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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | Struktur | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Strom - Hold (ih) (max) | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Anzahl der Scrs, Dioden | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
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IXTA70N085T | - - - | ![]() | 4212 | 0.00000000 | Ixys | Trenchmv ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Ixta70 | MOSFET (Metalloxid) | To-263aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 85 V | 70a (TC) | 10V | 13,5 MOHM @ 25a, 10V | 4 V @ 50 µA | 59 NC @ 10 V | ± 20 V | 2570 PF @ 25 V. | - - - | 176W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixfx180n25t | 19.9600 | ![]() | 650 | 0.00000000 | Ixys | HiPerfet ™, Graben | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 Variante | Ixfx180 | MOSFET (Metalloxid) | Plus247 ™ -3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 250 V | 180a (TC) | 10V | 12,9 MOHM @ 60A, 10V | 5v @ 8ma | 345 NC @ 10 V. | ± 20 V | 28000 PF @ 25 V. | - - - | 1390W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLA60MT1200NTZ-Tub | 9.3100 | ![]() | 9679 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa | CLA60 | To-268aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 30 | Einzel | 60 mA | Standard | 1,2 kv | 66 a | 1,3 v | 380a, 410a | 60 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Ixya20n65c3d1 | 4.9200 | ![]() | 295 | 0.00000000 | Ixys | XPT ™, GenX3 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Ixya20 | Standard | 200 w | To-263aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 20a, 20ohm, 15 V. | 34 ns | - - - | 650 V | 50 a | 105 a | 2,5 V @ 15V, 20a | 430 µJ (EIN), 650 µJ (AUS) | 30 NC | 19ns/80ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXSK35N120AU1 | - - - | ![]() | 4735 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-264-3, to-264aa | Ixsk35 | Standard | 300 w | To-264aa (ixsk) | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 960 V, 35a, 2,7 Ohm, 15 V. | 60 ns | - - - | 1200 V | 70 a | 140 a | 4V @ 15V, 35a | 10MJ (AUS) | 150 nc | 80ns/400ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixfh30n60p | 10.9000 | ![]() | 145 | 0.00000000 | Ixys | HIPERFET ™, Polar | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixfh30 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ad (ixfh) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 30a (TC) | 10V | 240mohm @ 15a, 10V | 5v @ 4ma | 82 NC @ 10 V | ± 30 v | 4000 PF @ 25 V. | - - - | 500W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixgn82n120c3h1 | 47,9000 | ![]() | 4370 | 0.00000000 | Ixys | Genx3 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Ixgn82 | 595 w | Standard | SOT-227B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | Pt | 1200 V | 130 a | 3,9 V @ 15V, 82a | 50 µA | NEIN | 7.9 NF @ 25 V. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSEI60-12a | 7.7500 | ![]() | 3262 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | DSEI60 | Standard | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 2,55 V @ 60 a | 60 ns | 2,2 mA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 52a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGN50N120C3H1 | 36.8830 | ![]() | 1830 | 0.00000000 | Ixys | Genx3 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Ixgn50 | 460 w | Standard | SOT-227B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | Pt | 1200 V | 95 a | 4,2 V @ 15V, 40a | 250 µA | NEIN | 4.3 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixth16p20 | - - - | ![]() | 1569 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixth16 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 (ixth) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | P-Kanal | 200 v | 16a (TC) | 10V | 160 MOHM @ 500 mA, 10V | 5 V @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 2800 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTT75N10 | - - - | ![]() | 2661 | 0.00000000 | Ixys | Megamos ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa | Ixtt75 | MOSFET (Metalloxid) | To-268aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 100 v | 75a (TC) | 10V | 20mohm @ 37,5a, 10V | 4v @ 4ma | 260 NC @ 10 V | ± 20 V | 4500 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixgp20n120bd1 | - - - | ![]() | 8038 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Ixgp20 | Standard | 190 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 960 V, 20A, 10OHM, 15 V. | 40 ns | - - - | 1200 V | 40 a | 100 a | 3,4 V @ 15V, 20a | 2,1 MJ (AUS) | 72 NC | 25ns/150ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MIXA100PF1200TMH | - - - | ![]() | 3956 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Minipack2 | 500 w | Standard | Minipack2 | - - - | 3 (168 Stunden) | 511931 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 155 a | 2,1 V @ 15V, 100a | 300 µA | Ja | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixbh42n170a | 30.1600 | ![]() | 3875 | 0.00000000 | Ixys | Bimosfet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixbh42 | Standard | 357 w | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 850 V, 21A, 1OHM, 15 V. | 330 ns | - - - | 1700 v | 42 a | 265 a | 6v @ 15V, 21a | 3,43 MJ (EIN), 430 µJ (AUS) | 188 NC | 19ns/200ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixfx66n85x | 27.7600 | ![]() | 2423 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™, ultra x | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 Variante | Ixfx66 | MOSFET (Metalloxid) | Plus247 ™ -3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 850 V | 66a (TC) | 10V | 65mohm @ 500 mA, 10V | 5,5 V @ 8ma | 230 NC @ 10 V. | ± 30 v | 8900 PF @ 25 V. | - - - | 1250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VCC105-18IO7 | - - - | ![]() | 7255 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | Öko-PAC2 | VCC105 | Serienverbindung - Alle SCRs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 25 | 200 ma | 1,8 kv | 180 a | 1,5 v | 2250a, 2400A | 150 Ma | 105 a | 2 SCRS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MIXA80WB1200TEH | 123.4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | E3 | Mixa80 | 390 w | DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER | E3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse | Pt | 1200 V | 120 a | 2,2 V @ 15V, 77a | 200 µA | Ja | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTX600N04T2 | 20.9960 | ![]() | 5255 | 0.00000000 | Ixys | Trencht2 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 Variante | IXTX600 | MOSFET (Metalloxid) | Plus247 ™ -3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 40 v | 600A (TC) | 10V | 1,5 MOHM @ 100A, 10 V | 3,5 V @ 250 ähm | 590 NC @ 10 V | ± 20 V | 40000 PF @ 25 V. | - - - | 1250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMA30P1200HB | 4.5800 | ![]() | 5097 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | DMA30 | Standard | To-247 (ixth) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 238-DMA30P1200HB | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,26 V @ 30 a | 40 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | 11pf @ 400V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M2505MC250 | - - - | ![]() | 8766 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | Klemmen | Do-200AC, K-Puk | M2505 | Standard | W54 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 238-M2505MC250 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2500 V | 991 MV @ 2000 a | 7,6 µs | - - - | 2505a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixgt15n120b | - - - | ![]() | 8674 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfast ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa | Ixgt15 | Standard | 180 w | To-268aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 960 V, 15a, 10ohm, 15 V. | Pt | 1200 V | 30 a | 60 a | 3,2 V @ 15V, 15a | 1,75 MJ (AUS) | 69 NC | 25ns/180ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixxh80n65b4 | 9.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Ixys | GenX4 ™, XPT ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixxh80 | Standard | 625 w | To-247ad (ixxh) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 80A, 3OHM, 15 V. | Pt | 650 V | 160 a | 430 a | 2v @ 15V, 80a | 3,77MJ (EIN), 1,2MJ (AUS) | 120 NC | 38ns/120ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VHFD16-16IO1 | - - - | ![]() | 4310 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | V1a-pak | VHFD16 | Brücke, Einphase - SCRS/DIODEN (Layout 1) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 24 | 100 ma | 1,6 kv | 1 v | 150a, 170a | 65 Ma | 16 a | 2 SCRS, 4 DIODEN | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFB100N50P | 31.5000 | ![]() | 8522 | 0.00000000 | Ixys | HIPERFET ™, Polar | Rohr | Aktiv | - - - | K. Loch | To-264-3, to-264aa | IXFB100 | MOSFET (Metalloxid) | Plus264 ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 500 V | 100a (TC) | 10V | 49mohm @ 50a, 10V | 5v @ 8ma | 240 nc @ 10 v | ± 30 v | 20000 PF @ 25 V. | - - - | 1890W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTM5N100A | - - - | ![]() | 3758 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | Ixtm5 | MOSFET (Metalloxid) | To-204aa (ixtm) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-Kanal | 1000 v | 5a (TC) | 10V | 2OHM @ 2,5a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 2600 PF @ 25 V. | - - - | 180W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSS20-01AC | - - - | ![]() | 3746 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | Isoplus220 ™ | DSS20 | Schottky | Isoplus220 ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 800 mV @ 10 a | 300 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 20a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCD500-16IO1 | - - - | ![]() | 5897 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | WC-500 | MCD500 | Serienverbindung - SCR/Diode | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 1 a | 1,6 kv | 1294 a | 3 v | 16500a @ 50Hz | 300 ma | 545 a | 1 SCR, 1 Diode | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixfh15n80 | - - - | ![]() | 9106 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixfh15 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ad (ixfh) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | IXFH15N80-NDR | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 800 V | 15a (TC) | 10V | 600MOHM @ 7.5A, 10V | 4,5 V @ 4ma | 200 nc @ 10 v | ± 20 V | 4870 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXST30N60CD1 | - - - | ![]() | 6380 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa | Ixst30 | Standard | 200 w | To-268aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 480 V, 30a, 4,7ohm, 15 V. | 50 ns | - - - | 600 V | 55 a | 110 a | 2,5 V @ 15V, 30a | 700 µJ (AUS) | 100 nc | 30ns/90ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MDNA140P2200TG | 45.3850 | ![]() | 2869 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Aktiv | Chassis -berg | To-240aa | MDNA140 | Standard | To-240aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 238-mDNA140P2200TG | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 2200 v | 140a | 1,18 V @ 140 a | 100 µA @ 2200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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