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Diskette HalblerProdukte (6315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) SCR -Typ Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce
IXTP86N20X4 IXYS IXTP86N20X4 11.8200
RFQ
 ECAD 565 0.00000000 Ixys Ultra X4 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixtp86 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-IXTP86N20X4 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 200 v 86a (TC) 10V 13mohm @ 43a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 70 nc @ 10 v ± 20 V 2250 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IXYX110N120A4 IXYS Ixyx110N120A4 39.8300
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Ixys XPT ™, GenX4 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixyx110 Standard 1360 w To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-IXYX110N120A4 Ear99 8541.29.0095 30 600 V, 50A, 1,5 Ohm, 15 V. Pt 1200 V 375 a 900 a 1,8 V @ 15V, 110a 2,5 MJ (EIN), 8,4mj (AUS) 305 NC 42ns/550ns
CLA100E1200TZ-TUB IXYS CLA100E1200TZ-Tub 8.5300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa CLA100 To-268aa (D3pak-HV) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 238-CLA100E1200TZ-Tub Ear99 8541.30.0080 30 100 ma 1,2 kv 160 a 1,5 v 40 ma 100 a Standardwiederherherster
IXTH94N20X4 IXYS Ixth94n20x4 12.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Ixys Ultra X4 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixth94 MOSFET (Metalloxid) ISO to-247-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-Exth94n20x4 Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 200 v 94a (TC) 10V 10.6mohm @ 47a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 77 NC @ 10 V ± 20 V 5050 PF @ 25 V. - - - 360W (TC)
IXFP26N30X3 IXYS Ixfp26n30x3 4.6800
RFQ
 ECAD 577 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x3 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixfp26 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 300 V 26a (TC) 10V 66mohm @ 13a, 10V 4,5 V @ 500 ähm 22 NC @ 10 V. ± 20 V 1465 PF @ 25 V. - - - 170W (TC)
IXYH25N250CHV IXYS Ixyh25n250chv 34.6700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Ixys XPT ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixyh25 Standard 937 w To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 1250 V, 25a, 5ohm, 15 V. 34 ns - - - 2500 V 95 a 235 a 4v @ 15V, 25a 8,3mj (Ein), 7,3mj (AUS) 147 NC 15ns/230ns
IXXH60N65B4 IXYS Ixxh60n65b4 8.2600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Ixys GenX4 ™, XPT ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixxh60 Standard 455 w To-247ad (ixxh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -IXXH60N65B4 Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 60a, 5ohm, 15 V. Pt 650 V 116 a 250 a 2v @ 15V, 60a 3,13 MJ (EIN), 1,15 MJ (AUS) 95 NC 37ns/145ns
IXXK160N65B4 IXYS Ixxk160n65b4 20.2300
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 Ixys GenX4 ™, XPT ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Ixxk160 Standard 940 w To-264 (ixxk) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 400 V, 80A, 1OHM, 15 V. Pt 650 V 310 a 860 a 1,8 V @ 15V, 160a 3,3 MJ (EIN), 1,88 MJ (AUS) 425 NC 52ns/220ns
VUM33-06PH IXYS VUM33-06PH 65.4700
RFQ
 ECAD 5848 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-SMD, Flaches Bleierationspad exponiert VUM33 Standard - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Q7439529 Ear99 8541.10.0080 10 1,39 V @ 50 a 30 µA @ 600 V 106 a Einzelphase (PFC -Modul) 600 V
GUO40-08NO1 IXYS Guo40-08no1 20.9800
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch 5-sip Guo40 Standard GUFP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 14 1,28 V @ 30 a 40 µa @ 800 V 40 a DRIPHASE 800 V
VUB72-12NOXT IXYS VUB72-12NOXT 46.6800
RFQ
 ECAD 4908 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg V1a-pak VUB72 Standard V1a-pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 24 1,1 V @ 25 a 20 µA @ 1200 V 75 a DREIPHASE (Bremsen) 1,2 kv
VUB72-16NOXT IXYS VUB72-16NOXT 51.1000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg V1a-pak VUB72 Standard V1a-pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 24 1,1 V @ 25 a 20 µa @ 1600 V 75 a DREIPHASE (Bremsen) 1,6 kv
VUO162-16NO7 IXYS Vuo162-16no7 71.2600
RFQ
 ECAD 4539 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul VUO162 Standard PWS-e-flat Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5 1,16 V @ 60 a 100 µa @ 1600 V 175 a DRIPHASE 1,6 kv
VUO192-16NO7 IXYS Vuo192-16no7 85.7700
RFQ
 ECAD 8853 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul VUO192 Standard PWS-e-flat Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5 1,07 V @ 80 a 200 µA @ 1600 V 240 a DRIPHASE 1,6 kv
VUO52-22NO1 IXYS VUO52-22NO1 47.6000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg V1a-pak VUO52 Standard V1a-pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 24 1,13 V @ 20 a 40 µA @ 2200 V 60 a DRIPHASE 2,2 kv
MIEB101W1200EH IXYS Mieb101W1200EH 174.9860
RFQ
 ECAD 8233 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg E3 Mieb101 630 w Standard E3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5 Drei -Phase -wechselrichter - - - 1200 V 183 a 2,2 V @ 15V, 100a 300 µA NEIN 7.43 NF @ 25 V
MIXA40W1200TML IXYS MIXA40W1200TML - - -
RFQ
 ECAD 6086 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg E1 Mixa40 195 w Standard E1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse Pt 1200 V 60 a 2,1 V @ 15V, 35a 150 µa Ja
VUB116-16NOXT IXYS VUB116-16NOXT 95.0000
RFQ
 ECAD 2276 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul VUB116 Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 6 2,76 V @ 30 a 100 µa @ 1600 V 120 a DREIPHASE (Bremsen) 1,6 kv
VUB160-16NOX IXYS VUB160-16NOX 96.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg V2-Pak VUB160 Standard V2-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 6 2,7 V @ 30 a 100 µa @ 1600 V 180 a DREIPHASE (Bremsen) 1,6 kv
IXFQ50N60X IXYS IXFQ50N60X 8.1904
RFQ
 ECAD 9036 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 IXFQ50 MOSFET (Metalloxid) To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 600 V 50a (TC) 10V 73mohm @ 25a, 10V 4,5 V @ 4ma 116 nc @ 10 v ± 30 v 4660 PF @ 25 V. - - - 660W (TC)
IXTP28N15P IXYS IXTP28N15p - - -
RFQ
 ECAD 9289 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet - - - - - - - - - IXTP28 - - - - - - - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
MMIX2F60N50P3 IXYS MMIX2F60N50P3 39.6840
RFQ
 ECAD 6365 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar3 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 24-SMD-Modul, 9 Leads Mmix2f60 MOSFET (Metalloxid) 320W 24-smpd Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 20 2 n-kanal (dual) 500V 30a (TC) 110MOHM @ 30a, 10V 5v @ 4ma 96nc @ 10v 6250pf @ 25v - - -
DSSK48-0025B IXYS DSSK48-0025B - - -
RFQ
 ECAD 2614 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 DSSK48 Schottky To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 25 v 25a 440 mv @ 20 a 20 mA @ 25 v -55 ° C ~ 150 ° C.
IXTT82N25P IXYS IXTT82N25P 11.0100
RFQ
 ECAD 254 0.00000000 Ixys Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixtt82 MOSFET (Metalloxid) To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 250 V 82a (TC) 10V 35mohm @ 41a, 10V 5 V @ 250 ähm 142 NC @ 10 V ± 20 V 4800 PF @ 25 V. - - - 500W (TC)
IXTA4N60P IXYS Ixta4n60p - - -
RFQ
 ECAD 5707 0.00000000 Ixys Polarhv ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta4 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 4a (TC) 10V 2OHM @ 2a, 10V 5,5 V @ 100 µA 13 NC @ 10 V ± 30 v 635 PF @ 25 V. - - - 89W (TC)
IXTH10N100D IXYS Ixth10n100d 18.3497
RFQ
 ECAD 9649 0.00000000 Ixys Erschöpfung Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixth10 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1000 v 10a (TC) 10V 1,4ohm @ 10a, 10V 3,5 V @ 250 ähm 130 nc @ 10 v ± 30 v 2500 PF @ 25 V Depletion -modus 400W (TC)
IXFH30N50Q IXYS IXFH30N50Q - - -
RFQ
 ECAD 1990 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh30 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 500 V 30a (TC) 10V 160Mohm @ 15a, 10V 4v @ 4ma 300 NC @ 10 V. ± 20 V 5700 PF @ 25 V. - - - 360W (TC)
IXFN52N100X IXYS IXFN52N100X 55.9400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixfn52 MOSFET (Metalloxid) SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 1000 v 44a (TC) 10V 125mohm @ 26a, 10V 6v @ 4ma 245 NC @ 10 V ± 30 v 6725 PF @ 25 V. - - - 830 W (TC)
IXTT16N10D2 IXYS IXTT16N10D2 14.7600
RFQ
 ECAD 4473 0.00000000 Ixys Erschöpfung Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixtt16 MOSFET (Metalloxid) To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -Ixtt16n10d2 Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 100 v 16a (TC) 0V 64mohm @ 8a, 0V - - - 225 NC @ 5 V ± 20 V 5700 PF @ 25 V. Depletion -modus 830 W (TC)
DSI30-16AS-TRL IXYS DSI30-16AS-trl 3.5800
RFQ
 ECAD 1806 0.00000000 Ixys - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab DSI30 Standard To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 800 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1600 v 1,29 V @ 30 a 40 µa @ 1600 V -40 ° C ~ 175 ° C. 30a 10pf @ 400V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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