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Diskette HalblerProdukte (6315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Struktur Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Spannung - Im Zustand (VTM) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) Aktuell - Aus dem Zustand (max) SCR -Typ Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Anzahl der Scrs, Dioden IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce
IXFM15N60 IXYS Ixfm15n60 - - -
RFQ
 ECAD 4032 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204ae Ixfm15 MOSFET (Metalloxid) To-204ae Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 20 N-Kanal 600 V 15a (TC) 10V 500MOHM @ 7.5A, 10V 4,5 V @ 4ma 170 nc @ 10 v ± 20 V 4500 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IXFH15N80Q IXYS Ixfh15n80q 12.8787
RFQ
 ECAD 3437 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, q -Klasse Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh15 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 800 V 15a (TC) 10V 600MOHM @ 7.5A, 10V 4,5 V @ 4ma 90 nc @ 10 v ± 20 V 4300 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IXTA36P15P IXYS Ixta36p15p 6.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Ixys Polarp ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta36 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 P-Kanal 150 v 36a (TC) 10V 110Mohm @ 18a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 55 NC @ 10 V ± 20 V 3100 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
N2900QL020 IXYS N2900QL020 - - -
RFQ
 ECAD 2362 0.00000000 Ixys - - - Kasten Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 150 ° C. Chassis -berg To-200ab, b-puk N2900 WP6 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-N2900QL020 Ear99 8541.30.0080 12 1 a 200 v 5520 a 3 v 30800a @ 50Hz 300 ma 1,47 v 2900 a 100 ma Standardwiederherherster
IXTP12N70X2 IXYS IXTP12N70X2 4.3970
RFQ
 ECAD 3176 0.00000000 Ixys Ultra x2 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IXTP12 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-IXTP12N70X2 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 700 V 12a (TC) 10V 300mohm @ 6a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 19 NC @ 10 V ± 30 v 960 PF @ 25 V. - - - 180W (TC)
HTZ180D26K IXYS HTZ180D26K - - -
RFQ
 ECAD 3660 0.00000000 Ixys HTZ180D Kasten Aktiv Chassis -berg Modul HTZ180 Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 26000 v 1.3a 22 V @ 2 a 500 µA @ 26000 V
IXFP12N50P IXYS Ixfp12n50p 4.1800
RFQ
 ECAD 7539 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixfp12 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -IXFP12N50P Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 500 V 12a (TC) 10V 500mohm @ 6a, 10V 5,5 V @ 1ma 29 NC @ 10 V ± 30 v 1830 PF @ 25 V. - - - 200W (TC)
IXFK120N20P IXYS Ixfk120n20p 13.4900
RFQ
 ECAD 4550 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Kasten Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa IXFK120 MOSFET (Metalloxid) To-264aa (ixfk) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 200 v 120a (TC) 10V 22mohm @ 500 mA, 10V 5v @ 4ma 152 NC @ 10 V ± 20 V 6000 PF @ 25 V. - - - 714W (TC)
K2325TJ650 IXYS K2325TJ650 - - -
RFQ
 ECAD 7315 0.00000000 Ixys - - - Kasten Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 125 ° C. Chassis -berg To-200af K2325 W81 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-K2325TJ650 Ear99 8541.30.0080 6 1 a 6,5 kv 4625 a 3 v 36300a @ 50Hz 300 ma 4.2 V 2380 a 200 ma Standardwiederherherster
DSEC16-06AC IXYS DSEC16-06AC 6.2068
RFQ
 ECAD 1710 0.00000000 Ixys Hiperfred ™ Rohr Aktiv K. Loch Isoplus220 ™ DSEC16 Standard Isoplus220 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 600 V 10a 2,1 V @ 10 a 35 ns 60 µa @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C.
IXFX26N60Q IXYS Ixfx26n60q - - -
RFQ
 ECAD 4634 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Kasten Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante Ixfx26 MOSFET (Metalloxid) Plus247 ™ -3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 26a (TC) 10V 250 MOHM @ 13A, 10V 4,5 V @ 4ma 200 nc @ 10 v ± 20 V 5100 PF @ 25 V. - - - 360W (TC)
DGS17-030CS IXYS DGS17-030CS - - -
RFQ
 ECAD 1519 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DGS17 Schottky To-252aa - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 150 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 300 V 1,9 V @ 7,5 a 23 ns 250 µa @ 300 V -55 ° C ~ 175 ° C. 29a - - -
DSEI30-06A IXYS DSEI30-06A 5.3500
RFQ
 ECAD 5512 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 DSEI30 Standard To-247ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,6 V @ 37 a 50 ns 100 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C. 37a - - -
MCMA160P1600YA IXYS MCMA160P1600YA 77.2600
RFQ
 ECAD 8437 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Chassis -berg Modul Serienverbindung - Alle SCRs - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-MCMA160P1600YA Ear99 8541.30.0080 3 200 ma 1,6 kv 250 a 2,5 v 4750a, 5130a 150 Ma 160 a 2 SCRS
IXGH72N60C3 IXYS Ixgh72n60c3 - - -
RFQ
 ECAD 6799 0.00000000 Ixys Genx3 ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixgh72 Standard 540 w To-247ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 480 V, 50A, 2OHM, 15 V. Pt 600 V 75 a 360 a 2,5 V @ 15V, 50A 1,03MJ (EIN), 480 µJ (AUS) 174 NC 27ns/77ns
IXTN46N50L IXYS IXTN46N50L 59.1600
RFQ
 ECAD 8444 0.00000000 Ixys Linear Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixtn46 MOSFET (Metalloxid) SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 500 V 46a (TC) 20V 160 MOHM @ 500 mA, 20V 6 V @ 250 ähm 260 NC @ 15 V ± 30 v 7000 PF @ 25 V. - - - 700W (TC)
IXKC20N60C IXYS Ixkc20n60c 10.7998
RFQ
 ECAD 3718 0.00000000 Ixys Coolmos ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Isoplus220 ™ Ixkc20 MOSFET (Metalloxid) Isoplus220 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 15a (TC) 10V 190mohm @ 16a, 10V 3,9 V @ 1ma 114 NC @ 10 V ± 20 V 2400 PF @ 25 V. - - - - - -
MCO500-18IO1 IXYS MCO500-18IO1 187.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Chassis -berg Y1-Cu MCO500 Einzel Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MCO50018IO1 Ear99 8541.30.0080 2 300 ma 1,8 kv 880 a 2 v 17000a, 16000a 300 ma 560 a 1 scr
DGSK40-025AS IXYS DGSK40-025As - - -
RFQ
 ECAD 4566 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab DGSK40 Schottky To-263aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 250 V 18a 1,5 V @ 7,5 a 2 ma @ 250 v -55 ° C ~ 175 ° C.
IXTP48N20TM IXYS IXTP48N20TM 3.0954
RFQ
 ECAD 8960 0.00000000 Ixys Graben Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte IXTP48 MOSFET (Metalloxid) To-220 Isolierte RegisterKarte - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-IXTP48N20TM Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 200 v 48a (TC) 10V 50mohm @ 24a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 60 nc @ 10 v ± 30 v 3090 PF @ 25 V. - - - 250 W (TC)
MDD220-16N1 IXYS MDD220-16N1 - - -
RFQ
 ECAD 8672 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv Chassis -berg Y2-DCB MDD220 Standard Y2-DCB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1600 v 270a 1,4 V @ 600 a 40 mA @ 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C.
DPF10I600APA IXYS DPF10I600APA 1.7046
RFQ
 ECAD 2100 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv - - - - - - DPF10 - - - - - - - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-DPF10I600APA 50 - - - - - - - - - - - -
DH60-18A IXYS Dh60-18a 12.2300
RFQ
 ECAD 9193 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 Dh60 Standard To-247ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Dh6018a Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1800 v 2.04 V @ 60 a 230 ns 200 µA @ 1800 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 60a 32pf @ 1200V, 1 MHz
IXFV30N60PS IXYS IXFV30N60PS - - -
RFQ
 ECAD 8631 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polarht ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Plus-220Smd Ixfv30 MOSFET (Metalloxid) Plus-220Smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 30a (TC) 10V 240mohm @ 15a, 10V 5v @ 4ma 82 NC @ 10 V ± 30 v 4000 PF @ 25 V. - - - 500W (TC)
DSSK70-008AR IXYS DSSK70-008ar - - -
RFQ
 ECAD 9952 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet K. Loch To-247-3 DSSK70 Schottky Isoplus247 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DSSK70008ar Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 80 v 35a 760 mv @ 35 a 4 ma @ 80 v -55 ° C ~ 175 ° C.
IXTP90N055T IXYS IXTP90N055T - - -
RFQ
 ECAD 3608 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixtp90 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 90a (TC) 10V 8.8mohm @ 25a, 10V 4 V @ 50 µA 61 NC @ 10 V ± 20 V 2500 PF @ 25 V - - - 176W (TC)
MEK95-06DA IXYS Mek95-06da 32.8900
RFQ
 ECAD 297 0.00000000 Ixys - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg To-240aa Mek95 Standard To-240aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 36 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 600 V 95a 1,55 V @ 100 a 300 ns 2 ma @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C.
VKI50-06P1 IXYS VKI50-06P1 - - -
RFQ
 ECAD 9988 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Öko-PAC2 VKI50 130 w Standard Öko-PAC2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 Vollbrückke Wechselrichter Npt 600 V 42,5 a 2,9 V @ 15V, 50a 600 µA Ja 16 NF @ 25 V
IXFK120N25P IXYS Ixfk120n25p 14.4900
RFQ
 ECAD 3478 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa IXFK120 MOSFET (Metalloxid) To-264aa (ixfk) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 250 V 120a (TC) 10V 24MOHM @ 60A, 10V 5v @ 4ma 185 NC @ 10 V. ± 20 V 8000 PF @ 25 V. - - - 700W (TC)
IXTH98N20T IXYS Ixth98n20t - - -
RFQ
 ECAD 1874 0.00000000 Ixys Graben Rohr Aktiv - - - K. Loch To-247-3 Ixth98 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 200 v 98a (TC) - - - - - - - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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