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Diskette HalblerProdukte (6315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Struktur Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Spannung - Im Zustand (VTM) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) Aktuell - Aus dem Zustand (max) SCR -Typ Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Anzahl der Scrs, Dioden IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) NTC Thermistor
CS19-12HO1C IXYS CS19-12HO1C - - -
RFQ
 ECAD 7393 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. K. Loch Isoplus220 ™ CS19 Isoplus220 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 50 50 ma 1,2 kv 35 a 1,5 v 100a, 105a 25 ma 1,65 v 13 a 1 Ma Standardwiederherherster
MCC220-12IO1 IXYS MCC220-12IO1 - - -
RFQ
 ECAD 2335 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Chassis -berg Y2-DCB MCC220 Serienverbindung - Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 2 150 Ma 1,2 kv 400 a 2 v 8500a, 9000a 150 Ma 250 a 2 SCRS
IXTH300N04T2 IXYS Ixth300n04t2 6.8267
RFQ
 ECAD 9117 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixth300 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 40 v 300A (TC) 10V 2,5 MOHM @ 50A, 10V 4v @ 250 ähm 145 NC @ 10 V. ± 20 V 10700 PF @ 25 V. - - - 480W (TC)
MCO500-16IO1 IXYS MCO500-16IO1 174.2300
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Chassis -berg Y1-Cu MCO500 Einzel Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MCO50016IO1 Ear99 8541.30.0080 2 300 ma 1,6 kv 880 a 2 v 17000a, 16000a 300 ma 560 a 1 scr
N2900QL040 IXYS N2900QL040 - - -
RFQ
 ECAD 6648 0.00000000 Ixys - - - Kasten Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 150 ° C. Chassis -berg To-200ab, b-puk N2900 WP6 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-N2900QL040 Ear99 8541.30.0080 12 1 a 400 V 5520 a 3 v 30800a @ 50Hz 300 ma 1,47 v 2900 a 100 ma Standardwiederherherster
IXTA140N12T2 IXYS IXTA140N12T2 5.8746
RFQ
 ECAD 5648 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta140 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 120 v 140a (TC) 10V 10Mohm @ 70a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 174 NC @ 10 V ± 20 V 9700 PF @ 25 V. - - - 577W (TC)
IXTX3N250L IXYS IXTX3N250L 67.7467
RFQ
 ECAD 7322 0.00000000 Ixys Linear Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante Ixtx3 MOSFET (Metalloxid) Plus247 ™ -3 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-IXTX3N250L Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 2500 V 3a (TC) 10V 10ohm @ 1,5a, 10 V 5v @ 1ma 230 NC @ 10 V. ± 20 V 5400 PF @ 25 V. - - - 417W (TC)
IXTA16N50P IXYS Ixta16n50p 4.1858
RFQ
 ECAD 9627 0.00000000 Ixys Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta16 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 500 V 16a (TC) 10V 400mohm @ 8a, 10V 5,5 V @ 250 ähm 43 NC @ 10 V ± 30 v 2250 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
MCMA35PD1200TB IXYS MCMA35PD1200TB 25.3733
RFQ
 ECAD 3937 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Chassis -berg To-240aa MCMA35 Serienverbindung - SCR/Diode Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1,2 kv 55 a 1,5 v 520a, 560a 78 Ma 35 a 1 SCR, 1 Diode
VTO175-16IO7 IXYS VTO175-16IO7 - - -
RFQ
 ECAD 7145 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg PWS-E2 VTO175 Brücke, 3 -Phasen - Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 5 200 ma 1,6 kv 89 a 1,5 v 1500a, 1600a 100 ma 167 a 6 Scrs
GWM160-0055X1-SMDSAM IXYS GWM160-0055X1-SMDSAM - - -
RFQ
 ECAD 7041 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 17-SMD, Möwenflügel GWM160 MOSFET (Metalloxid) - - - Isoplus-Dil ™ Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 6 N-Kanal (3-Phasen-Brückke) 55 v 150a 3,3 MOHM @ 100A, 10V 4,5 V @ 1ma 105nc @ 10v - - - - - -
DSSK60-02AR IXYS DSSK60-02AR - - -
RFQ
 ECAD 6869 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet K. Loch To-247-3 DSSK60 Schottky Isoplus247 ™ - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 30a 850 mv @ 30 a 2 ma @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C.
IXFV16N80PS IXYS Ixfv16n80ps - - -
RFQ
 ECAD 4467 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polarht ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Plus-220Smd Ixfv16 MOSFET (Metalloxid) Plus-220Smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 800 V 16a (TC) 10V 600mohm @ 500 mA, 10 V 5v @ 4ma 71 NC @ 10 V ± 30 v 4600 PF @ 25 V. - - - 460W (TC)
IXFA5N100P IXYS Ixfa5n100p 4.0491
RFQ
 ECAD 2945 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IXFA5N100 MOSFET (Metalloxid) To-263aa (ixfa) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 1000 v 5a (TC) 10V 2,8OHM @ 2,5a, 10 V. 6 V @ 250 ähm 33.4 NC @ 10 V. ± 30 v 1830 PF @ 25 V. - - - 250 W (TC)
DMA50I800HA IXYS DMA50i800HA 3.7653
RFQ
 ECAD 4029 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 DMA50 Standard To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-DMA50i800HA Ear99 8541.10.0080 30 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,3 V @ 50 a 40 µa @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C. 50a 19PF @ 400V, 1 MHz
VWO85-12IO1 IXYS VWO85-12IO1 - - -
RFQ
 ECAD 3066 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Modul VWo 3 -Phasen -Controller -Alle SCRs Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 6 200 ma 1,2 kv 59 a 1,5 v 520a, 560a 100 ma 27 a 6 Scrs
MCD250-18IO1 IXYS MCD250-18IO1 - - -
RFQ
 ECAD 1857 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Chassis -berg Y2-DCB MCD250 Serienverbindung - SCR/Diode Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 2 150 Ma 1,8 kv 450 a 2 v 9000a, 9600a 150 Ma 287 a 1 SCR, 1 Diode
MCC95-16IO1 IXYS MCC95-16IO1 39.0778
RFQ
 ECAD 3335 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg To-240aa MCC95 Serienverbindung - Alle SCRs - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-MCC95-16io1 Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1,6 kv 182 a 2,5 v 2250a, 2430a 150 Ma 116 a 2 SCRS
IXFN26N100P IXYS Ixfn26n100p 54.3070
RFQ
 ECAD 1694 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixfn26 MOSFET (Metalloxid) SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 1000 v 23a (TC) 10V 390MOHM @ 13A, 10V 6,5 V @ 1ma 197 NC @ 10 V ± 30 v 11900 PF @ 25 V. - - - 595W (TC)
MMIX1H60N150V1 IXYS MMIX1H60N150V1 60.7800
RFQ
 ECAD 7346 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung 24-Powermd, 21 Hinweise MMIX1H60 24-smpd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 20 1,5 kV - - - Standardwiederherherster
IXFH170N10P IXYS Ixfh170n10p 12.5700
RFQ
 ECAD 9613 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh170 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 100 v 170a (TC) 10V 9mohm @ 500 mA, 10V 5v @ 4ma 198 NC @ 10 V ± 20 V 6000 PF @ 25 V. - - - 715W (TC)
DSSK30-0045A IXYS DSSK30-0045a - - -
RFQ
 ECAD 6218 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-3 DSSK30 Schottky To-247ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 15a 660 mv @ 15 a 500 µa @ 45 V -55 ° C ~ 175 ° C.
N2825TE450 IXYS N2825TE450 - - -
RFQ
 ECAD 6663 0.00000000 Ixys - - - Kasten Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 125 ° C. Chassis -berg To-200af N2825 W82 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-N2825TE450 Ear99 8541.30.0080 6 1 a 4,5 kV 5520 a 3 v 41000a @ 50 Hz 300 ma 3.37 v 2825 a 250 Ma Standardwiederherherster
IXYX100N120C3 IXYS Ixyx100N120C3 25.6400
RFQ
 ECAD 4415 0.00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante Ixyx100 Standard 1150 w Plus247 ™ -3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 600 V, 100a, 1OHM, 15 V. - - - 1200 V 188 a 490 a 3,5 V @ 15V, 100a 6,5 MJ (EIN), 2,9MJ (AUS) 270 NC 32ns/123ns
VUO155-12NO1 IXYS VUO155-12NO1 - - -
RFQ
 ECAD 6200 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg V2-Pak VUO155 Standard V2-Pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 6 1,59 V @ 150 a 300 µa @ 1200 V 157 a DRIPHASE 1,2 kv
IXA90IF650NA IXYS Ixa90if650na - - -
RFQ
 ECAD 9831 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv - - - - - - - - - Ixa90if650 - - - - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 - - - - - - - - - NEIN
IXTC180N10T IXYS IXTC180N10T - - -
RFQ
 ECAD 7732 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet - - - K. Loch Isoplus220 ™ IXTC180 MOSFET (Metalloxid) Isoplus220 ™ Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 90a (TC) - - - - - - - - - 150W (TC)
IXFA180N10T2 IXYS IXFA180N10T2 6.7000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Ixys HiPerfet ™, Tranz2 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixfa180 MOSFET (Metalloxid) To-263aa (ixfa) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 180a (TC) 10V 6mohm @ 50a, 10V 4v @ 250 ähm 185 NC @ 10 V. ± 20 V 10500 PF @ 25 V. - - - 480W (TC)
DPG60C400QB IXYS DPG60C400QB 6.5400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Ixys Hiperfred² ™ Rohr Aktiv K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 DPG60C400 Standard To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 400 V 30a 1,41 V @ 30 a 45 ns 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C.
IXTY1R6N50D2-TRL IXYS Ixty1r6n50d2-trl 3.0700
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Ixys Erschöpfung Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Ixty1 MOSFET (Metalloxid) To-252aa - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 500 V 1.6a (TJ) 0V 2,3OHM @ 800 mA, 0V 4,5 V @ 250 ähm 23.7 NC @ 5 V. ± 20 V 645 PF @ 25 V. - - - 100 W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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