SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Struktur Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Triactyp Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Anzahl der Scrs, Dioden IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce
VKM60-01P1 IXYS VKM60-01P1 66.2520
RFQ
ECAD 6337 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Kasten Nicht für Designs -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Öko-PAC2 VKM60 MOSFET (Metalloxid) 300W Öko-PAC2 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen VKM 60-01 P1 Ear99 8541.29.0095 25 4 N-Kanal (Halbe Brücke) 100V 75a 25mo @ 500 mA, 10V 4v @ 4ma 260nc @ 10v 4500PF @ 25V - - -
IXTA10P50P-TRL IXYS Ixta10p50p-trl 6.8800
RFQ
ECAD 2896 0.00000000 Ixys Polar Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta10 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 P-Kanal 500 V 10a (TC) 10V 1ohm @ 5a, 10V 4v @ 250 ähm 50 nc @ 10 v ± 20 V 2840 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
MMIX1T600N04T2 IXYS MMIX1T600N04T2 39.4400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Ixys FRFET®, Supremos® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 24-Powermd, 21 Hinweise MMIX1T600 MOSFET (Metalloxid) 24-smpd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 20 N-Kanal 40 v 600A (TC) 10V 1,3 MOHM @ 100A, 10V 3,5 V @ 250 ähm 590 NC @ 10 V ± 20 V 40000 PF @ 25 V. - - - 830 W (TC)
IXFK180N07 IXYS IXFK180N07 - - -
RFQ
ECAD 3320 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Ixfk180 MOSFET (Metalloxid) To-264aa (ixfk) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 70 V 180a (TC) 10V 6mohm @ 500 mA, 10V 4v @ 8ma 420 NC @ 10 V ± 20 V 9400 PF @ 25 V. - - - 568W (TC)
IXFX30N50Q IXYS IXFX30N50Q - - -
RFQ
ECAD 2778 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante Ixfx30 MOSFET (Metalloxid) Plus247 ™ -3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 30a (TC) 10V 160Mohm @ 15a, 10V 4,5 V @ 4ma 150 NC @ 10 V. ± 20 V 3950 PF @ 25 V. - - - 416W (TC)
IXFV26N60P IXYS Ixfv26n60p - - -
RFQ
ECAD 8220 0.00000000 Ixys Polarhv ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3, Kurze RegisterKarte Ixfv26 MOSFET (Metalloxid) Plus220 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 26a (TC) 10V 270 MOHM @ 500 mA, 10V 5v @ 4ma 72 NC @ 10 V ± 30 v 4150 PF @ 25 V. - - - 460W (TC)
IXFH70N65X3 IXYS IXFH70N65X3 14.4300
RFQ
ECAD 5656 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x3 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh70 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixfh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-IXFH70N65X3 Ear99 8541.29.0095 300 N-Kanal 650 V 70a (TC) 10V 44mohm @ 35a, 10V 5.2V @ 4MA 66 NC @ 10 V ± 20 V 4600 PF @ 25 V. - - - 780W (TC)
IXTQ120N20P IXYS IXTQ120N20P 12.1300
RFQ
ECAD 66 0.00000000 Ixys Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ120 MOSFET (Metalloxid) To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 200 v 120a (TC) 10V 22mohm @ 500 mA, 10V 5 V @ 250 ähm 152 NC @ 10 V ± 20 V 6000 PF @ 25 V. - - - 714W (TC)
MCC250-16IO1 IXYS MCC250-16IO1 - - -
RFQ
ECAD 7506 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Chassis -berg Y2-DCB MCC250 Serienverbindung - Alle SCRs Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.30.0080 2 150 Ma 1,6 kv 450 a 2 v 9000a, 9600a 150 Ma 287 a 2 SCRS
MMIX1T660N04T4 IXYS MMIX1T660N04T4 21.9840
RFQ
ECAD 8552 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 24-Powermd, 21 Hinweise MMIX1T660 MOSFET (Metalloxid) 24-smpd - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-MMIX1T660N04T4 Ear99 8541.29.0095 20 N-Kanal 40 v 660a (TC) 10V 0,85 MOHM @ 100A, 10 V. 4v @ 250 ähm 860 NC @ 10 V ± 15 V 44000 PF @ 25 V. - - - 830 W (TC)
IXFX170N20T IXYS Ixfx170n20t 13.2463
RFQ
ECAD 5389 0.00000000 Ixys HiPerfet ™, Graben Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante Ixfx170 MOSFET (Metalloxid) Plus247 ™ -3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 200 v 170a (TC) 10V 11MOHM @ 60A, 10V 5v @ 4ma 265 NC @ 10 V ± 20 V 19600 PF @ 25 V. - - - 1150W (TC)
IXGH28N90B IXYS Ixgh28n90b - - -
RFQ
ECAD 1974 0.00000000 Ixys Hiperfast ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixgh28 Standard 200 w To-247ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 720 V, 28a, 4,7ohm, 15 V. - - - 900 V 51 a 120 a 2,7 V @ 15V, 28a 1,2mj (AUS) 100 nc 30 ns/100 ns
IXTH10N100D2 IXYS Ixth10N100D2 17.5600
RFQ
ECAD 8270 0.00000000 Ixys Erschöpfung Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixth10 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1000 v 10a (TC) 10V 1,5OHM @ 5a, 10V - - - 200 NC @ 5 V. ± 20 V 5320 PF @ 25 V. Depletion -modus 695W (TC)
IXTP88N085T IXYS IXTP88N085T - - -
RFQ
ECAD 6250 0.00000000 Ixys Trenchmv ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixtp88 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 85 V 88a (TC) 10V 11mohm @ 25a, 10V 4 V @ 100 µA 69 NC @ 10 V ± 20 V 3140 PF @ 25 V. - - - 230W (TC)
VUO160-12NO7 IXYS VUO160-12NO7 69.0500
RFQ
ECAD 8994 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg PWS-e VUO160 Standard PWS-e Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5 1,1 V @ 60 a 200 µA @ 1200 V 175 a DRIPHASE 1,2 kv
IXA17IF1200HJ IXYS IXA17IF1200HJ 9.9800
RFQ
ECAD 3340 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixa17if1200 Standard 100 w Isoplus247 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 600 V, 15a, 56OHM, 15 V. 350 ns Pt 1200 V 28 a 2,1 V @ 15V, 15a 1,55MJ (EIN), 1,7mj (AUS) 47 NC - - -
VUO85-14NO7 IXYS Vuo85-14no7 - - -
RFQ
ECAD 4133 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Fo-ta Vuo85 Standard Fo-ta Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10 1,6 V @ 150 a 500 µA @ 1400 V 85 a DRIPHASE 1,4 kv
IXTF1N250 IXYS IXTF1N250 59.0700
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch I4 -PAC ™ -5 (3 Leads) Ixtf1 MOSFET (Metalloxid) Isoplus i4-pac ™ - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Q7319967a Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 2500 V 1a (TC) 10V 40ohm @ 500 mA, 10V 4v @ 250 ähm 41 nc @ 10 v ± 20 V 1660 PF @ 25 V. - - - 110W
IXTA110N055T IXYS IXTA110N055T - - -
RFQ
ECAD 2797 0.00000000 Ixys Trenchmv ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta110 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 110a (TC) 10V 7mohm @ 25a, 10V 4 V @ 100 µA 67 NC @ 10 V ± 20 V 3080 PF @ 25 V. - - - 230W (TC)
IXFX360N10T IXYS Ixfx360n10t 13.8500
RFQ
ECAD 7057 0.00000000 Ixys HiPerfet ™, Graben Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante Ixfx360 MOSFET (Metalloxid) Plus247 ™ -3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 100 v 360a (TC) 10V 2,9 MOHM @ 100A, 10V 5v @ 3ma 525 NC @ 10 V ± 20 V 33000 PF @ 25 V. - - - 1250W (TC)
IXFP4N85XM IXYS Ixfp4n85xm 3.3100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack Ixfp4n85 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 850 V 3,5a (TC) 10V 2,5OHM @ 2a, 10V 5,5 V @ 250 ähm 7 NC @ 10 V ± 30 v 247 PF @ 25 V. - - - 35W (TC)
IXTL2N470 IXYS IXTL2N470 114.3700
RFQ
ECAD 274 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Isoplusi5-Pak ™ Ixtl2 MOSFET (Metalloxid) Isoplusi5-Pak ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -Ixtl2N470 Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 4700 v 2a (TC) 10V 20ohm @ 1a, 10V 6 V @ 250 ähm 180 nc @ 10 v ± 20 V 6860 PF @ 25 V. - - - 220W (TC)
VUO80-12NO1 IXYS Vuo80-12no1 32.3467
RFQ
ECAD 9620 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg V1-a Vuo80 Standard V1-a Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 24 1,14 V @ 30 a 40 µa @ 1200 V 82 a DRIPHASE 1,2 kv
HTZ130B33K IXYS HTZ130B33K - - -
RFQ
ECAD 8986 0.00000000 Ixys HTZ130B Kasten Veraltet Chassis -berg Modul HTZ130 Standard Modul Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 33000 v 1a 24 V @ 2 a 500 µA @ 33000 V
MWI50-12T7T IXYS MWI50-12T7T - - -
RFQ
ECAD 5823 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg E2 MWI50 270 w Standard E2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 6 Drei -Phase -wechselrichter Graben 1200 V 80 a 2,15 V @ 15V, 50a 4 ma Ja 3,5 NF @ 25 V.
MUBW75-12T8 IXYS MUBW75-12T8 - - -
RFQ
ECAD 3386 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg E3 MUBW75 355 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER E3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse Graben 1200 V 110 a 2,15 V @ 15V, 75A 4 ma Ja 5.35 NF @ 25 V.
IXGT45N120 IXYS Ixgt45n120 - - -
RFQ
ECAD 6451 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixgt45 Standard 300 w To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 960 V, 45A, 5OHM, 15 V. - - - 1200 V 75 a 180 a 2,5 V @ 15V, 45a 14MJ (AUS) 170 nc 55ns/370ns
QV6016NH5TP IXYS Qv6016nh5tp 3.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Ixys Qvxx16xhx Rohr Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Qv6016 To-263 (D2pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-QV6016NH5TP Ear99 8541.30.0080 1.000 Einzel 60 mA Alternistor - Schubberlos 600 V 16 a 1,3 v 167a, 200a 50 ma
IXFK30N100Q2 IXYS IXFK30N100Q2 - - -
RFQ
ECAD 4061 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Q2 -Klasse Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Ixfk30 MOSFET (Metalloxid) To-264aa (ixfk) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 1000 v 30a (TC) 10V 400mohm @ 15a, 10V 5v @ 8ma 186 NC @ 10 V. ± 30 v 8200 PF @ 25 V. - - - 735W (TC)
MWI150-06A8T IXYS MWI150-06A8T - - -
RFQ
ECAD 2921 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv - - - Chassis -berg E3 MWI150 515 w Standard E3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5 Drei -Phase -wechselrichter Npt 600 V 170 a 2,5 V @ 15V, 150a 1,5 Ma NEIN 6,5 NF @ 25 V.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus