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Diskrete Halbleiterprodukte(4)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | FET-Typ | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HTNFET-D | - |  | 3097 | 0,00000000 | Honeywell Aerospace | HTMOS™ | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 225°C (TJ) | Durchgangsloch | 8-CDIP freiliegendes Pad | HTNFET | MOSFET (Metalloxid) | 8-CDIP-EP | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | 342-1078 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 55 V | - | 5V | 400 mOhm bei 100 mA, 5 V | 2,4 V bei 100 µA | 4,3 nC bei 5 V | 10V | 290 pF bei 28 V | - | 50 W (Tj) | |
 | HTNFET-T | - | | 4674 | 0,00000000 | Honeywell Aerospace | HTMOS™ | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 225°C (TJ) | Durchgangsloch | 4-SIP | HTNFET | MOSFET (Metalloxid) | 4-Power-Registerkarte | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 55 V | - | 5V | 400 mOhm bei 100 mA, 5 V | 2,4 V bei 100 µA | 4,3 nC bei 5 V | 10V | 290 pF bei 28 V | - | 50 W (Tj) | ||
 | HTNFET-DC | - | | 1677 | 0,00000000 | Honeywell Aerospace | HTMOS™ | Schüttgut | Aktiv | - | Durchgangsloch | 8-CDIP freiliegendes Pad | HTNFET | MOSFET (Metalloxid) | - | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 55 V | - | 5V | 400 mOhm bei 100 mA, 5 V | 2,4 V bei 100 µA | 4,3 nC bei 5 V | 10V | 290 pF bei 28 V | - | 50 W (Tj) | ||
| HTNFET-TC | - | | 9171 | 0,00000000 | Honeywell Aerospace | HTMOS™ | Schüttgut | Aktiv | - | Durchgangsloch | - | HTNFET | MOSFET (Metalloxid) | - | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 55 V | - | 5V | 400 mOhm bei 100 mA, 5 V | 2,4 V bei 100 µA | 4,3 nC bei 5 V | 10V | 290 pF bei 28 V | - | 50 W (Tj) |
2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
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