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Diskette HalblerProdukte (6315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Struktur LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) SCR -Typ Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Anzahl der Scrs, Dioden IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max)
MCD44-08IO1B IXYS MCD44-08IO1B - - -
RFQ
 ECAD 3539 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg To-240aa MCD44 Serienverbindung - SCR/Diode Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 800 V 80 a 1,5 v 1150a, 1230a 100 ma 51 a 1 SCR, 1 Diode
W3477MC400 IXYS W3477MC400 - - -
RFQ
 ECAD 6568 0.00000000 Ixys - - - Kasten Abgebrochen bei Sic Klemmen Do-200AC, K-Puk W3477 Standard W54 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-W3477MC400 Ear99 8541.10.0080 12 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 4000 v 1,34 V @ 3000 a 38 µs 100 mA @ 4000 V -40 ° C ~ 160 ° C. 3470a - - -
MDNA360UB2200P-PC IXYS MDNA360UB2200P-PC 204.8025
RFQ
 ECAD 6319 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv - - - - - - - - - MDNA360 - - - - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-mDNA360UB2200P-PC Ear99 8541.30.0080 28 - - - - - -
IXFK180N085 IXYS IXFK180N085 - - -
RFQ
 ECAD 1216 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Ixfk180 MOSFET (Metalloxid) To-264aa (ixfk) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 85 V 180a (TC) 10V 7mohm @ 500 mA, 10V 4v @ 8ma 320 NC @ 10 V ± 20 V 9100 PF @ 25 V. - - - 560W (TC)
IXTT4N150HV-TRL IXYS IXTT4N150HV-trl 29.9225
RFQ
 ECAD 1834 0.00000000 Ixys - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixtt4 MOSFET (Metalloxid) To-268HV (ixtt) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 238-IXTT4N150HV-Trltr Ear99 8541.29.0095 400 N-Kanal 1500 V 4a (TC) 10V 6ohm @ 2a, 10V 5 V @ 250 ähm 44,5 NC @ 10 V. ± 30 v 1576 PF @ 25 V. - - - 280W (TC)
IXTY24N15T IXYS Ixty24n15t - - -
RFQ
 ECAD 9676 0.00000000 Ixys Graben Rohr Aktiv - - - Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Ixty24 MOSFET (Metalloxid) To-252aa - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 150 v 24a (TC) - - - - - - - - - - - -
DH60-18A IXYS Dh60-18a 12.2300
RFQ
 ECAD 9193 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 Dh60 Standard To-247ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Dh6018a Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1800 v 2.04 V @ 60 a 230 ns 200 µA @ 1800 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 60a 32pf @ 1200V, 1 MHz
MCD132-12IO1 IXYS MCD132-12IO1 60.2367
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Y4 MCD132 Serienverbindung - SCR/Diode Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 6 200 ma 1,2 kv 300 a 2,5 v 4750a, 5080a 150 Ma 130 a 1 SCR, 1 Diode
IXFN48N55 IXYS Ixfn48n55 - - -
RFQ
 ECAD 1882 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixfn48 MOSFET (Metalloxid) SOT-227B Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 550 V 48a (TC) 10V 110 MOHM @ 500 mA, 10V 4,5 V @ 8ma 330 NC @ 10 V ± 20 V 8900 PF @ 25 V. - - - 600W (TC)
N6405EA240 IXYS N6405ea240 - - -
RFQ
 ECAD 8897 0.00000000 Ixys - - - Kasten Abgebrochen bei Sic - - - Chassis -berg To-200af N6405 W107 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-N6405ea240 Ear99 8541.30.0080 6 2,4 kv 80000a @ 50 Hz 6405 a Standardwiederherherster
DH2X61-18A IXYS DH2X61-18A 37.7600
RFQ
 ECAD 8980 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc DH2X61 Standard SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DH2X6118A Ear99 8541.10.0080 10 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 1800 v 60a 2.01 V @ 60 a 230 ns 200 µA @ 1800 V. -40 ° C ~ 150 ° C.
IXFP8N65X2M IXYS Ixfp8n65x2m - - -
RFQ
 ECAD 4338 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x2 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte Ixfp8n65 MOSFET (Metalloxid) To-220 Isolierte RegisterKarte - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 8a (TC) 10V 450Mohm @ 4a, 10V 5 V @ 250 ähm 11 NC @ 10 V ± 30 v 790 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
DSB60C45PB IXYS DSB60C45PB - - -
RFQ
 ECAD 8797 0.00000000 Ixys - - - Rohr Abgebrochen bei Sic K. Loch To-220-3 DSB60C45 Schottky To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 30a 630 mv @ 30 a 10 mA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C.
IXTA02N250 IXYS IXTA02N250 - - -
RFQ
 ECAD 5967 0.00000000 Ixys - - - Rohr Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta02 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 2500 V 200 Ma (TC) 10V 450ohm @ 50 mA, 10V 4,5 V @ 250 ähm 7.4 NC @ 10 V ± 20 V 116 PF @ 25 V - - - 83W (TC)
DSSK70-008A IXYS DSSK70-008a - - -
RFQ
 ECAD 3316 0.00000000 Ixys - - - Rohr Abgebrochen bei Sic K. Loch To-247-3 DSSK70 Schottky To-247ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen DSSK70008a Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 80 v 35a 770 mv @ 35 a 4 ma @ 80 v -55 ° C ~ 175 ° C.
IXFT150N30X3HV IXYS Ixft150n30x3hv 21.4200
RFQ
 ECAD 1844 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x3 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixft150 MOSFET (Metalloxid) To-268HV (ixft) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 300 V 150a (TC) 10V 8.3mohm @ 75a, 10V 4,5 V @ 4ma 254 NC @ 10 V ± 20 V 13100 PF @ 25 V. - - - 890W (TC)
MCC312-14IO1 IXYS MCC312-14io1 180.0800
RFQ
 ECAD 8630 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Chassis -berg Y1-Cu MCC312 Serienverbindung - Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 3 150 Ma 1,4 kv 520 a 2 v 9200a, 10100a 150 Ma 320 a 2 SCRS
IXTQ96N25T IXYS IXTQ96N25T 5.8970
RFQ
 ECAD 4048 0.00000000 Ixys Graben Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq96 MOSFET (Metalloxid) To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 250 V 96a (TC) 10V 29mohm @ 500 mA, 10V 5v @ 1ma 114 NC @ 10 V ± 30 v 6100 PF @ 25 V. - - - 625W (TC)
IXFT9N80Q IXYS Ixft9n80q - - -
RFQ
 ECAD 9627 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, q -Klasse Kasten Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixft9n80 MOSFET (Metalloxid) To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 800 V 9a (TC) 10V 1,1OHM @ 500 mA, 10V 5 V @ 2,5 mA 56 NC @ 10 V ± 20 V 2200 PF @ 25 V. - - - 180W (TC)
MCD700-22IO1W IXYS MCD700-22IO1W - - -
RFQ
 ECAD 3264 0.00000000 Ixys - - - Tablett Veraltet - - - Chassis -berg WC-500 MCD700 Serienverbindung - SCR/Diode - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 1 2,2 kv 1331 a 18200 @ 50MHz 700 a 1 SCR, 1 Diode
DPG30IM300PC-TRL IXYS DPG30IM300PC-trl 2.3982
RFQ
 ECAD 5110 0.00000000 Ixys Hiperfred² ™ Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab DPG30IM300 Standard To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 800 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 300 V 1,35 V @ 30 a 1 µA @ 300 V -55 ° C ~ 175 ° C. 30a 42pf @ 150V, 1 MHz
IXFH32N48 IXYS Ixfh32n48 - - -
RFQ
 ECAD 7845 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh32 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 480 v 32a (TC) 10V 130mohm @ 15a, 10V 4v @ 4ma 300 NC @ 10 V. ± 20 V 5200 PF @ 25 V. - - - 360W (TC)
IXBK64N250 IXYS Ixbk64n250 154.7700
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Ixys - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-264-3, to-264aa Ixbk64 Standard 735 w To-264aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Q4484441 Ear99 8541.29.0095 25 - - - 2500 V 75 a 3v @ 15V, 64a
MCD225-12IO1 IXYS MCD225-12IO1 127.4233
RFQ
 ECAD 7030 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Chassis -berg Y1-Cu MCD225 Serienverbindung - SCR/Diode Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 3 150 Ma 1,2 kv 400 a 2 v 8000a, 8500a 150 Ma 221 a 1 SCR, 1 Diode
IXTK150N15P IXYS IXTK150N15P 13.2000
RFQ
 ECAD 3801 0.00000000 Ixys Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa IXTK150 MOSFET (Metalloxid) To-264 (ixtk) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 150 v 150a (TC) 10V 13mohm @ 500 mA, 10V 5 V @ 250 ähm 190 nc @ 10 v ± 20 V 5800 PF @ 25 V. - - - 714W (TC)
IXTR36P15P IXYS Ixtr36p15p 9.7750
RFQ
 ECAD 6293 0.00000000 Ixys Polarp ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixtr36 MOSFET (Metalloxid) Isoplus247 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 P-Kanal 150 v 22a (TC) 10V 120Mohm @ 18a, 10V 5 V @ 250 ähm 55 NC @ 10 V ± 20 V 2950 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
IXFA50N20X3 IXYS IXFA50N20X3 4.4831
RFQ
 ECAD 9796 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x3 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IXFA50 MOSFET (Metalloxid) To-263 (D2pak) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-IXFA50N20X3 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 200 v 50a (TC) 10V 30mohm @ 25a, 10V 4,5 V @ 1ma 33 NC @ 10 V. ± 20 V 2100 PF @ 25 V - - - 240W (TC)
DHG60U1200LB-TRR IXYS DHG60U1200LB-TRR 22.5348
RFQ
 ECAD 8504 0.00000000 Ixys - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 9-Powermd DHG60 Standard 9-smpd-b Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-DHG60U1200LB-Trrtr Ear99 8541.10.0080 200 2,92 V @ 60 a 50 µa @ 1200 V 60 a DRIPHASE 1,2 kv
IXTK120P20T IXYS Ixtk120p20t 31.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Ixys Trenchp ™ Rohr Aktiv - - - K. Loch To-264-3, to-264aa IXTK120 MOSFET (Metalloxid) To-264 (ixtk) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -Ixtk120p20t Ear99 8541.29.0095 25 P-Kanal 200 v 120a (TC) 30mohm @ 60a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 740 nc @ 10 v 73000 PF @ 25 V. - - - - - -
IXTP100N04T2 IXYS IXTP100N04T2 2.7900
RFQ
 ECAD 9952 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IXTP100 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 40 v 100a (TC) 10V 7mohm @ 25a, 10V 4v @ 250 ähm 25,5 NC @ 10 V ± 20 V 2690 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

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    Standardprodukteinheit

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    Weltweite Hersteller

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    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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