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Diskette Halbeiterprodukte (53)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Strom - reverse -lockage @ vr Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
RD3.0ES NEC Corporation Rd3.0es 0,1500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NEC Corporation - - - Schüttgut Aktiv - - - 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AG, Do-34, axial 400 MW Do-34 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1
NP82N04NLG-S18-AY NEC Corporation NP82N04NLG-S18-AY 2.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NEC Corporation - - - Rohr Veraltet 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) To-262 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 40 v 82a (TC) 4,2mohm @ 41a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 150 NC @ 10 V. 9 PF @ 25 V. - - - 1,8W (TA), 143W (TC)
RD6.2E-AZ NEC Corporation RD6.2E-AZ 0,0600
RFQ
 ECAD 482 0.00000000 NEC Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0050 1
NP82N055MUG-S18-AY NEC Corporation NP82N055MUG-S18-AY 1.9800
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 NEC Corporation - - - Rohr Veraltet 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen Nicht Anwendbar Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 82a (TC) 6mohm @ 41a, 10V 4v @ 250 ähm 160 nc @ 10 v 9600 PF @ 25 V. - - - 1,8W (TA), 143W (TC)
RD16ES-T1 NEC Corporation RD16ES-T1 0,0300
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 NEC Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0050 1
RD12ES(2)-T1-AZ NEC Corporation Rd12es (2) -t1 -Az 0,0300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 NEC Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0050 1
RD2.4E-T1-AZ NEC Corporation Rd2.4e-t1-Az 0,1500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NEC Corporation - - - Schüttgut Aktiv ± 3,91% 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW Do-35 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 120 µa @ 1 V 2,43 v 100 Ohm
RD10E NEC Corporation RD10E - - -
RFQ
 ECAD 2404 0.00000000 NEC Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-RD10E-600049 1
RD3.0ES-T1-AZ NEC Corporation Rd3.0es-t1-Az 0,1400
RFQ
 ECAD 151 0.00000000 NEC Corporation * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-RD3.0ES-T1-AZ-600049 1
2SA954-A NEC Corporation 2SA954-A 0,2400
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 NEC Corporation - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 600 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 0000.00.0000 1 80 v 300 ma 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 30 mA, 300 mA 90 @ 50 Ma, 1V 100 MHz
RD3.0F-AZ NEC Corporation Rd3.0f-Az - - -
RFQ
 ECAD 9204 0.00000000 NEC Corporation - - - Schüttgut Aktiv - - - 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1 w Do-41 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0050 1
NP80N03MDE-S18-AY NEC Corporation NP80N03MDE-S18-AY 2.0000
RFQ
 ECAD 700 0.00000000 NEC Corporation - - - Schüttgut Aktiv 175 ° C. K. Loch To-220-3 NP80 MOSFET (Metalloxid) MP-25K Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 N-Kanal 30 v 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 7mohm @ 40a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 72 NC @ 10 V ± 20 V 3900 PF @ 25 V. - - - 1,8 W (TA), 120 W (TC)
RD18ES-T1-AZ NEC Corporation Rd18es-t1-Az 0,0500
RFQ
 ECAD 816 0.00000000 NEC Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0050 1
NP32N055SHE-E1-AZ NEC Corporation NP32N055SHE-E1-AZ 0,8900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NEC Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0075 2.500
UPA2718GR-E1-AT NEC Corporation UPA2718gr-e1-AT - - -
RFQ
 ECAD 2601 0.00000000 NEC Corporation * Schüttgut Veraltet - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-upa2718gr-e1-AT-600049 1
RD39ES-T1-AZ NEC Corporation Rd39es-t1-Az 0,1500
RFQ
 ECAD 768 0.00000000 NEC Corporation * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-RD39ES-T1-AZ-600049 Ear99 0000.00.0000 1
RD5.6E-T1-AZ NEC Corporation Rd5.6e-t1-Az 0,0600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NEC Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0050 1
NP32N055HLE-AZ NEC Corporation NP32N055HLE-AZ 0,8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NEC Corporation - - - Schüttgut Aktiv 175 ° C. K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa NP32 MOSFET (Metalloxid) To-251 (MP-3) Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 N-Kanal 55 v 32a (ta) 4,5 V, 10 V. 24MOHM @ 16A, 10V 2,5 V @ 250 ähm 41 nc @ 10 v ± 20 V 2000 PF @ 25 V. - - - 1,2 W (TA), 66 W (TC)
2SK4076-ZK-E1-AY NEC Corporation 2SK4076-ZK-e1-ay 0,6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NEC Corporation - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C. Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 2SK4076 MOSFET (Metalloxid) TO-252 (MP-3ZK) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 2.500 N-Kanal 40 v 35a (TC) 4,5 V, 10 V. 16mohm @ 17.5a, 10V 2,5 V @ 1ma 24 nc @ 10 v ± 20 V 1200 PF @ 10 V - - - 1W (TA), 26W (TC)
RD24ES-T1-AZ NEC Corporation Rd24es-t1-Az - - -
RFQ
 ECAD 6507 0.00000000 NEC Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-RD24ES-T1-AZ-600049 1
RD39E NEC Corporation RD39E 0,1500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 NEC Corporation * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert Reichweiite Betroffen 2156-RD39E-600049 1
2SK4070-ZK-E2-AY NEC Corporation 2SK4070-ZK-e2-ay 0,5500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NEC Corporation - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C. Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 2SK4070 MOSFET (Metalloxid) TO-252 (MP-3ZK) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 2.500 N-Kanal 600 V 1a (TC) 10V 11OHM @ 500 mA, 10V 3,5 V @ 1ma 5 NC @ 10 V ± 30 v 110 PF @ 10 V. - - - 1W (TA), 22W (TC)
2SJ606-ZK-E1-AY NEC Corporation 2SJ606-ZK-e1-ay 2.8300
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 NEC Corporation - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-220Smd Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 800 P-Kanal 60 v 83a 10V 15mohm @ 42a, 10V 2,5 V @ 1ma 120 nc @ 10 v ± 20 V 4800 PF @ 10 V. - - - 120W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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