGH30N120BD1 IXYS Ixgh30n120bd1 - - -
RFQ
 ECAD 9646 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv - - - K. Loch To-247-3 Ixgh30 Standard To-247ad - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 - - - - - - 1200 V 50 a - - - - - - - - -
MWI100-12E8 IXYS MWI100-12E8 - - -
RFQ
 ECAD 5567 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg E3 MWI100 640 w Standard E3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5 Drei -Phase -wechselrichter Npt 1200 V 165 a 2,5 V @ 15V, 100a 1,4 Ma NEIN 7.4 NF @ 25 V
DH2X60-18A IXYS DH2X60-18A 39.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc DH2X60 Standard SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 1800 v 60a 2.01 V @ 60 a 230 ns 200 µA @ 1800 V. -40 ° C ~ 150 ° C.
MCC95-18IO1B IXYS MCC95-18IO1B 47.2000
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg To-240aa MCC95 Serienverbindung - Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MCC9518IO1B Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1,8 kv 180 a 2,5 v 2250a, 2400A 150 Ma 116 a 2 SCRS
IXFH26N55Q IXYS IXFH26N55Q - - -
RFQ
 ECAD 9037 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh26 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 550 V 26a (TC) 10V 230mohm @ 13a, 10V 4,5 V @ 4ma 92 NC @ 10 V ± 30 v 3000 PF @ 25 V. - - - 375W (TC)
IXST30N60B2D1 IXYS IXST30N60B2D1 - - -
RFQ
 ECAD 2953 0.00000000 Ixys - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixst30 Standard 250 w To-268aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen IXST30N60B2D1-NDR Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 24a, 5ohm, 15 V. 30 ns Pt 600 V 48 a 90 a 2,5 V @ 15V, 24a 550 µj (AUS) 50 nc 30ns/130ns
LKK47-06C5 IXYS LKK47-06C5 42.0228
RFQ
 ECAD 4502 0.00000000 Ixys Coolmos ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Lkk47 MOSFET (Metalloxid) - - - Isoplus264 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 2 n-kanal (dual) 600V 47a 45mohm @ 44a, 10V 3,9 V @ 3ma 190nc @ 10v 6800PF @ 100V Super Junction
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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