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Diskette HalblerProdukte (6315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Typ Grundproduktnummer Technologie Struktur LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) Aktuell Stromspannung Spannung - Isolation ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min rds an) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Spannung - Im Zustand (VTM) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) SCR -Typ Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Anzahl der Scrs, Dioden
IXFX210N30X3 IXYS Ixfx210n30x3 34.6600
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x3 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante Ixfx210 MOSFET (Metalloxid) Plus247 ™ -3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 300 V 210a (TC) 10V 5,5 MOHM @ 105A, 10V 4,5 V @ 8ma 375 NC @ 10 V. ± 20 V 24200 PF @ 25 V. - - - 1250W (TC)
IXFA7N80P IXYS Ixfa7n80p 4.0000
RFQ
 ECAD 4694 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixfa7n80 MOSFET (Metalloxid) To-263aa (ixfa) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 800 V 7a (TC) 10V 1,444ohm @ 3,5a, 10 V 5v @ 1ma 32 NC @ 10 V ± 30 v 1890 PF @ 25 V. - - - 200W (TC)
DAA10EM1800PZ-TRL IXYS DAA10EM1800PZ-TRL 1.8124
RFQ
 ECAD 8151 0.00000000 Ixys - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab DAA10 Lawine To-263HV Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-daa10em1800pz-trltr Ear99 8541.10.0080 800 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1800 v 1,21 V @ 10 a 10 µa @ 1800 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a 4PF @ 400V, 1 MHz
N8440FA240 IXYS N8440FA240 - - -
RFQ
 ECAD 2705 0.00000000 Ixys - - - Kasten Abgebrochen bei Sic - - - Chassis -berg To-200af N8440 W119 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-N8440FA240 Ear99 8541.30.0080 6 2,4 kv 110000a @ 50Hz 8440 a Standardwiederherherster
IXTN120N25 IXYS IXTN120N25 - - -
RFQ
 ECAD 4916 0.00000000 Ixys Megamos ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixtn120 MOSFET (Metalloxid) SOT-227B - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 250 V 120a (TC) 20mohm @ 500 mA, 10V 4v @ 250 ähm 360 nc @ 10 v 7700 PF @ 25 V. - - - 730 W (TC)
IXIDM1403_1505_M IXYS Ixidm1403_1505_m - - -
RFQ
 ECAD 7043 0.00000000 Ixys - - - Tablett Veraltet Oberflächenhalterung Modul IGBT Ixidm1403 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -Ixidm1403_1505_m Ear99 8542.39.0001 1 Halbbrücke 30 a 15 v 4000 VRMs
DSEP12-12BZ-TUB IXYS DSEP12-12BZ-Tub 3.3600
RFQ
 ECAD 2190 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab DSEP12 Standard To-263HV - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-DSEP12-12BZ-Tub Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1200 V 3,25 V @ 15 a 70 ns 100 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 12a 5PF @ 600V, 1 MHz
IXTV03N400S IXYS IXTV03N400S - - -
RFQ
 ECAD 2884 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Plus-220Smd Ixtv03 MOSFET (Metalloxid) Plus-220Smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 4000 v 300 mA (TC) 10V 290ohm @ 500 mA, 10V 4v @ 250 ähm 16.3 NC @ 10 V. ± 20 V 435 PF @ 25 V. - - - 130W (TC)
IXFP18N65X2M IXYS Ixfp18n65x2m 3.7020
RFQ
 ECAD 7005 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x2 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte Ixfp18 MOSFET (Metalloxid) To-220 Isolierte RegisterKarte - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-IXFP18N65x2m Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 18a (TC) 10V 200mohm @ 9a, 10V 5v @ 1,5 mA 29 NC @ 10 V ± 30 v 1520 PF @ 25 V. - - - 290W (TC)
MMO62-16IO6 IXYS MMO62-16IO6 34.8500
RFQ
 ECAD 5323 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MMO62 1 -Phasen -Controller -Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 10 100 ma 1,6 kv 39 a 1,5 v 400a, 430a 100 ma 25 a 2 SCRS
DPG10I300PA IXYS DPG10I300PA 1.7700
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Ixys Hiperfred ™ Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 DPG10I300 Standard To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 300 V 1,27 V @ 10 a 35 ns 1 µA @ 300 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a - - -
DSEP2X61-12B IXYS DSEP2X61-12B 30.6460
RFQ
 ECAD 7378 0.00000000 Ixys DSEP2X61-12B Rohr Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc DSEP2X61 Standard SOT-227B - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-DSEP2X61-12B Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 1200 V 60a 2,9 V @ 60 a 70 ns 200 µA @ 200 V. -40 ° C ~ 150 ° C.
MCMA240UI1600P-PC IXYS MCMA240UI1600P-PC 115.6511
RFQ
 ECAD 3836 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv - - - - - - - - - MCMA240 - - - - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-MCMA240UI1600P-PC Ear99 8541.30.0080 28 - - - - - -
DSI30-08AS-TUB IXYS DSI30-08AS-Tub 2.9700
RFQ
 ECAD 8779 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab DSI30 Standard To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,29 V @ 30 a 40 µa @ 800 V -40 ° C ~ 175 ° C. 30a 10pf @ 400V, 1 MHz
VCA105-14IO7 IXYS VCA105-14IO7 - - -
RFQ
 ECAD 9086 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Öko-PAC2 VCA105 Gemeinsame Anode - Alle SCRs Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 25 200 ma 1,4 kv 180 a 1,5 v 2250a, 2400A 150 Ma 105 a 2 SCRS
IXFP50N20X3 IXYS IXFP50N20X3 5.6404
RFQ
 ECAD 3672 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x3 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 (IXFP) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-IXFP50N20X3 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 200 v 50a (TC) 10V 30mohm @ 25a, 10V 4,5 V @ 1ma 33 NC @ 10 V. ± 20 V 2100 PF @ 25 V - - - 240W (TC)
IXTH67N10 IXYS Ixth67n10 10.7410
RFQ
 ECAD 9480 0.00000000 Ixys Megamos ™ Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixth67 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ixth67n10-ndr Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 100 v 67a (TC) 10V 25mo @ 33,5a, 10V 4v @ 4ma 260 NC @ 10 V ± 20 V 4500 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
MCO740-20IO1 IXYS MCO740-20IO1 - - -
RFQ
 ECAD 3996 0.00000000 Ixys - - - Tablett Veraltet - - - Chassis -berg WC-501 Mco Einzel - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 1 2 kv - - - 1 scr
IXTP1R4N100P IXYS IXTP1R4N100P 2.6384
RFQ
 ECAD 9901 0.00000000 Ixys Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixtp1 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 1000 v 1.4a (TC) 10V 11OHM @ 500 mA, 10V 4,5 V @ 50 µA 17,8 NC @ 10 V. ± 20 V 450 PF @ 25 V. - - - 63W (TC)
IXFH86N30T IXYS Ixfh86n30t 12.2100
RFQ
 ECAD 4238 0.00000000 Ixys HiPerfet ™, Graben Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh86 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 300 V 86a (TC) 10V 43mohm @ 43a, 10V 5v @ 4ma 180 nc @ 10 v ± 20 V 11300 PF @ 25 V. - - - 860W (TC)
DPG30P400PJ IXYS DPG30P400PJ 8.4742
RFQ
 ECAD 9069 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv K. Loch Isoplus220 ™ DPG30P400 Standard Isoplus220 ™ - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-DPG30P400PJ Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,35 V @ 30 a 45 ns 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C. 30a 46PF @ 200V, 1 MHz
DMA150YA1600NA IXYS DMA150YA1600NA 35.1200
RFQ
 ECAD 3450 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc DMA150 Standard SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 3 Gemeinsame -Anode 1600 v 150a 1,21 V @ 50 a 100 µa @ 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C.
DSEI2X121-02P IXYS DSEI2X121-02p - - -
RFQ
 ECAD 5995 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet Chassis -berg Öko-PAC2 DSEI2X Standard Öko-PAC2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 200 v 123a 1,1 V @ 120 a 50 ns 1 ma @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C.
MCD310-20IO1 IXYS MCD310-20IO1 - - -
RFQ
 ECAD 6729 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Chassis -berg Y2-DCB MCD310 Serienverbindung - SCR/Diode Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 2 150 Ma 2 kv 500 a 2 v 9200a, 9800a 150 Ma 320 a 1 SCR, 1 Diode
IXTH16N50D2 IXYS Ixth16n50d2 13.8500
RFQ
 ECAD 2218 0.00000000 Ixys Erschöpfung Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixth16 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 16a (TC) 0V 240mohm @ 8a, 0V - - - 199 NC @ 5 V ± 20 V 5250 PF @ 25 V. Depletion -modus 695W (TC)
MCD200-16IO1 IXYS MCD200-16IO1 85.4100
RFQ
 ECAD 9039 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Y4-M6 MCD200 Serienverbindung - SCR/Diode Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 6 150 Ma 1,6 kv 340 a 2 v 8000a, 8600a 150 Ma 216 a 1 SCR, 1 Diode
CLE20E1200PC-TUB IXYS CLE20E1200PC-Tub 3.5770
RFQ
 ECAD 5061 0.00000000 Ixys CLE20E1200PC Rohr Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab CLE20 To-263 (D2pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-CLE20E1200PC-Tub Ear99 8541.30.0080 50 50 ma 1,2 kv 35 a 1,5 v 160a, 175a 40 ma 1,54 v 20 a Standardwiederherherster
DSEK60-02AR IXYS DSEK60-02AR 8.6300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Ixys Fred Rohr Aktiv K. Loch To-247-3 DSEK60 Standard Isoplus247 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 34a 1,1 V @ 30 a 50 ns 200 µA @ 200 V. -40 ° C ~ 150 ° C.
IXTA88N085T IXYS Ixta88n085t - - -
RFQ
 ECAD 7034 0.00000000 Ixys Trenchmv ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta88 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 85 V 88a (TC) 10V 11mohm @ 25a, 10V 4 V @ 100 µA 69 NC @ 10 V ± 20 V 3140 PF @ 25 V. - - - 230W (TC)
IXFN38N100Q2 IXYS IXFN38N100Q2 48.3440
RFQ
 ECAD 5603 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Q2 -Klasse Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixfn38 MOSFET (Metalloxid) SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 1000 v 38a (TC) 10V 250MOHM @ 19A, 10V 5v @ 8ma 250 NC @ 10 V ± 30 v 7200 PF @ 25 V. - - - 890W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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