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Diskette HalblerProdukte (6315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Struktur Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Anzahl der Scrs, Dioden IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce
IXTA02N250HV-TRL IXYS IXTA02N250HV-trl 8.6140
RFQ
 ECAD 6494 0.00000000 Ixys - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta02 MOSFET (Metalloxid) To-263HV - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-ixta02N250HV-Trltr Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 2500 V 200 Ma (TC) 10V 450ohm @ 50 mA, 10V 4,5 V @ 250 ähm 7.4 NC @ 10 V ± 20 V 116 PF @ 25 V - - - 83W (TC)
IXTA50N25T IXYS IXTA50N25T 3.9623
RFQ
 ECAD 7360 0.00000000 Ixys Graben Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta50 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 250 V 50a (TC) 10V 50mohm @ 25a, 10V 5v @ 1ma 78 NC @ 10 V ± 30 v 4000 PF @ 25 V. - - - 400W (TC)
MMO90-14IO6 IXYS MMO90-14IO6 35.8900
RFQ
 ECAD 2550 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MMO90 1 -Phasen -Controller -Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 10 100 ma 1,4 kv 60 a 1,5 v 500a, 440a 100 ma 38 a 2 SCRS
IXFH44N50Q3 IXYS IXFH44N50Q3 21.2700
RFQ
 ECAD 349 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Q3 -Klasse Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh44 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 44a (TC) 10V 140MOHM @ 22A, 10V 6,5 V @ 4MA 93 NC @ 10 V ± 30 v 4800 PF @ 25 V. - - - 830 W (TC)
FMD15-06KC5-PT IXYS FMD15-06KC5-PT - - -
RFQ
 ECAD 3791 0.00000000 Ixys Coolmos ™, hiperdyn ™ Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Isoplusi5-Pak ™ FMD15 MOSFET (Metalloxid) Isoplus i4-pac ™ - - - ROHS3 -KONFORM 1 N-Kanal 600 V 15a (TC) 10V 165mohm @ 12a, 10V 3,5 V @ 790 ähm 52 NC @ 10 V ± 20 V 2000 PF @ 100 V - - - - - -
IXFK100N10 IXYS IXFK100N10 - - -
RFQ
 ECAD 7367 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa IXFK100 MOSFET (Metalloxid) To-264aa (ixfk) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 100 v 100a (TC) 10V 12mohm @ 75a, 10V 4v @ 8ma 360 nc @ 10 v ± 20 V 9000 PF @ 25 V. - - - 500W (TC)
IXTA1R4N100P IXYS Ixta1r4n100p 3.3100
RFQ
 ECAD 260 0.00000000 Ixys Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta1 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 1000 v 1.4a (TC) 10V 11OHM @ 500 mA, 10V 4,5 V @ 50 µA 17,8 NC @ 10 V. ± 20 V 450 PF @ 25 V. - - - 63W (TC)
IXUV170N075S IXYS Ixuv170n075s - - -
RFQ
 ECAD 7961 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv - - - Oberflächenhalterung Plus-220Smd Ixuv170 MOSFET (Metalloxid) Plus-220Smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 75 V 175a (TC) - - - - - - - - - - - -
MMIX4G20N250 IXYS MMIX4G20N250 83.2600
RFQ
 ECAD 2740 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 24-SMD-Modul, 9 Leads MMIX4G20 100 w Standard 24-smpd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 20 Halbbrücke - - - 2500 V 23 a 3,1 V @ 15V, 20a 10 µA NEIN 1.19 NF @ 15 V
IXFN340N06 IXYS Ixfn340n06 36.6980
RFQ
 ECAD 3313 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixfn340 MOSFET (Metalloxid) SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 60 v 340a (TC) 10V 3mohm @ 100a, 10V 4v @ 8ma 600 nc @ 10 v ± 20 V 16800 PF @ 25 V. - - - 700W (TC)
IXFH7N100P IXYS Ixfh7n100p 8.3188
RFQ
 ECAD 2780 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh7 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1000 v 7a (TC) 10V 1,9OHM @ 3,5a, 10V 6v @ 1ma 47 NC @ 10 V ± 30 v 2590 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IXTH120N15T IXYS Ixth120n15t - - -
RFQ
 ECAD 5633 0.00000000 Ixys Graben Rohr Aktiv - - - K. Loch To-247-3 Ixth120 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 150 v 120a (TC) - - - - - - - - - - - -
IXTH130N15T IXYS Ixth130n15t - - -
RFQ
 ECAD 3483 0.00000000 Ixys Graben Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixth130 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 150 v 130a (TC) 10V 12mohm @ 65a, 10V 4,5 V @ 1ma 113 NC @ 10 V ± 30 v 9800 PF @ 25 V. - - - 750 W (TC)
MCO600-22IO1 IXYS MCO600-22IO1 249.4600
RFQ
 ECAD 6583 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Chassis -berg Y1-Cu MCO600 Einzel Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MCO60022IO1 Ear99 8541.30.0080 2 300 ma 2,2 kv 928 a 2 v 15000a, 16000a 300 ma 600 a 1 scr
IXTC220N055T IXYS IXTC220N055T - - -
RFQ
 ECAD 5698 0.00000000 Ixys Trenchmv ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Isoplus220 ™ IXTC220 MOSFET (Metalloxid) Isoplus220 ™ Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 130a (TC) 10V 4.4mohm @ 25a, 10V 4v @ 250 ähm 158 NC @ 10 V ± 20 V 7200 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
IXTT36N50P IXYS Ixtt36n50p 11.9500
RFQ
 ECAD 123 0.00000000 Ixys Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixtt36 MOSFET (Metalloxid) To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 36a (TC) 10V 170 MOHM @ 500 mA, 10V 5 V @ 250 ähm 85 NC @ 10 V ± 30 v 5500 PF @ 25 V. - - - 540W (TC)
IXFL82N60P IXYS Ixfl82n60p 34.2800
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Ixfl82 MOSFET (Metalloxid) Isoplus264 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 600 V 55a (TC) 10V 78mohm @ 41a, 10V 5v @ 8ma 240 nc @ 10 v ± 30 v 23000 PF @ 25 V. - - - 625W (TC)
IXTA80N12T2 IXYS IXTA80N12T2 3.1660
RFQ
 ECAD 3939 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta80 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 120 v 80A (TC) 10V 17mohm @ 40a, 10V 4v @ 250 ähm 80 nc @ 10 v ± 20 V 4740 PF @ 25 V. - - - 325W (TC)
IXFP7N100P IXYS Ixfp7n100p 6.2500
RFQ
 ECAD 9609 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IXFP7N100 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -IXFP7N100P Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 1000 v 7a (TC) 10V 1,9OHM @ 3,5a, 10V 6v @ 1ma 47 NC @ 10 V ± 30 v 2590 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IXTA05N100-TRL IXYS Ixta05n100-trl 3.1142
RFQ
 ECAD 5744 0.00000000 Ixys - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta05 MOSFET (Metalloxid) To-263 (D2pak) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-ixta05n100-trltr Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 1000 v 750 Ma (TC) 10V 17ohm @ 375 mA, 10V 4,5 V @ 250 ähm 7,8 NC @ 10 V ± 30 v 260 PF @ 25 V. - - - 40W (TC)
IXFQ12N80P IXYS Ixfq12n80p - - -
RFQ
 ECAD 4278 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 Ixfq12 MOSFET (Metalloxid) To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 800 V 12a (TC) 10V 850MOHM @ 500 mA, 10V 5,5 V @ 2,5 mA 51 NC @ 10 V ± 30 v 2800 PF @ 25 V. - - - 360W (TC)
IXFK150N15P IXYS IXFK150N15P - - -
RFQ
 ECAD 4675 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Kasten Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa IXFK150 MOSFET (Metalloxid) To-264aa (ixfk) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 150 v 150a (TC) 10V 13mohm @ 500 mA, 10V 5v @ 4ma 190 nc @ 10 v ± 20 V 5800 PF @ 25 V. - - - 714W (TC)
DSA30C150PB IXYS DSA30C150PB - - -
RFQ
 ECAD 1364 0.00000000 Ixys - - - Rohr Abgebrochen bei Sic K. Loch To-220-3 DSA30C150 Schottky To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 15a 890 mv @ 15 a 500 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C.
MCD200-14IO1 IXYS MCD200-14io1 80.9100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Y4-M6 MCD200 Serienverbindung - SCR/Diode Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 6 150 Ma 1,4 kv 340 a 2 v 8000a, 8600a 150 Ma 216 a 1 SCR, 1 Diode
IXGH30N60A IXYS Ixgh30n60a - - -
RFQ
 ECAD 9587 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet - - - K. Loch To-247-3 Ixgh30 Standard 200 w To-247ad - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 - - - - - - 600 V 50 a 3v @ 15V, 30a - - - - - -
IXTP36P15P IXYS Ixtp36p15p 6.7600
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Ixys Polar P3 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixtp36 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 P-Kanal 150 v 36a (TC) 10V 110Mohm @ 18a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 55 NC @ 10 V ± 20 V 3100 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
MEK150-04DA IXYS Mek150-04da 45.1500
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Ixys - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg To-240aa Mek150 Standard To-240aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 36 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 400 V 150a 1,6 V @ 300 a 2 ma @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C.
IXTP12N65X2 IXYS IXTP12N65X2 2.7187
RFQ
 ECAD 9924 0.00000000 Ixys Ultra x2 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IXTP12 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 12a (TC) 10V 300mohm @ 6a, 10V 5 V @ 250 ähm 17 NC @ 10 V ± 30 v 1100 PF @ 25 V. - - - 180W (TC)
VDI75-06P1 IXYS VDI75-06P1 - - -
RFQ
 ECAD 2204 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Öko-PAC2 VDI 208 w Standard Öko-PAC2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 Einzel Npt 600 V 69 a 2,8 V @ 15V, 75a 800 µA Ja 2,8 NF @ 25 V.
VWO40-14IO7 IXYS VWO40-14IO7 - - -
RFQ
 ECAD 8649 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Modul VWO40 3 -Phasen -Controller -Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 10 150 Ma 1,4 kv 29 a 1 v 400a, 450a 100 ma 18 a 6 Scrs
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    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

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    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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    Weltweite Hersteller

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