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Diskette HalblerProdukte (6315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Typ Grundproduktnummer Technologie Struktur LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) Aktuell Stromspannung Spannung - Isolation ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Spannung - Im Zustand (VTM) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) Aktuell - Aus dem Zustand (max) SCR -Typ Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Anzahl der Scrs, Dioden
IXTA80N12T2 IXYS IXTA80N12T2 3.1660
RFQ
 ECAD 3939 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta80 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 120 v 80A (TC) 10V 17mohm @ 40a, 10V 4v @ 250 ähm 80 nc @ 10 v ± 20 V 4740 PF @ 25 V. - - - 325W (TC)
DPG60C300HB IXYS DPG60C300HB 6.5200
RFQ
 ECAD 9749 0.00000000 Ixys Hiperfred² ™ Rohr Aktiv K. Loch To-247-3 DPG60C300 Standard To-247ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 300 V 30a 1,34 V @ 30 a 35 ns 1 µA @ 300 V -55 ° C ~ 175 ° C.
MCD700-18IO1W IXYS MCD700-18IO1W - - -
RFQ
 ECAD 2062 0.00000000 Ixys - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg WC-500 MCD700 Serienverbindung - SCR/Diode Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 1 1,8 kv 1331 a 18200 @ 50MHz 700 a 1 SCR, 1 Diode
IXTH52P10P IXYS Ixth52p10p 8.4800
RFQ
 ECAD 301 0.00000000 Ixys Polarp ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixth52 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 P-Kanal 100 v 52a (TC) 10V 50mohm @ 52a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 60 nc @ 10 v ± 20 V 2845 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IXTV60N30T IXYS IXTV60N30T - - -
RFQ
 ECAD 9477 0.00000000 Ixys Graben Rohr Aktiv - - - K. Loch To-220-3, Kurze RegisterKarte Ixtv60 MOSFET (Metalloxid) Plus220 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 300 V 60a (TC) - - - - - - - - - - - -
IXTU05N120 IXYS Ixtu05n120 - - -
RFQ
 ECAD 7859 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet - - - K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) To-251aa - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 1200 V 500 Ma (TC) - - - - - - - - - - - -
IXTP6N100D2 IXYS IXTP6N100D2 7.9600
RFQ
 ECAD 539 0.00000000 Ixys Erschöpfung Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixtp6 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 1000 v 6a (TC) - - - 2.2ohm @ 3a, 0V - - - 95 NC @ 5 V. ± 20 V 2650 PF @ 25 V. Depletion -modus 300 W (TC)
DSA20C60PN IXYS DSA20C60PN - - -
RFQ
 ECAD 8573 0.00000000 Ixys - - - Rohr Abgebrochen bei Sic K. Loch To-220-3 Full Pack DSA20C60 Schottky To-220abfp Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 10a 850 mV @ 10 a 300 µa @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C.
MCD44-12IO1B IXYS MCD44-12IO1B 26.3444
RFQ
 ECAD 6023 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg To-240aa MCD44 Serienverbindung - SCR/Diode Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1,2 kv 80 a 1,5 v 1150a, 1230a 100 ma 51 a 1 SCR, 1 Diode
IXTP32N65XM IXYS IXTP32N65XM 5.9612
RFQ
 ECAD 8455 0.00000000 Ixys Ultra x Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IxtP32 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 14a (TC) 10V 135mohm @ 16a, 10V 5,5 V @ 250 ähm 54 NC @ 10 V ± 30 v 2206 PF @ 25 V. - - - 78W (TC)
VHF55-14IO7 IXYS VHF55-14IO7 - - -
RFQ
 ECAD 2360 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Fo-ta VHF55 Brücke, Einphase - SCRS/DIODEN (Layout 1) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 10 200 ma 1,4 kv 1,5 v 550a, 600A 100 ma 53 a 2 SCRS, 2 DIODEN
MDD600-16N1 IXYS MDD600-16N1 - - -
RFQ
 ECAD 8263 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet Chassis -berg WC-500 MDD600 Standard WC-500 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1600 v 600a 880 mv @ 500 a 50 mA @ 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C.
CS23-08IO2 IXYS CS23-08IO2 - - -
RFQ
 ECAD 1884 0.00000000 Ixys - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Chassis, Stollenberg To-208aa, to-48-3, Stud CS23 To-208aa (bis 48) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 10 100 ma 800 V 50 a 2,5 v 450a, 480a 50 ma 1,8 v 32 a 3 ma Standardwiederherherster
IXFH15N100Q3 IXYS IXFH15N100Q3 17.6000
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Q3 -Klasse Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh15 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1000 v 15a (TC) 10V 1,05OHM @ 7,5A, 10 V. 6,5 V @ 4MA 64 NC @ 10 V ± 30 v 3250 PF @ 25 V. - - - 690W (TC)
DPF60C200HB IXYS DPF60C200HB 6.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-3 DPF60C200 Standard To-247ad - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 60a 1,3 V @ 60 a 55 ns 5 µa @ 200 V. -55 ° C ~ 175 ° C.
DHG20I600HA IXYS DHG20I600HA 4.3100
RFQ
 ECAD 3261 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 DHG20 Standard To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 2,24 V @ 20 a 40 ns 25 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 20a - - -
DSEE8-08CC IXYS DSEE8-08CC - - -
RFQ
 ECAD 7465 0.00000000 Ixys Hiperdynfred ™ Rohr Veraltet K. Loch Isoplus220 ™ DSEE8 Standard Isoplus220 ™ Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 800 V 10a 1,53 V @ 10 a 30 ns 60 µa @ 800 V -40 ° C ~ 175 ° C.
MLO36-16IO1 IXYS Mlo36-16io1 - - -
RFQ
 ECAD 8940 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Modul Mlo 1 -Phasen -Controller -SCR/Diode Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 10 100 ma 1,6 kv 28 a 1 v 360a, 390a 65 Ma 18 a 1 SCR, 1 Diode
IXFA7N60P3 IXYS Ixfa7n60p3 - - -
RFQ
 ECAD 4256 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar3 ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixfa7n60 MOSFET (Metalloxid) To-263aa (ixfa) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -IXFA7N60P3 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 7a (TC) 10V 1,15OHM @ 3,5a, 10 V. 5v @ 1ma 13.3 NC @ 10 V. ± 30 v 705 PF @ 25 V. - - - 180W (TC)
DSI17-08A IXYS DSI17-08A - - -
RFQ
 ECAD 6740 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud DSI17 Lawine DO-203AA Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Dsi1708a Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,36 V @ 55 a 4 ma @ 800 V -40 ° C ~ 180 ° C. 25a - - -
DLA20IM800PC-TUB IXYS DLA20IM800PC-Tub 2.9800
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab DLA20 Standard To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,2 V @ 20 a 10 µa @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C. 20a 4PF @ 400V, 1 MHz
DSS6-0045AS-TRL IXYS DSS6-0045as-trl - - -
RFQ
 ECAD 8501 0.00000000 Ixys - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DSS6 Schottky To-252aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 45 V 630 mv @ 6 a 300 µa @ 45 V -55 ° C ~ 175 ° C. 6a - - -
IXFL60N60 IXYS Ixfl60n60 - - -
RFQ
 ECAD 3931 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Ixfl60 MOSFET (Metalloxid) Isoplus264 ™ Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 600 V 60a (TC) 10V 80MOHM @ 30a, 10V 4v @ 8ma 380 nc @ 10 v ± 20 V 10000 PF @ 25 V. - - - 700W (TC)
IXFT30N60P IXYS Ixft30n60p - - -
RFQ
 ECAD 4972 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixft30 MOSFET (Metalloxid) To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 600 V 30a (TC) 10V 240mohm @ 15a, 10V 5v @ 4ma 82 NC @ 10 V ± 30 v 4000 PF @ 25 V. - - - 500W (TC)
VVZ39-08HO7 IXYS VVZ39-08HO7 20.5416
RFQ
 ECAD 5827 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Öko-PAC1 VVZ39 Brücke, 3 -phasen - scrs/dioden Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 25 50 ma 800 V 1,5 v 200a, 210a 25 ma 39 a 3 SCRS, 3 DIODEN
IXIDM1401_1515_O IXYS Ixidm1401_1515_o - - -
RFQ
 ECAD 8904 0.00000000 Ixys - - - Tablett Veraltet Oberflächenhalterung Modul IGBT Ixidm140 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ixidm1401 1515 o Ear99 8543.70.9860 1 Halbbrücke 10 a 15 v 4000VDC
IXFT12N100F IXYS Ixft12n100f - - -
RFQ
 ECAD 6556 0.00000000 Ixys HiPerrf ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixft12 MOSFET (Metalloxid) To-268 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1000 v 12a (TC) 10V 1,05OHM @ 6a, 10V 5,5 V @ 4MA 77 NC @ 10 V ± 20 V 2700 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
MDMA140P1200TG IXYS MDMA140P1200TG 38.0900
RFQ
 ECAD 4666 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv Chassis -berg To-240aa MDMA140 Standard To-240aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 36 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1200 V 140a 1,18 V @ 140 a 200 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C.
IXTA1R4N100P IXYS Ixta1r4n100p 3.3100
RFQ
 ECAD 260 0.00000000 Ixys Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta1 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 1000 v 1.4a (TC) 10V 11OHM @ 500 mA, 10V 4,5 V @ 50 µA 17,8 NC @ 10 V. ± 20 V 450 PF @ 25 V. - - - 63W (TC)
IXFH15N80Q IXYS Ixfh15n80q 12.8787
RFQ
 ECAD 3437 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, q -Klasse Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh15 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 800 V 15a (TC) 10V 600MOHM @ 7.5A, 10V 4,5 V @ 4ma 90 nc @ 10 v ± 20 V 4300 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
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    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

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    30.000.000

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