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Diskette HalblerProdukte (6315)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	Struktur	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET -Typ	Strom - Hold (ih) (max)	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Spannung - Staat	Strom - Auf Status (It (RMS)) (max)	Spannung - Gate Trigger (VGT) (max)	Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM)	Strom - Gate Trigger (IGT) (max)	Spannung - Im Zustand (VTM) (max)	Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max)	Aktuell - Aus dem Zustand (max)	SCR -Typ	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Anzahl der Scrs, Dioden	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Eingabekapazität (cies) @ vce
IXFK44N80Q3	36.8200	RFQ	1118	Ixys	Hiperfet ™, Q3 -Klasse	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-264-3, to-264aa	Ixfk44		MOSFET (Metalloxid)				To-264aa (ixfk)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	25			N-Kanal			800 V	44a (TC)	10V	190mohm @ 22a, 10V	6,5 V @ 8ma	185 NC @ 10 V.	± 30 v	9840 PF @ 25 V.	- - -	1250W (TC)
DSDI60-16a	12.7300	RFQ	458	Ixys	- - -	Rohr	Aktiv		K. Loch	To-247-2	DSDI60		Standard				To-247ad	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	30		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)																								1600 v		4.1 V @ 70 a	300 ns	2 ma @ 1600 v	-40 ° C ~ 150 ° C.	63a	- - -
MDK950-22N1W	- - -	RFQ	2308	Ixys	- - -	Tablett	Abgebrochen bei Sic		Chassis -berg	Modul	MDK950		Standard				Modul	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	1		Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)																							1 Paar Gemeinsamer Kathode	2200 v	950a	880 mv @ 500 a	18 µs	50 mA @ 2200 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
IxBT2N250-tr	16.8549	RFQ	6267	Ixys	Bimosfet ™	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa	Ixbt2	Standard		32 w			To-268	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	238-IXBT2N250-TR	Ear99	8541.29.0095	400					2000v, 2a, 47ohm, 15V																								920 ns						- - -	2500 V	5 a	13 a	3,5 V @ 15V, 2a	- - -	10.6 NC	30ns/70ns
IXTX6N200P3HV	69.9500	RFQ	5005	Ixys	Polar P3 ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3 Variante	Ixtx6		MOSFET (Metalloxid)				To-247plus-hv	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	-Ixtx6n200p3HV	Ear99	8541.29.0095	30			N-Kanal			2000 v	6a (TC)	10V	4ohm @ 3a, 10V	5 V @ 250 ähm	143 NC @ 10 V	± 20 V	3700 PF @ 25 V.	- - -	960W (TC)
IXFP18N65X2	5.2200	RFQ	6449	Ixys	Hiperfet ™, ultra x2	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	Ixfp18		MOSFET (Metalloxid)				To-220	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	238-IXFP18N65X2	Ear99	8541.29.0095	50			N-Kanal			650 V	18a (TC)	10V	200mohm @ 9a, 10V	5v @ 1,5 mA	29 NC @ 10 V	± 30 v	1520 PF @ 25 V.	- - -	290W (TC)
DS1-12d	- - -	RFQ	9622	Ixys	- - -	Kasten	Veraltet		K. Loch	Radial	DS1		Standard				- - -	Herunterladen		Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	100		Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)																								1200 V		1,3 V @ 7 a		700 µA @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C.	2.3a	- - -
Ixfh170n10p	12.5700	RFQ	9613	Ixys	HIPERFET ™, Polar	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Ixfh170		MOSFET (Metalloxid)				To-247ad (ixfh)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30			N-Kanal			100 v	170a (TC)	10V	9mohm @ 500 mA, 10V	5v @ 4ma	198 NC @ 10 V	± 20 V	6000 PF @ 25 V.	- - -	715W (TC)
DS35-08A	- - -	RFQ	5996	Ixys	- - -	Kasten	Veraltet		Chassis, Stollenberg	DO-203AB, DO-5, Stud	DS35		Standard				DO-203AB	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	10		Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)																								800 V		1,55 V @ 150 a		4 ma @ 800 V	-40 ° C ~ 180 ° C.	49a	- - -
Ixfn170n10	35.7580	RFQ	1044	Ixys	Hiperfet ™	Rohr	Nicht für Designs	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	Ixfn170		MOSFET (Metalloxid)				SOT-227B	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10			N-Kanal			100 v	170a (TC)	10V	10MOHM @ 500 mA, 10V	4v @ 8ma	515 NC @ 10 V	± 20 V	10300 PF @ 25 V.	- - -	600W (TC)
DSEP2X31-04A	- - -	RFQ	7363	Ixys	Hiperfred ™	Rohr	Veraltet		Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	DSEP2X		Standard				SOT-227B	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	10		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)																							2 Unabhängig	400 V	30a	1,45 V @ 30 a	30 ns	250 µa @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
IXTP3N110	- - -	RFQ	3982	Ixys	- - -	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	Ixtp3		MOSFET (Metalloxid)				To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50			N-Kanal			1100 v	3a (TC)	10V	4OHM @ 1,5a, 10V	5 V @ 250 ähm	42 NC @ 10 V.	± 20 V	1350 PF @ 25 V.	- - -	150W (TC)
IXFR21N50Q	- - -	RFQ	3250	Ixys	- - -	Rohr	Veraltet				Ixfr21							- - -		1 (unbegrenzt)			Veraltet	0000.00.0000	30							- - -
IXFK32N100P	24.8900	RFQ	204	Ixys	HIPERFET ™, Polar	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-264-3, to-264aa	Ixfk32		MOSFET (Metalloxid)				To-264aa (ixfk)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	25			N-Kanal			1000 v	32a (TC)	10V	320Mohm @ 16a, 10V	6,5 V @ 1ma	225 NC @ 10 V	± 30 v	14200 PF @ 25 V.	- - -	960W (TC)
MCD26-16IO1B	30.3800	RFQ	2	Ixys	- - -	Kasten	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	To-240aa	MCD26				Serienverbindung - SCR/Diode			Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.30.0080	36				200 ma												1,6 kv	50 a	1,5 v	520a, 560a	100 ma		32 a												1 SCR, 1 Diode
CMA80E1600HB	7.5500	RFQ	5	Ixys	CMA80E1600HB	Rohr	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	CMA80						To-247 (ixth)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	238-CMA80E1600HB	Ear99	8541.30.0080	30				100 ma												1,6 kv	126 a	1,4 v	720a, 780a	80 Ma	1,47 v	80 a		Standardwiederherherster
VTO70-08IO7	- - -	RFQ	5588	Ixys	- - -	Kasten	Veraltet	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	Fo-ta	Vto				Brücke, 3 -Phasen - Alle SCRs			Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.30.0080	10				200 ma												800 V		1,5 v	550a, 600A	100 ma		70 a												6 Scrs
VHFD37-08IO1	38.5600	RFQ	19	Ixys	- - -	Kasten	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	V1a-pak	VHFD37				Brücke, Einphase - SCRS/DIODEN (Layout 1)			Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	-VHFD37-08IO1	Ear99	8541.30.0080	24				100 ma												800 V		1 v	320a, 350a	65 Ma		36 a												2 SCRS, 4 DIODEN
Ixgn82n120b3h1	- - -	RFQ	1927	Ixys	Genx3 ™	Rohr	Abgebrochen bei Sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	Ixgn82			595 w		Standard	SOT-227B	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Einzel																																		Pt	1200 V	145 a		3,2 V @ 15V, 82a				50 µA	NEIN	7.9 NF @ 25 V.
Ixfn44n100p	44.9200	RFQ	8476	Ixys	HIPERFET ™, Polar	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	Ixfn44		MOSFET (Metalloxid)				SOT-227B	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	-IXFN44N100P	Ear99	8541.29.0095	10			N-Kanal			1000 v	37a (TC)	10V	220MOHM @ 22A, 10V	6,5 V @ 1ma	305 NC @ 10 V	± 30 v	19000 PF @ 25 V.	- - -	890W (TC)
FMP76-010T	- - -	RFQ	3948	Ixys	Trench ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	I4 -Pac ™ -5	Fmp76		MOSFET (Metalloxid)	89W, 132W			Isoplus i4-pac ™	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	25	N und p-kanal					100V	62a, 54a		11mohm @ 25a, 10V	4,5 V @ 250 ähm	104nc @ 10v		5080pf @ 25v	- - -
IXTA80N10T	3.8500	RFQ	6	Ixys	Graben	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	Ixta80		MOSFET (Metalloxid)				To-263aa	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50			N-Kanal			100 v	80A (TC)	10V	14mohm @ 25a, 10V	5 V @ 100 µA	60 nc @ 10 v	± 20 V	3040 PF @ 25 V.	- - -	230W (TC)
MIXA20WB1200TMH	- - -	RFQ	8661	Ixys	- - -	Kasten	Veraltet	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	Minipack2	Mixa20w			100 w		DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER	Minipack2	Herunterladen		1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.29.0095	20	Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse																																		Pt	1200 V	28 a		2,1 V @ 15V, 16a				100 µA	Ja
IXFH20N60Q	- - -	RFQ	2150	Ixys	Hiperfet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Ixfh20		MOSFET (Metalloxid)				To-247ad (ixfh)	Herunterladen		1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.29.0095	30			N-Kanal			600 V	20A (TC)	10V	350Mohm @ 10a, 10V	4,5 V @ 4ma	90 nc @ 10 v	± 30 v	3300 PF @ 25 V.	- - -	300 W (TC)
DPG60C200QB	6.3300	RFQ	18	Ixys	Hiperfred² ™	Rohr	Aktiv		K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3	DPG60C200		Standard				To-3p	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	-DPG60C200QB	Ear99	8541.10.0080	30		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)																							1 Paar Gemeinsamer Kathode	200 v	30a	1,34 V @ 30 a	35 ns	1 µA @ 200 V.	-55 ° C ~ 175 ° C.
Ixta48p05t-trl	2.8547	RFQ	5871	Ixys	Trenchp ™	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	Ixta48		MOSFET (Metalloxid)				To-263 (D2pak)	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	238-ixta48p05t-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			P-Kanal			50 v	48a (TC)	10V	30mohm @ 24a, 10V	4,5 V @ 250 ähm	53 NC @ 10 V	± 15 V	3660 PF @ 25 V.	- - -	150W (TC)
IXTA200N055T2-TRL	2.6471	RFQ	3190	Ixys	Trencht2 ™	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	Ixta200		MOSFET (Metalloxid)				To-263 (D2pak)	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	238-ixta200N055T2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			N-Kanal			55 v	200a (TC)	10V	4.2mohm @ 50a, 10V	4v @ 250 ähm	109 NC @ 10 V	± 20 V	6970 PF @ 25 V.	- - -	360W (TC)
N3790TE280	- - -	RFQ	4971	Ixys	- - -	Kasten	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 125 ° C.	Chassis -berg	To-200af	N3790						W82	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	238-N3790TE280	Ear99	8541.30.0080	6				1 a												2,8 kv	7410 a	3 v	55000a @ 50Hz	300 ma	2.1 V	3790 a	250 Ma	Standardwiederherherster
IXTQ200N06P	- - -	RFQ	3389	Ixys	Polar	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3	IXTQ200		MOSFET (Metalloxid)				To-3p	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30			N-Kanal			60 v	200a (TC)	10V	5mohm @ 400a, 15V	5 V @ 250 ähm	200 nc @ 10 v	± 20 V	5400 PF @ 25 V.	- - -	714W (TC)
Ixfk35n50	- - -	RFQ	9959	Ixys	Hiperfet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-264-3, to-264aa	Ixfk35		MOSFET (Metalloxid)				To-264aa (ixfk)	Herunterladen		1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.29.0095	25			N-Kanal			500 V	35a (TC)	10V	150 MOHM @ 16.5A, 10V	4v @ 4ma	227 NC @ 10 V	± 20 V	5700 PF @ 25 V.	- - -	416W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (6315)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²