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Diskette HalblerProdukte (6315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Struktur LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Spannung - Im Zustand (VTM) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) SCR -Typ Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Anzahl der Scrs, Dioden IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C
MCC500-12IO1 IXYS MCC500-12IO1 - - -
RFQ
 ECAD 4977 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg WC-500 MCC500 Serienverbindung - Alle SCRs Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 1 1 a 1,2 kv 1294 a 3 v 16500a @ 50Hz 300 ma 545 a 2 SCRS
DSSK16-01A IXYS DSSK16-01A - - -
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 Ixys - - - Rohr Abgebrochen bei Sic K. Loch To-220-3 DSSK16 Schottky To-220-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 8a 810 mv @ 8 a 300 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 175 ° C.
IXTY02N120P IXYS Ixty02n120p 2.4400
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Ixys Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Ixty02 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 70 N-Kanal 1200 V 200 Ma (TC) 10V 75OHM @ 500 mA, 10V 4 V @ 100 µA 4,7 NC @ 10 V. ± 20 V 104 PF @ 25 V. - - - 33W (TC)
MCD700-20IO1W IXYS MCD700-20IO1W - - -
RFQ
 ECAD 9663 0.00000000 Ixys - - - Tablett Veraltet - - - Chassis -berg WC-500 MCD700 Serienverbindung - SCR/Diode - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 1 2 kv 1331 a 18200 @ 50MHz 700 a 1 SCR, 1 Diode
IXFN90N30 IXYS Ixfn90n30 - - -
RFQ
 ECAD 5851 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixfn90 MOSFET (Metalloxid) SOT-227B Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 300 V 90a (TC) 10V 33mohm @ 45a, 10V 4v @ 8ma 360 nc @ 10 v ± 20 V 10000 PF @ 25 V. - - - 560W (TC)
DSEP29-12A IXYS DSEP29-12a 4.5000
RFQ
 ECAD 927 0.00000000 Ixys Hiperfred ™ Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 DSEP29 Standard To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DSEP2912A Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1200 V 2.75 V @ 30 a 40 ns 250 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 30a - - -
IXTC250N075T IXYS IXTC250N075T - - -
RFQ
 ECAD 8475 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Isoplus220 ™ IXTC250 MOSFET (Metalloxid) Isoplus220 ™ Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 75 V 128a (TC) 10V 4.4mohm @ 25a, 10V 4v @ 250 ähm 200 nc @ 10 v ± 20 V 9900 PF @ 25 V. - - - 160W (TC)
IXA4IF1200UC-TRL IXYS Ixa4if1200uc-trl 1.5525
RFQ
 ECAD 7009 0.00000000 Ixys - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Ixa4if1200 Standard 45 w To-252aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 600 V, 3a, 330 Ohm, 15 V 350 ns Pt 1200 V 9 a 2,1 V @ 15V, 3a 400 µJ (EIN), 300 µJ (AUS) 12 NC - - -
MCC312-12IO1 IXYS MCC312-12IO1 171.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Chassis -berg Y1-Cu MCC312 Serienverbindung - Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -MCC312-12IO1 Ear99 8541.30.0080 3 150 Ma 1,2 kv 520 a 2 v 9200a, 10100a 150 Ma 320 a 2 SCRS
IXFH76N07-12 IXYS IXFH76N07-12 7.9857
RFQ
 ECAD 2866 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh76 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 70 V 76a (TC) 10V 12mohm @ 40a, 10V 3,4 V @ 4MA 240 nc @ 10 v ± 20 V 4400 PF @ 25 V. - - - 360W (TC)
HTZ250G39K IXYS HTZ250G39K - - -
RFQ
 ECAD 7676 0.00000000 Ixys HTZ250G Kasten Aktiv Chassis -berg Modul HTZ250 Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 39200 v 2.7a 32 V @ 12 a 500 µA @ 39200 V.
IXFK110N07 IXYS IXFK110N07 11.5580
RFQ
 ECAD 5915 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Ixfk110 MOSFET (Metalloxid) To-264aa (ixfk) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen IXFK110N07-NDR Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 70 V 110a (TC) 10V 6mohm @ 55a, 10V 4v @ 8ma 480 nc @ 10 v ± 20 V 9000 PF @ 25 V. - - - 500W (TC)
IXTP74N15T IXYS IXTP74N15T - - -
RFQ
 ECAD 3849 0.00000000 Ixys Graben Rohr Aktiv - - - K. Loch To-220-3 Ixtp74 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 150 v 74a (TC) - - - - - - - - - - - -
IXTA3N50P IXYS Ixta3n50p - - -
RFQ
 ECAD 3883 0.00000000 Ixys Polarhv ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta3 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 500 V 3.6a (TC) 10V 2OHM @ 1,8a, 10V 5,5 V @ 50 µA 9.3 NC @ 10 V ± 30 v 409 PF @ 25 V. - - - 70W (TC)
MEK150-04DA IXYS Mek150-04da 45.1500
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Ixys - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg To-240aa Mek150 Standard To-240aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 36 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 400 V 150a 1,6 V @ 300 a 2 ma @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C.
IXTY01N100D IXYS Ixty01n100d 3.3100
RFQ
 ECAD 2698 0.00000000 Ixys Erschöpfung Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Ixty01 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 70 N-Kanal 1000 v 400 mA (TC) 0V 80OHM @ 50 Ma, 0V 4,5 V @ 25 ähm 5,8 NC @ 5 V. ± 20 V 100 PF @ 25 V. Depletion -modus 1.1W (TA), 25W (TC)
MCC19-14IO8B IXYS MCC19-14io8b 23.0422
RFQ
 ECAD 1851 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg To-240aa MCC19 Serienverbindung - Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1,4 kv 40 a 1,5 v 400a, 420a 100 ma 25 a 2 SCRS
CMA50E1600HB IXYS CMA50E1600HB 6.4400
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 Ixys CMA50E1600HB Rohr Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 CMA50 To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-CMA50E1600HB Ear99 8541.30.0080 30 100 ma 1,6 kv 79 a 1,5 v 550a, 595a 50 ma 1,3 v 50 a Standardwiederherherster
IXFX64N50P IXYS Ixfx64n50p 18.4800
RFQ
 ECAD 9992 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante Ixfx64 MOSFET (Metalloxid) Plus247 ™ -3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -IXFX64N50P Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 64a (TC) 10V 85mohm @ 32a, 10V 5,5 V @ 8ma 150 NC @ 10 V. ± 30 v 8700 PF @ 25 V. - - - 830 W (TC)
MCD26-08IO8B IXYS MCD26-08IO8B 24.9200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg To-240aa MCD26 Serienverbindung - SCR/Diode Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -MCD26-08IO8B Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 800 V 50 a 1,5 v 520a, 560a 100 ma 32 a 1 SCR, 1 Diode
DSSK70-008AR IXYS DSSK70-008ar - - -
RFQ
 ECAD 9952 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet K. Loch To-247-3 DSSK70 Schottky Isoplus247 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DSSK70008ar Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 80 v 35a 760 mv @ 35 a 4 ma @ 80 v -55 ° C ~ 175 ° C.
IXTP24N15T IXYS IXTP24N15T - - -
RFQ
 ECAD 6310 0.00000000 Ixys Graben Rohr Aktiv - - - K. Loch To-220-3 IXTP24 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 150 v 24a (TC) - - - - - - - - - - - -
IXFC40N30Q IXYS IXFC40N30Q - - -
RFQ
 ECAD 5021 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet - - - K. Loch Isoplus220 ™ IXFC40N30 MOSFET (Metalloxid) Isoplus220 ™ - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 300 V - - - - - - - - - - - - - - -
VWO60-14IO7 IXYS VWO60-14IO7 - - -
RFQ
 ECAD 6981 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Modul VWO60 3 -Phasen -Controller -Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 10 200 ma 1,4 kv 43 a 1,5 v 550a, 600A 100 ma 27 a 6 Scrs
DSB1I40SA IXYS DSB1I40SA - - -
RFQ
 ECAD 2386 0.00000000 Ixys - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA DSB1I40 Schottky Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 7.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 480 mv @ 1 a 100 µa @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a - - -
DSEI2X161-06P IXYS DSEI2X161-06P 44.6308
RFQ
 ECAD 3571 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv Chassis -berg Öko-PAC2 DSEI2X161 Standard Öko-PAC2 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 600 V 147a 1,45 V @ 200 a 35 ns 12 mA @ 600 V
MCO500-18IO1 IXYS MCO500-18IO1 187.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Chassis -berg Y1-Cu MCO500 Einzel Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MCO50018IO1 Ear99 8541.30.0080 2 300 ma 1,8 kv 880 a 2 v 17000a, 16000a 300 ma 560 a 1 scr
IXTP180N10T IXYS IXTP180N10T 6.6200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Ixys Graben Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IXTP180 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 180a (TC) 10V 6.4mohm @ 25a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 151 NC @ 10 V ± 30 v 6900 PF @ 25 V. - - - 480W (TC)
IXLF19N250A IXYS Ixlf19n250a 53.4800
RFQ
 ECAD 2076 0.00000000 Ixys - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch I4 -PAC ™ -5 (3 Leads) Ixlf19 Standard 250 w Isoplus i4-pac ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 1500V, 19a, 47Ohm, 15 V. Npt 2500 V 32 a 3,9 V @ 15V, 19a 15MJ (EIN), 30MJ (AUS) 142 NC - - -
IXTA220N075T IXYS IXTA220N075T - - -
RFQ
 ECAD 7694 0.00000000 Ixys Trenchmv ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IXTA220 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 75 V 220a (TC) 10V 4,5 MOHM @ 25a, 10V 4v @ 250 ähm 165 NC @ 10 V. ± 20 V 7700 PF @ 25 V. - - - 480W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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    Weltweite Hersteller

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