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Diskette HalblerProdukte (6315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Struktur Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Anzahl der Scrs, Dioden IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce
HVL900-12IO1 IXYS HVL900-12IO1 - - -
RFQ
 ECAD 7420 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Chassis -berg Modul HVL900 1 -Phasen -Controller -Alle SCRs Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 1 150 Ma 1,2 kv 900 a 2 v 9200a, 10100a 150 Ma 2 SCRS
IXFT6N100Q IXYS Ixft6n100q - - -
RFQ
 ECAD 6927 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixft6 MOSFET (Metalloxid) To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1000 v 6a (TC) 10V 1,9ohm @ 3a, 10V 4,5 V @ 2,5 mA 48 nc @ 10 v ± 20 V 2200 PF @ 25 V. - - - 180W (TC)
IXFH120N15P IXYS Ixfh120n15p 10.0100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Kasten Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh120 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 150 v 120a (TC) 10V 16mohm @ 500 mA, 10V 5v @ 4ma 150 NC @ 10 V. ± 20 V 4900 PF @ 25 V. - - - 600W (TC)
IXTA72N20T IXYS Ixta72n20t - - -
RFQ
 ECAD 2524 0.00000000 Ixys Graben Rohr Abgebrochen bei Sic - - - Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta72 MOSFET (Metalloxid) To-263aa - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 200 v 72a (TC) - - - - - - - - - - - -
IXTA75N10P-TRL IXYS Ixta75n10p-trl 3.2181
RFQ
 ECAD 3504 0.00000000 Ixys Polar Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta75 MOSFET (Metalloxid) To-263 (D2pak) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-ixta75n10p-trltr Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 100 v 75a (TC) 10V 25mo @ 37,5a, 10 V 5,5 V @ 250 ähm 74 NC @ 10 V ± 20 V 2250 PF @ 25 V. - - - 360W (TC)
DSEC16-12AS-TUB IXYS DSEC16-12AS-Tub 2.9260
RFQ
 ECAD 8399 0.00000000 Ixys Hiperfred ™ Rohr Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab DSEC16 Standard To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 1200 V 10a 2,94 V @ 10 a 40 ns 60 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
VCA105-16IO7 IXYS VCA105-16IO7 - - -
RFQ
 ECAD 5545 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Öko-PAC2 VCA105 Gemeinsame Anode - Alle SCRs Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 25 200 ma 1,6 kv 180 a 1,5 v 2250a, 2400A 150 Ma 105 a 2 SCRS
IRFP470 IXYS IRFP470 - - -
RFQ
 ECAD 2501 0.00000000 Ixys Megamos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 IRFP47 MOSFET (Metalloxid) To-247ad Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 24a (TC) 10V 230mohm @ 12a, 10V 4v @ 250 ähm 190 nc @ 10 v ± 20 V 4200 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
VCO180-08IO7 IXYS VCO180-08IO7 - - -
RFQ
 ECAD 4062 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) Chassis -berg Öko-PAC2 VCO180 Einzel Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 25 200 ma 800 V 280 a 1,5 v 4500a, 4900a 300 ma 180 a 1 scr
IXGR24N120C3H1 IXYS Ixgr24n120c3h1 - - -
RFQ
 ECAD 6333 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv - - - K. Loch To-247-3 Ixgr24 Standard Isoplus247 ™ - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 - - - - - - 1200 V 48 a - - - - - - - - -
IXTA160N10T IXYS IXTA160N10T 4.7488
RFQ
 ECAD 2754 0.00000000 Ixys Graben Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta160 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 160a (TC) 10V 7mohm @ 25a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 132 NC @ 10 V ± 30 v 6600 PF @ 25 V. - - - 430W (TC)
IXFQ94N30P3 IXYS Ixfq94n30p3 11.6500
RFQ
 ECAD 5858 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar3 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 Ixfq94 MOSFET (Metalloxid) To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -Ixfq94n30p3 Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 300 V 94a (TC) 10V 36mohm @ 47a, 10V 5v @ 4ma 102 NC @ 10 V ± 20 V 5510 PF @ 25 V. - - - 1040W (TC)
IXFK170N10 IXYS IXFK170N10 21.9556
RFQ
 ECAD 4375 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Ixfk170 MOSFET (Metalloxid) To-264aa (ixfk) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 100 v 170a (TC) 10V 10MOHM @ 500 mA, 10V 4v @ 8ma 515 NC @ 10 V ± 20 V 10300 PF @ 25 V. - - - 560W (TC)
VCC2X105-08IO7 IXYS VCC2X105-08IO7 - - -
RFQ
 ECAD 5472 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Öko-PAC2 VCC2X Unabhängig - Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 25 200 ma 800 V 180 a 1,5 v 2250a, 2400A 150 Ma 105 a 2 SCRS
IXTP60N20X4 IXYS IXTP60N20X4 10.7300
RFQ
 ECAD 372 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixtp60 MOSFET (Metalloxid) To-220 (IXTP) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-IXTP60N20X4 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 200 v 60a (TC) 10V 21mohm @ 30a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 33 NC @ 10 V. ± 20 V 2450 PF @ 25 V. - - - 250 W (TC)
IXBK55N300 IXYS Ixbk55n300 107.9000
RFQ
 ECAD 9638 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Ixbk55 Standard 625 w To-264aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 - - - 1,9 µs - - - 3000 v 130 a 600 a 3,2 V @ 15V, 55a - - - 335 NC - - -
IXTP120P065T IXYS IXTP120P065T 6.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Ixys Trenchp ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IXTP120 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 P-Kanal 65 V 120a (TC) 10V 10MOHM @ 500 mA, 10V 4v @ 250 ähm 185 NC @ 10 V. ± 15 V 13200 PF @ 25 V. - - - 298W (TC)
IXTA170N075T2 IXYS IXTA170N075T2 3.5880
RFQ
 ECAD 4448 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta170 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 75 V 170a (TC) 10V 5.4mohm @ 50a, 10V 4v @ 250 ähm 109 NC @ 10 V ± 20 V 6860 PF @ 25 V. - - - 360W (TC)
IXTA3N100D2HV IXYS IXTA3N100D2HV 5.5100
RFQ
 ECAD 6340 0.00000000 Ixys Erschöpfung Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta3 MOSFET (Metalloxid) To-263HV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 1000 v 3a (TJ) 0V 6OHM @ 1,5a, 0V 4,5 V @ 250 ähm 37,5 NC @ 5 V. ± 20 V 1020 PF @ 25 V Depletion -modus 125W (TC)
IXGQ20N120B IXYS IXGQ20N120B - - -
RFQ
 ECAD 4357 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 Ixgq20 Standard 190 w To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 960 V, 20A, 10OHM, 15 V. 40 ns Pt 1200 V 40 a 100 a 3,4 V @ 15V, 20a 2,1 MJ (AUS) 62 NC 20ns/270ns
IXFH32N48Q IXYS Ixfh32n48q - - -
RFQ
 ECAD 4215 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh32 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 480 v 32a (TC) 10V 130mohm @ 15a, 10V 4v @ 4ma 300 NC @ 10 V. ± 20 V 5200 PF @ 25 V. - - - 360W (TC)
IXFQ26N50 IXYS IXFQ26N50 - - -
RFQ
 ECAD 5228 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv - - - K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 IXFQ26 MOSFET (Metalloxid) To-3p - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 26a (TC) - - - - - - - - - - - -
IXTA76N075T IXYS IXTA76N075T - - -
RFQ
 ECAD 9909 0.00000000 Ixys Trenchmv ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta76 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 75 V 76a (TC) 10V 12mohm @ 25a, 10V 4 V @ 50 µA 57 NC @ 10 V ± 20 V 2580 PF @ 25 V. - - - 176W (TC)
IXGT30N120B3D1 IXYS IXGT30N120B3D1 12.0000
RFQ
 ECAD 3660 0.00000000 Ixys Genx3 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixgt30 Standard 300 w To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 960 V, 30a, 5ohm, 15 V. 100 ns Pt 1200 V 150 a 3,5 V @ 15V, 30a 3,47MJ (EIN), 2,16 MJ (AUS) 87 NC 16ns/127ns
IXFH21N50Q IXYS Ixfh21n50q - - -
RFQ
 ECAD 9817 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh21 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 21a (TC) 10V 250 MOHM @ 10,5a, 10V 4,5 V @ 4ma 84 NC @ 10 V ± 30 v 3000 PF @ 25 V. - - - 280W (TC)
VVZB120-12IO2 IXYS VVZB120-12IO2 - - -
RFQ
 ECAD 3268 0.00000000 Ixys - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg V2-Pak VVZB120 Brücke, 3 -Phasen - SCRS/DIODEN - IGBT MIT Diode Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 6 200 ma 1,2 kv 1,5 v 750a @ 50MHz 100 ma 120 a 3 SCRS, 3 DIODEN
VWO95-08IO7 IXYS VWO95-08IO7 - - -
RFQ
 ECAD 5168 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Modul VWO95 3 -Phasen -Controller -Alle SCRs Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 10 150 Ma 800 V 69 a 1 v 1150a, 1230a 100 ma 44 a 6 Scrs
IXXN200N65A4 IXYS Ixxn200n65a4 - - -
RFQ
 ECAD 1509 0.00000000 Ixys XPT ™, GenX4 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixxn200 Standard 1250 w SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 400 V, 100a, 1OHM, 15 V. 160 ns - - - 650 V 440 a 1200 a 1,8 V @ 15V, 200a 8,8mj (Ein), 6,7mj (AUS) 736 NC 140 ns/1,04 µs
IXYN82N120C3 IXYS Ixyn82N120C3 41.0700
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Ixys XPT ™, GenX3 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixyn82 500 w Standard SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Einzel - - - 1200 V 105 a 3,2 V @ 15V, 82a 25 µA NEIN 4.1 NF @ 25 V
IXFK32N80P IXYS Ixfk32n80p 16.9400
RFQ
 ECAD 8637 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Ixfk32 MOSFET (Metalloxid) To-264aa (ixfk) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 800 V 32a (TC) 10V 270Mohm @ 16a, 10V 5v @ 8ma 150 NC @ 10 V. ± 30 v 8800 PF @ 25 V. - - - 830 W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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