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Diskette HalblerProdukte (6315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Struktur LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Spannung - Im Zustand (VTM) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) Aktuell - Aus dem Zustand (max) SCR -Typ Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Anzahl der Scrs, Dioden
CS23-08IO2 IXYS CS23-08IO2 - - -
RFQ
 ECAD 1884 0.00000000 Ixys - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Chassis, Stollenberg To-208aa, to-48-3, Stud CS23 To-208aa (bis 48) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 10 100 ma 800 V 50 a 2,5 v 450a, 480a 50 ma 1,8 v 32 a 3 ma Standardwiederherherster
MCC170-16IO1 IXYS MCC170-16IO1 - - -
RFQ
 ECAD 2626 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) Chassis -berg Y1-Cu MCC170 Serienverbindung - Alle SCRs Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 4 150 Ma 1,6 kv 350 a 2 v 5400a, 5800a 150 Ma 203 a 2 SCRS
MCD162-08IO1 IXYS MCD162-08IO1 59.2400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Y4-M6 MCD162 Serienverbindung - SCR/Diode Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MCD16208IO1 Ear99 8541.30.0080 6 200 ma 800 V 300 a 2,5 v 6000a, 6400a 150 Ma 190 a 1 SCR, 1 Diode
MCO500-18IO1 IXYS MCO500-18IO1 187.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Chassis -berg Y1-Cu MCO500 Einzel Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MCO50018IO1 Ear99 8541.30.0080 2 300 ma 1,8 kv 880 a 2 v 17000a, 16000a 300 ma 560 a 1 scr
DSB1I40SA IXYS DSB1I40SA - - -
RFQ
 ECAD 2386 0.00000000 Ixys - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA DSB1I40 Schottky Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 7.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 480 mv @ 1 a 100 µa @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a - - -
IXTP42N15T IXYS IXTP42N15T 2.6752
RFQ
 ECAD 7740 0.00000000 Ixys Graben Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IXTP42 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 150 v 42a (TC) 10V 45mohm @ 500 mA, 10V 4,5 V @ 250 ähm 21 NC @ 10 V ± 30 v 1880 PF @ 25 V. - - - 200W (TC)
CS20-14IO1 IXYS CS20-14IO1 6.4000
RFQ
 ECAD 289 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. K. Loch To-247-3 CS20 To-247ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 30 100 ma 1,4 kv 30 a 1 v 200a, 215a 65 Ma 2.1 V 19 a 2 Ma Standardwiederherherster
MCC224-22IO1 IXYS MCC224-22IO1 249.4633
RFQ
 ECAD 1856 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Chassis -berg Y1-Cu MCC224 Serienverbindung - Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 3 200 ma 2,2 kv 400 a 2 v 8000a, 8500a 150 Ma 240 a 2 SCRS
IXTH5N100A IXYS Ixth5n100a - - -
RFQ
 ECAD 4446 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixth5 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1000 v 5a (TC) 10V 2OHM @ 2,5a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 130 nc @ 10 v ± 20 V 2600 PF @ 25 V. - - - 180W (TC)
IXTP76P10T IXYS IXTP76P10T 6.3300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Ixys Trenchp ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixtp76 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 621165 Ear99 8541.29.0095 50 P-Kanal 100 v 76a (TC) 10V 25mohm @ 38a, 10V 4v @ 250 ähm 197 NC @ 10 V ± 15 V 13700 PF @ 25 V. - - - 298W (TC)
DSA2-18A IXYS DSA2-18A - - -
RFQ
 ECAD 8312 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet K. Loch Axial DSA2 Lawine Axial Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1800 v 1,25 V @ 7 a 2 ma @ 1800 v -40 ° C ~ 180 ° C. 3.6a - - -
MCD56-12IO8B IXYS MCD56-12IO8B 29.4100
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg To-240aa MCD56 Serienverbindung - SCR/Diode Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1,2 kv 100 a 1,5 v 1500a, 1600a 100 ma 64 a 1 SCR, 1 Diode
IXFX32N80P IXYS Ixfx32n80p 12.3825
RFQ
 ECAD 5094 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante Ixfx32 MOSFET (Metalloxid) Plus247 ™ -3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 800 V 32a (TC) 10V 270Mohm @ 16a, 10V 5v @ 8ma 150 NC @ 10 V. ± 30 v 8800 PF @ 25 V. - - - 830 W (TC)
IXTN400N15X4 IXYS IXTN400N15X4 49.5300
RFQ
 ECAD 1065 0.00000000 Ixys Ultra X4 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixtn400 MOSFET (Metalloxid) SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 150 v 400A (TC) 10V 2,7 MOHM @ 100A, 10V 4,5 V @ 1ma 430 NC @ 10 V. ± 20 V 14500 PF @ 25 V. - - - 1070W (TC)
IXFK24N80P IXYS Ixfk24n80p 9.0142
RFQ
 ECAD 3371 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Ixfk24 MOSFET (Metalloxid) To-264aa (ixfk) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 800 V 24a (TC) 10V 400mohm @ 12a, 10V 5v @ 4ma 105 NC @ 10 V ± 30 v 7200 PF @ 25 V. - - - 650W (TC)
VHF55-14IO7 IXYS VHF55-14IO7 - - -
RFQ
 ECAD 2360 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Fo-ta VHF55 Brücke, Einphase - SCRS/DIODEN (Layout 1) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 10 200 ma 1,4 kv 1,5 v 550a, 600A 100 ma 53 a 2 SCRS, 2 DIODEN
IXFH10N90 IXYS Ixfh10n90 - - -
RFQ
 ECAD 4630 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh10 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ixfh10n90-ndr Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 900 V 10a (TC) 10V 1,1ohm @ 5a, 10V 4,5 V @ 4ma 155 NC @ 10 V ± 20 V 4200 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IXKU5-505MINIPACK2 IXYS Ixku5-505minipack2 - - -
RFQ
 ECAD 3061 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet Ixku5-505 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
MCD44-18IO8B IXYS MCD44-18IO8B 28.6997
RFQ
 ECAD 2406 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg To-240aa MCD44 Serienverbindung - SCR/Diode Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1,8 kv 80 a 1,5 v 1150a, 1230a 100 ma 51 a 1 SCR, 1 Diode
VWO36-14IO7 IXYS VWO36-14IO7 - - -
RFQ
 ECAD 3709 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Modul VWO36 3 -Phasen -Controller -Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 10 100 ma 1,4 kv 28 a 1 v 320a, 350a 65 Ma 18 a 6 Scrs
IXFH32N100X IXYS IXFH32N100X 22.4300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh32 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1000 v 32a (TC) 10V 220mohm @ 16a, 10V 6v @ 4ma 130 nc @ 10 v ± 30 v 4075 PF @ 25 V. - - - 890W (TC)
IXFH26N50 IXYS IXFH26N50 8.5883
RFQ
 ECAD 4838 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh26 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen IXFH26N50-NDR Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 26a (TC) 10V 200mohm @ 13a, 10V 4v @ 4ma 160 nc @ 10 v ± 20 V 4200 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IXFJ80N25X3 IXYS Ixfj80n25x3 13.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x3 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfj80 MOSFET (Metalloxid) ISO to-247-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -IXFJ80N25X3 Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 250 V 44a (TC) 10V 18mohm @ 40a, 10V 4,5 V @ 1,5 mA 83 NC @ 10 V ± 20 V 5430 PF @ 25 V. - - - 104W (TC)
IXFT58N20Q IXYS Ixft58n20q - - -
RFQ
 ECAD 6862 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixft58 MOSFET (Metalloxid) To-268aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ixft58n20q-ndr Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 200 v 58a (TC) 10V 40mohm @ 29a, 10V 4v @ 4ma 140 nc @ 10 v ± 20 V 3600 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
MCO75-12IO1 IXYS MCO75-12IO1 28.8230
RFQ
 ECAD 5860 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MCO75 Einzel Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 10 200 ma 1,2 kv 121 a 1,5 v 1070a, 1150a 100 ma 77 a 1 scr
IXTA200N075T7 IXYS IXTA200N075T7 - - -
RFQ
 ECAD 2236 0.00000000 Ixys Trenchmv ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) Ixta200 MOSFET (Metalloxid) To-263-7 (ixta) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 75 V 200a (TC) 10V 5mohm @ 25a, 10V 4v @ 250 ähm 160 nc @ 10 v ± 20 V 6800 PF @ 25 V. - - - 430W (TC)
IXTP70N075T2 IXYS IXTP70N075T2 2.7700
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixtp70 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 75 V 70a (TC) 10V 12mohm @ 25a, 10V 4v @ 250 ähm 46 NC @ 10 V ± 20 V 2725 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
VKF55-08IO7 IXYS VKF55-08IO7 - - -
RFQ
 ECAD 9226 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Fo-ta VKF55 Brücke, Einphase - Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 10 200 ma 800 V 1,5 v 550a, 600A 100 ma 53 a 4 SCRS
IXTK400N15X4 IXYS IXTK400N15X4 59.8300
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 Ixys Ultra X4 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa IXTK400 MOSFET (Metalloxid) To-264 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -1402-IXTK400N15X4 Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 150 v 400A (TC) 10V 3,1 MOHM @ 100A, 10V 4,5 V @ 1ma 430 NC @ 10 V. ± 20 V 14500 PF @ 25 V. - - - 1500W (TC)
MCD700-12IO1W IXYS MCD700-12IO1W - - -
RFQ
 ECAD 8960 0.00000000 Ixys - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg WC-500 MCD700 Serienverbindung - SCR/Diode Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 1 1,2 kv 1331 a 18200 @ 50MHz 700 a 1 SCR, 1 Diode
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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