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Diskette HalblerProdukte (6315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Struktur LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Spannung - Im Zustand (VTM) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) Aktuell - Aus dem Zustand (max) SCR -Typ Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Anzahl der Scrs, Dioden IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max)
IXFH26N50 IXYS IXFH26N50 8.5883
RFQ
 ECAD 4838 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh26 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen IXFH26N50-NDR Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 26a (TC) 10V 200mohm @ 13a, 10V 4v @ 4ma 160 nc @ 10 v ± 20 V 4200 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
DNA30EM2200PZ-TUB IXYS DNA30EM2200PZ-Tub 5.8400
RFQ
 ECAD 4563 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab DNA30EM2200 Standard To-263HV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-DNA30EM2200PZ-Tub Ear99 8541.10.0080 50 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 2200 v 1,26 V @ 30 a 40 µA @ 2200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 30a 7pf @ 700V, 1 MHz
DSEP2X31-03A IXYS DSEP2X31-03A 29.2600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Ixys Hiperfred ™ Rohr Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc DSEP2X31 Standard SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 300 V 30a 1,23 V @ 30 a 30 ns 250 µa @ 300 V -40 ° C ~ 150 ° C.
IXGR6N170A IXYS Ixgr6n170a 21.3700
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixgr6n170 Standard 50 w Isoplus247 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 850 V, 6a, 33OHM, 15 V. - - - 1700 v 5.5 a 18 a 7v @ 15V, 3a 590 µj (EIN), 180 µJ (AUS) 18,5 NC 46ns/220ns
W4693QK080 IXYS W4693QK080 - - -
RFQ
 ECAD 9163 0.00000000 Ixys - - - Kasten Abgebrochen bei Sic Klemmen Do-200ab, B-Puk W4693 Standard WD2 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-W4693QK080 Ear99 8541.10.0080 12 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,05 V @ 3000 a 15,5 µs 50 mA @ 800 V -40 ° C ~ 180 ° C. 4693a - - -
IXFK66N50Q2 IXYS IXFK66N50Q2 - - -
RFQ
 ECAD 4061 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Ixfk66 MOSFET (Metalloxid) To-264aa (ixfk) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 500 V 66a (TC) 10V 80MOHM @ 500 mA, 10V 4,5 V @ 8ma 200 nc @ 10 v ± 30 v 8400 PF @ 25 V. - - - 735W (TC)
IXGA30N60C3D4 IXYS Ixga30n60c3d4 - - -
RFQ
 ECAD 2630 0.00000000 Ixys Genx3 ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixga30 Standard 220 w To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 300 V, 20a, 5ohm, 15 V. 60 ns Pt 600 V 60 a 150 a 3v @ 15V, 20a 270 µj (EIN), 90 um (AUS) 38 NC 16ns/42ns
N0795YN140 IXYS N0795YN140 - - -
RFQ
 ECAD 9427 0.00000000 Ixys - - - Kasten Abgebrochen bei Sic -60 ° C ~ 125 ° C. Chassis -berg To-200ab, b-puk N0795 W91 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-N0795yn140 Ear99 8541.30.0080 24 300 ma 1,4 kv 1580 a 2,5 v 10500a @ 50Hz 150 Ma 2 v 795 a 30 ma Standardwiederherherster
IXTA32P20T IXYS IXTA32P20T 9.1900
RFQ
 ECAD 333 0.00000000 Ixys Trenchp ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta32 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 P-Kanal 200 v 32a (TC) 10V 130mohm @ 16a, 10V 4v @ 250 ähm 185 NC @ 10 V. ± 15 V 14500 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
CMA20E1600PZ-TRL IXYS CMA20E1600PZ-TRL 1.8256
RFQ
 ECAD 3353 0.00000000 Ixys CMA20E1600PZ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab CMA20 To-263HV Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-CMA20E1600PZ-Trltr Ear99 8541.30.0080 800 60 mA 1,6 kv 31 a 1,3 v 180a, 195a 28 Ma 1,46 v 20 a Standardwiederherherster
MDD255-18N1 IXYS MDD255-18N1 155.4567
RFQ
 ECAD 1600 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv Chassis -berg Y1-Cu MDD255 Standard Y1-Cu Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1800 v 270a 1,4 V @ 600 a 30 mA @ 1800 V -40 ° C ~ 150 ° C.
N0465WN140 IXYS N0465WN140 - - -
RFQ
 ECAD 4059 0.00000000 Ixys - - - Kasten Abgebrochen bei Sic -60 ° C ~ 125 ° C. Chassis -berg To-200ab, b-puk N0465 W90 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-N0465WN140 Ear99 8541.30.0080 24 250 Ma 1,4 kv 920 a 2,5 v 5000a @ 50Hz 250 Ma 2.09 v 465 a 50 ma Standardwiederherherster
DSEP29-06AS-TUB IXYS DSEP29-06AS-Tub 4.1302
RFQ
 ECAD 6427 0.00000000 Ixys Hiperfred² ™ Rohr Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab DSEP29 Standard To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,94 V @ 30 a 35 ns 250 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C.
DPG15I300PA IXYS DPG15I300PA 2.2600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Ixys Hiperfred ™ Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 DPG15I300 Standard To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -Dpg15i300pa Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 300 V 1,26 V @ 15 a 35 ns 1 µA @ 300 V -55 ° C ~ 175 ° C. 15a - - -
IXTQ110N055P IXYS IXTQ110N055p - - -
RFQ
 ECAD 8977 0.00000000 Ixys Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ110 MOSFET (Metalloxid) To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 55 v 110a (TC) 10V 13,5 MOHM @ 500 mA, 10 V 5,5 V @ 250 ähm 76 NC @ 10 V ± 20 V 2210 PF @ 25 V - - - 390W (TC)
W1263YC200 IXYS W1263YC200 - - -
RFQ
 ECAD 2609 0.00000000 Ixys - - - Kasten Abgebrochen bei Sic Klemmen Do-200ab, A-Puk W1263 Standard W2 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-W1263YC200 Ear99 8541.10.0080 24 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 2000 v 2,12 V @ 3770 a 17 µs 30 mA @ 2000 v -40 ° C ~ 175 ° C. 1263a - - -
MDMA900U1600PTEH IXYS MDMA900U1600PTEH 244.2900
RFQ
 ECAD 9902 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg E3 MDMA900 Standard E3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-MDMA900U1600PTEH Ear99 8541.10.0080 24 1,92 V @ 900 a 200 µA @ 1600 V 900 a DRIPHASE 1,6 kv
MDD175-34N1 IXYS MDD175-34N1 297.9800
RFQ
 ECAD 9873 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv Chassis -berg Y1-Cu MDD175 Standard Y1-Cu Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 3400 v 240a 1,07 V @ 200 a 1 ma @ 3400 V. -40 ° C ~ 150 ° C.
W0642WC160 IXYS W0642WC160 - - -
RFQ
 ECAD 1909 0.00000000 Ixys - - - Kasten Abgebrochen bei Sic Klemmen Do-200ab, A-Puk W0642 Standard W1 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-W0642WC160 Ear99 8541.10.0080 24 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1600 v 2,37 V @ 1900 a 15 µs 15 mA @ 1600 V -40 ° C ~ 180 ° C. 642a - - -
MCC162-12IO1 IXYS MCC162-12IO1 67.2800
RFQ
 ECAD 8397 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Y4-M6 MCC162 Serienverbindung - Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Q8081821 Ear99 8541.30.0080 6 200 ma 1,2 kv 300 a 2,5 v 6000a, 6400a 150 Ma 190 a 2 SCRS
IXSA10N60B2D1 IXYS IXSA10N60B2D1 - - -
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 Ixys - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IXSA10 Standard 100 w To-263aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen IXSA10N60B2D1-NDR Ear99 8541.29.0095 50 480 V, 10a, 30ohm, 15 V. 25 ns Pt 600 V 20 a 30 a 2,5 V @ 15V, 10a 430 µJ (AUS) 17 NC 30ns/180ns
MCB30P1200LB-TUB IXYS MCB30P1200LB-Tub - - -
RFQ
 ECAD 4554 0.00000000 Ixys MCB30P1200LB Rohr Aktiv - - - Oberflächenhalterung 9-Powermd MCB30P1200 Silziumkarbid (sic) - - - 9-smpd-b - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-MCB30P1200LB-Tub Ear99 8541.29.0095 20 4 N-Kanal (Halbe Brücke) 1200 V (1,2 kV) - - - - - - - - - - - - - - - - - -
M1022LC120 IXYS M1022LC120 - - -
RFQ
 ECAD 3720 0.00000000 Ixys - - - Kasten Abgebrochen bei Sic Klemmen Do-200ab, B-Puk M1022 Standard W4 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-M1022LC120 Ear99 8541.10.0080 6 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1200 V 1,85 V @ 2050 a 3 µs 100 mA @ 1200 V -40 ° C ~ 125 ° C. 1022a - - -
IXTA4N80P-TRL IXYS Ixta4n80p-trl 1.7238
RFQ
 ECAD 4444 0.00000000 Ixys Polar Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta4 MOSFET (Metalloxid) To-263 (D2pak) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-ixta4n80p-trltr Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 800 V 3.6a (TC) 10V 3,4OHM @ 1,8a, 10 V. 5,5 V @ 100 µA 14.2 NC @ 10 V. ± 30 v 750 PF @ 25 V. - - - 100 W (TC)
IXGY2N120 IXYS Ixgy2n120 - - -
RFQ
 ECAD 3387 0.00000000 Ixys - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Ixgy2 Standard 25 w To-252aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 960 V, 2a, 150 Ohm, 15 V. Pt 1200 V 5 a 8 a 4,5 V @ 15V, 5a 600 µJ (AUS) 9 NC 15ns/300ns
IXTH20P50P IXYS Ixth20p50p 11.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Ixys Polarp ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixth20 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 P-Kanal 500 V 20A (TC) 10V 450mohm @ 10a, 10V 4v @ 250 ähm 103 NC @ 10 V ± 20 V 5120 PF @ 25 V. - - - 460W (TC)
DSEI2X31-12P IXYS DSEI2X31-12p - - -
RFQ
 ECAD 1995 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet Chassis -berg Öko-PAC1 DSEI2X Standard Öko-PAC1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 1200 V 28a 2,55 V @ 30 a 50 ns 750 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C.
MDNA425P2200PTSF IXYS MDNA425P2200PTSF 173.4750
RFQ
 ECAD 8613 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv Chassis -berg Simbus f MDNA425 Standard Simbus f - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-mDNA425P2200PTSF Ear99 8541.10.0080 24 - - - - - - 2200 v 425a - - -
DSS16-01AS-TUB IXYS DSS16-01AS-Tub - - -
RFQ
 ECAD 6460 0.00000000 Ixys - - - Rohr Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab DSS16 Schottky To-263aa - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 790 mv @ 15 a 500 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 175 ° C. 16a - - -
W2899MC480 IXYS W2899MC480 - - -
RFQ
 ECAD 6452 0.00000000 Ixys - - - Kasten Abgebrochen bei Sic Klemmen Do-200AC, K-Puk W2899 Standard W54 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-W2899MC480 Ear99 8541.10.0080 12 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 4800 v 2,9 V @ 8600 a 48 µs 50 mA @ 4800 V -40 ° C ~ 160 ° C. 2899a - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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