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Diskette HalblerProdukte (6315)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	Struktur	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET -Typ	Strom - Hold (ih) (max)	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Triactyp	Spannung - Staat	Strom - Auf Status (It (RMS)) (max)	Spannung - Gate Trigger (VGT) (max)	Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM)	Strom - Gate Trigger (IGT) (max)	Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max)	SCR -Typ	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Anzahl der Scrs, Dioden	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Eingabekapazität (cies) @ vce
Qv6012NH5RP	3.3300	RFQ	6334	Ixys	Qvxx12xhx	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab						To-263 (D2pak)	- - -		3 (168 Stunden)			Ear99	8541.30.0080	500	Einzel			50 ma											Logik - Sensitive Gate	600 V	12 a	1,2 v	140a, 153a	50 ma
MCD501-16IO2	- - -	RFQ	3216	Ixys	- - -	Kasten	Abgebrochen bei Sic	125 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	MCD501			Serienverbindung - SCR/Diode			Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.30.0080	4																1,6 kv			14500a @ 50Hz													1 SCR, 1 Diode
Ixth48n15	- - -	RFQ	4222	Ixys	- - -	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Ixth48	MOSFET (Metalloxid)				To-247 (ixth)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30			N-Kanal		150 v	48a (TC)	10V	32mohm @ 500 mA, 10V	- - -	140 nc @ 10 v	± 20 V	3200 PF @ 25 V.	- - -	180W (TC)
Ixta2n100p-trl	2.3358	RFQ	5934	Ixys	Polar	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	Ixta2	MOSFET (Metalloxid)				To-263 (D2pak)	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	238-ixta2N100p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			N-Kanal		1000 v	2a (TC)	10V	7,5OHM @ 1a, 10V	4,5 V @ 100 µA	24.3 NC @ 10 V.	± 20 V	655 PF @ 25 V.	- - -	86W (TC)
IXTQ72N30T	- - -	RFQ	1783	Ixys	Graben	Rohr	Aktiv	- - -	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3	Ixtq72	MOSFET (Metalloxid)				To-3p	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30			N-Kanal		300 V	72a (TC)		- - -	- - -				- - -	- - -
MCC44-14io1b	33.7700	RFQ	5	Ixys	- - -	Kasten	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	To-240aa	MCC44			Serienverbindung - Alle SCRs			Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	-MCC44-14io1b	Ear99	8541.30.0080	36				200 ma												1,4 kv	80 a	1,5 v	1150a, 1230a	100 ma	51 a											2 SCRS
Ixfv26n50p	- - -	RFQ	7295	Ixys	Hiperfet ™, polarht ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3, Kurze RegisterKarte	Ixfv26	MOSFET (Metalloxid)				Plus220	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50			N-Kanal		500 V	26a (TC)	10V	230mohm @ 13a, 10V	5,5 V @ 4MA	60 nc @ 10 v	± 30 v	3600 PF @ 25 V.	- - -	400W (TC)
VCA105-18IO7	- - -	RFQ	2475	Ixys	- - -	Kasten	Veraltet	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	Öko-PAC2	VCA105			Gemeinsame Anode - Alle SCRs			Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.30.0080	25				200 ma												1,8 kv	180 a	1,5 v	2250a, 2400A	150 Ma	105 a											2 SCRS
Ixft60n25q	- - -	RFQ	1624	Ixys	Hiperfet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa	Ixft60	MOSFET (Metalloxid)				To-268aa	Herunterladen		1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.29.0095	30			N-Kanal		250 V	60a (TC)	10V	47mohm @ 500 mA, 10V	4v @ 4ma	180 nc @ 10 v	± 20 V	5100 PF @ 25 V.	- - -	360W (TC)
Ixfp34n65x2m	7.5900	RFQ	200	Ixys	Hiperfet ™, ultra x2	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte	Ixfp34	MOSFET (Metalloxid)				To-220 Isolierte RegisterKarte	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	-IXFP34N65X2M	Ear99	8541.29.0095	50			N-Kanal		650 V	34a (TC)	10V	100mohm @ 17a, 10V	5v @ 1,5 mA	56 NC @ 10 V	± 30 v	3230 PF @ 25 V.	- - -	40W (TC)
Ixth200n10t	9.4100	RFQ	1014	Ixys	Graben	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Ixth200	MOSFET (Metalloxid)				To-247 (ixth)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30			N-Kanal		100 v	200a (TC)	10V	5.5Mohm @ 50a, 10V	4,5 V @ 250 ähm	152 NC @ 10 V	± 30 v	9400 PF @ 25 V.	- - -	550W (TC)
IXTQ60N20T	5.3000	RFQ	9061	Ixys	Graben	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3	Ixtq60	MOSFET (Metalloxid)				To-3p	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	238-IXTQ60N20T	Ear99	8541.29.0095	30			N-Kanal		200 v	60a (TC)	10V	40mohm @ 30a, 10V	5 V @ 250 ähm	73 NC @ 10 V	± 20 V	4530 PF @ 25 V.	- - -	500W (TA)
IXTP3N120	8.4500	RFQ	12	Ixys	Hiperfet ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	Ixtp3	MOSFET (Metalloxid)				To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen	IXTP3N120-NDR	Ear99	8541.29.0095	50			N-Kanal		1200 V	3a (TC)	10V	4,5OHM @ 500 mA, 10V	5 V @ 250 ähm	42 NC @ 10 V.	± 20 V	1350 PF @ 25 V.	- - -	200W (TC)
K1270MA420	- - -	RFQ	8710	Ixys	- - -	Kasten	Abgebrochen bei Sic	- - -	Klemmen	To-200AC, K-Puk	K1270					W77	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	238-K1270MA420	Ear99	8541.30.0080	6																4,2 kv			16700a @ 50Hz		1270 a	Standardwiederherherster
DSB20I15PA	- - -	RFQ	3345	Ixys	- - -	Rohr	Abgebrochen bei Sic		K. Loch	To-220-2	DSB20I15	Schottky				To-220ac	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	50		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)																						15 v		480 mv @ 20 a		10 µa @ 15 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	20a	- - -
VHFD16-08IO1	- - -	RFQ	7965	Ixys	- - -	Kasten	Veraltet	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	V1a-pak	VHFD16			Brücke, Einphase - SCRS/DIODEN (Layout 1)			- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.30.0080	24				100 ma												800 V		1 v	150a, 170a	65 Ma	16 a											2 SCRS, 4 DIODEN
Ixfp8n65x2m	- - -	RFQ	4338	Ixys	Hiperfet ™, ultra x2	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte	Ixfp8n65	MOSFET (Metalloxid)				To-220 Isolierte RegisterKarte	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50			N-Kanal		650 V	8a (TC)	10V	450Mohm @ 4a, 10V	5 V @ 250 ähm	11 NC @ 10 V	± 30 v	790 PF @ 25 V.	- - -	150W (TC)
Ixty24n15t	- - -	RFQ	9676	Ixys	Graben	Rohr	Aktiv	- - -	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	Ixty24	MOSFET (Metalloxid)				To-252aa	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	75			N-Kanal		150 v	24a (TC)		- - -	- - -				- - -	- - -
DSB60C45PB	- - -	RFQ	8797	Ixys	- - -	Rohr	Abgebrochen bei Sic		K. Loch	To-220-3	DSB60C45	Schottky				To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	50		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)																					1 Paar Gemeinsamer Kathode	45 V	30a	630 mv @ 30 a		10 mA @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
IXTA02N250	- - -	RFQ	5967	Ixys	- - -	Rohr	Abgebrochen bei Sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	Ixta02	MOSFET (Metalloxid)				To-263aa	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50			N-Kanal		2500 V	200 Ma (TC)	10V	450ohm @ 50 mA, 10V	4,5 V @ 250 ähm	7.4 NC @ 10 V	± 20 V	116 PF @ 25 V	- - -	83W (TC)
Ixfn48n55	- - -	RFQ	1882	Ixys	Hiperfet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	Ixfn48	MOSFET (Metalloxid)				SOT-227B	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10			N-Kanal		550 V	48a (TC)	10V	110 MOHM @ 500 mA, 10V	4,5 V @ 8ma	330 NC @ 10 V	± 20 V	8900 PF @ 25 V.	- - -	600W (TC)
IXTT4N150HV-trl	29.9225	RFQ	1834	Ixys	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa	Ixtt4	MOSFET (Metalloxid)				To-268HV (ixtt)	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	238-IXTT4N150HV-Trltr	Ear99	8541.29.0095	400			N-Kanal		1500 V	4a (TC)	10V	6ohm @ 2a, 10V	5 V @ 250 ähm	44,5 NC @ 10 V.	± 30 v	1576 PF @ 25 V.	- - -	280W (TC)
IXFK180N085	- - -	RFQ	1216	Ixys	Hiperfet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-264-3, to-264aa	Ixfk180	MOSFET (Metalloxid)				To-264aa (ixfk)	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	25			N-Kanal		85 V	180a (TC)	10V	7mohm @ 500 mA, 10V	4v @ 8ma	320 NC @ 10 V	± 20 V	9100 PF @ 25 V.	- - -	560W (TC)
DH2X61-18A	37.7600	RFQ	8980	Ixys	- - -	Rohr	Aktiv		Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	DH2X61	Standard				SOT-227B	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	DH2X6118A	Ear99	8541.10.0080	10		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)																					2 Unabhängig	1800 v	60a	2.01 V @ 60 a	230 ns	200 µA @ 1800 V.	-40 ° C ~ 150 ° C.
MCD132-12IO1	60.2367	RFQ	8840	Ixys	- - -	Kasten	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	Y4	MCD132			Serienverbindung - SCR/Diode			Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.30.0080	6				200 ma												1,2 kv	300 a	2,5 v	4750a, 5080a	150 Ma	130 a											1 SCR, 1 Diode
N6405ea240	- - -	RFQ	8897	Ixys	- - -	Kasten	Abgebrochen bei Sic	- - -	Chassis -berg	To-200af	N6405					W107	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	238-N6405ea240	Ear99	8541.30.0080	6																2,4 kv			80000a @ 50 Hz		6405 a	Standardwiederherherster
IXDN55N120D1	37.5500	RFQ	3026	Ixys	- - -	Rohr	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	Ixdn55		450 w		Standard	SOT-227B	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Einzel																																Npt	1200 V	100 a	2,8 V @ 15V, 55a	3.8 ma	NEIN	3.3 NF @ 25 V
IXTR30N25	- - -	RFQ	7557	Ixys	- - -	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Ixtr30	MOSFET (Metalloxid)				Isoplus247 ™	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30			N-Kanal		250 V	25a (TC)	10V	75mohm @ 15a, 10V	4v @ 250 ähm	136 NC @ 10 V	± 20 V	3950 PF @ 25 V.	- - -	150W (TC)
MMIX2F60N50P3	39.6840	RFQ	6365	Ixys	Hiperfet ™, polar3 ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	24-SMD-Modul, 9 Leads	Mmix2f60	MOSFET (Metalloxid)	320W			24-smpd	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	20	2 n-kanal (dual)				500V	30a (TC)		110MOHM @ 30a, 10V	5v @ 4ma	96nc @ 10v		6250pf @ 25v	- - -
Ixta28p065t	2.3918	RFQ	4627	Ixys	Trenchp ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	Ixta28	MOSFET (Metalloxid)				To-263aa	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50			P-Kanal		65 V	28a (TC)	10V	45mohm @ 14a, 10V	4,5 V @ 250 ähm	46 NC @ 10 V	± 15 V	2030 PF @ 25 V.	- - -	83W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (6315)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²