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Diskette HalblerProdukte (6315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Struktur Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Spannung - Im Zustand (VTM) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) Aktuell - Aus dem Zustand (max) SCR -Typ Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Anzahl der Scrs, Dioden IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce
MWI75-12T7T IXYS MWI75-12T7T - - -
RFQ
 ECAD 8484 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg E2 MWI75 355 w Standard E2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 6 Drei -Phase -wechselrichter Graben 1200 V 110 a 2,15 V @ 15V, 75A 4 ma Ja 5.35 NF @ 25 V.
IXGR45N120 IXYS Ixgr45n120 - - -
RFQ
 ECAD 4670 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv - - - K. Loch To-247-3 Ixgr45 Standard Isoplus247 ™ - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 - - - - - - 1200 V 90 a - - - - - - - - -
IXSR50N60BU1 IXYS IXSR50N60BU1 - - -
RFQ
 ECAD 5449 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet - - - K. Loch To-247-3 Ixsr50 Standard Isoplus247 ™ - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 - - - - - - 600 V - - - - - - - - -
IXYH16N170C IXYS Ixyh16n170c 10.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Ixys XPT ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixyh16 Standard 310 w To-247 (ixyh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 850 V, 16a, 10ohm, 15 V. 19 ns - - - 1700 v 40 a 100 a 3,8 V @ 15V, 16a 2,1MJ (EIN), 1,5mj (AUS) 56 NC 11ns/140ns
MIXA81WB1200TEH IXYS MIXA81WB1200TEH - - -
RFQ
 ECAD 7604 0.00000000 Ixys - - - Kasten Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg E3 Mixa81 390 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER E3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse Pt 1200 V 120 a 2,1 V @ 15V, 75a 200 µA Ja
MCD225-18IO1 IXYS MCD225-18IO1 145.6233
RFQ
 ECAD 5357 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Chassis -berg Y1-Cu MCD225 Serienverbindung - SCR/Diode Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 3 150 Ma 1,8 kv 400 a 2 v 8000a, 8500a 150 Ma 221 a 1 SCR, 1 Diode
IXFT74N20 IXYS Ixft74n20 - - -
RFQ
 ECAD 9781 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixft74 MOSFET (Metalloxid) To-268aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 200 v 74a (TC) 10V 30mohm @ 500 mA, 10 V. 4v @ 4ma 280 nc @ 10 v ± 20 V 5400 PF @ 25 V. - - - 360W (TC)
IXFQ21N50Q IXYS IXFQ21N50Q - - -
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 ECAD 5479 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Q2 -Klasse Rohr Aktiv - - - K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 IXFQ21 MOSFET (Metalloxid) To-3p - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 21a (TC) - - - - - - - - - - - -
K4005EA520 IXYS K4005ea520 - - -
RFQ
 ECAD 6645 0.00000000 Ixys - - - Kasten Abgebrochen bei Sic - - - Chassis -berg To-200af K4005 W107 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-k4005ea520 Ear99 8541.30.0080 6 5.2 kV 43200a @ 50 Hz 4005 a Standardwiederherherster
VDI25-06P1 IXYS VDI25-06P1 - - -
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 ECAD 5858 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Öko-PAC2 VDI 82 w Standard Öko-PAC2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 Einzel Npt 600 V 24,5 a 2,9 V @ 15V, 25a 600 µA Ja 8 NF @ 25 V
IXTT20N50D IXYS Ixtt20n50d - - -
RFQ
 ECAD 1022 0.00000000 Ixys Erschöpfung Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixtt20 MOSFET (Metalloxid) To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 20A (TC) 10V 330mohm @ 10a, 10V 3,5 V @ 250 mA 125 NC @ 10 V ± 30 v 2500 PF @ 25 V Depletion -modus 400W (TC)
IXTH62N65X2 IXYS Ixth62N65x2 11.0300
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Ixys Ultra x2 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixth62 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 650 V 62a (TC) 10V 52mohm @ 31a, 10V 4,5 V @ 4ma 104 NC @ 10 V ± 30 v 5940 PF @ 25 V. - - - 780W (TC)
IXGT50N90B2 IXYS IXGT50N90B2 - - -
RFQ
 ECAD 1007 0.00000000 Ixys Hiperfast ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixgt50 Standard 400 w To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 720 V, 50a, 5ohm, 15 V. Pt 900 V 75 a 200 a 2,7 V @ 15V, 50a 4,7mj (AUS) 135 NC 20ns/350ns
IXXX200N65B4 IXYS Ixxx200n65b4 27.2000
RFQ
 ECAD 868 0.00000000 Ixys GenX4 ™, XPT ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante Ixxx200 Standard 1150 w Plus247 ™ -3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 100a, 1OHM, 15 V. Pt 650 V 370 a 1000 a 1,7 V @ 15V, 160a 4,4mj (Ein), 2,2mj (AUS) 553 NC 62ns/245ns
IXTK62N25 IXYS IXTK62N25 - - -
RFQ
 ECAD 4158 0.00000000 Ixys Megamos ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Ixtk62 MOSFET (Metalloxid) To-264 (ixtk) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 250 V 62a (TC) 10V 35mohm @ 31a, 10V 4v @ 250 ähm 240 nc @ 10 v ± 20 V 5400 PF @ 25 V. - - - 390W (TC)
IXST45N120B IXYS Ixst45n120b - - -
RFQ
 ECAD 9045 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixst45 Standard 300 w To-268aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 960 V, 45A, 5OHM, 15 V. Pt 1200 V 75 a 180 a 3v @ 15V, 45a 13mj (AUS) 120 NC 36ns/360ns
IXTP4N70X2M IXYS Ixtp4n70x2m 3.3100
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Ixys Ultra x2 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte Ixtp4 MOSFET (Metalloxid) To-220 Isolierte RegisterKarte Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 700 V 4a (TC) 10V 850MOHM @ 2a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 11.8 NC @ 10 V. ± 30 v 386 PF @ 25 V. - - - 30W (TC)
IXYH100N65A3 IXYS Ixyh100n65a3 18.0973
RFQ
 ECAD 3941 0.00000000 Ixys XPT ™, GenX3 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixyh100 Standard 470 w To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 50A, 2OHM, 15 V. 64 ns - - - 650 V 240 a 480 a 1,8 V @ 15V, 70a 3,15 MJ (EIN), 2,2MJ (AUS) 178 NC 24ns/174ns
R1446NC12D IXYS R1446NC12D - - -
RFQ
 ECAD 6929 0.00000000 Ixys - - - Kasten Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 125 ° C. Klemmen To-200AC, K-Puk R1446 W11 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-R1446NC12d Ear99 8541.30.0080 6 1 a 1,2 kv 2940 a 3 v 21500a @ 50Hz 300 ma 1,7 v 1446 a 150 Ma Standardwiederherherster
IXGH10N100A IXYS Ixgh10n100a - - -
RFQ
 ECAD 9352 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv - - - K. Loch To-247-3 Ixgh10 Standard 100 w To-247ad - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 - - - - - - 1000 v 20 a 4V @ 15V, 10a - - - - - -
DSA30I150PA IXYS DSA30I150PA 2.0400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Ixys - - - Rohr Abgebrochen bei Sic K. Loch To-220-2 DSA30I150 Schottky To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 150 v 930 mv @ 30 a 900 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C. 30a - - -
IXFP10N80P IXYS Ixfp10n80p 6.3800
RFQ
 ECAD 281 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixfp10 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 800 V 10a (TC) 10V 1,1ohm @ 5a, 10V 5,5 V @ 2,5 mA 40 nc @ 10 v ± 30 v 2050 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IXFH15N100 IXYS IXFH15N100 - - -
RFQ
 ECAD 5175 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh15 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1000 v 15a (TC) 10V 700 MOHM @ 500 mA, 10V 4,5 V @ 4ma 220 NC @ 10 V ± 20 V 4500 PF @ 25 V. - - - 360W (TC)
IXFN180N20 IXYS Ixfn180n20 53,5000
RFQ
 ECAD 2727 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixfn180 MOSFET (Metalloxid) SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen IXFN180N20-NDR Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 200 v 180a (TC) 10V 10MOHM @ 500 mA, 10V 4v @ 8ma 660 nc @ 10 v ± 20 V 22000 PF @ 25 V. - - - 700W (TC)
IXFP8N50PM IXYS Ixfp8n50pm - - -
RFQ
 ECAD 2046 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polarht ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixfp8n50 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 500 V 4.4a (TC) 10V 800mohm @ 4a, 10V 5,5 V @ 1ma 20 nc @ 10 v ± 30 v 1050 PF @ 25 V. - - - 42W (TC)
IXFN26N90 IXYS Ixfn26n90 29.2860
RFQ
 ECAD 5958 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixfn26 MOSFET (Metalloxid) SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen IXFN26N90-NDR Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 900 V 26a (TC) 10V 300mohm @ 13a, 10V 5v @ 8ma 240 nc @ 10 v ± 20 V 10800 PF @ 25 V. - - - 600W (TC)
IXFH80N65X2-4 IXYS Ixfh80n65x2-4 16.2800
RFQ
 ECAD 2016 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x2 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 Ixfh80 MOSFET (Metalloxid) To-247-4l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen -IXFH80N65X2-4 Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 650 V 80A (TC) 10V 38mohm @ 500 mA, 10V 5v @ 4ma 140 nc @ 10 v ± 30 v 8300 PF @ 25 V. - - - 890W (TC)
IXFH20N85X IXYS IXFH20N85X 10.4400
RFQ
 ECAD 2110 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh20 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 850 V 20A (TC) 10V 330mohm @ 500 mA, 10V 5,5 V @ 2,5 mA 63 NC @ 10 V ± 30 v 1660 PF @ 25 V. - - - 540W (TC)
IXFH94N30T IXYS Ixfh94n30t 12.9570
RFQ
 ECAD 9525 0.00000000 Ixys HiPerfet ™, Graben Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh94 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 300 V 94a (TC) 10V 36mohm @ 47a, 10V 5v @ 4ma 190 nc @ 10 v ± 20 V 11400 PF @ 25 V. - - - 890W (TC)
IXTT50P085 IXYS IXTT50P085 - - -
RFQ
 ECAD 4987 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa MOSFET (Metalloxid) To-268aa - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 30 P-Kanal 85 V 50a (TC) 10V 55mohm @ 25a, 10V 5 V @ 250 ähm 150 NC @ 10 V. ± 20 V 4200 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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