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Diskette HalblerProdukte (15635)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
ES3C M6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3C M6G - - -
RFQ
 ECAD 8892 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC Es3c Standard Do-214AB (SMC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 150 v 950 mv @ 3 a 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 45PF @ 4V, 1 MHz
SK56CHR7G Taiwan Semiconductor Corporation SK56CHR7G 0,3629
RFQ
 ECAD 5511 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC SK56 Schottky Do-214AB (SMC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 850 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 750 mv @ 5 a 500 µa @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a - - -
1N4933GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4933GHB0G - - -
RFQ
 ECAD 8127 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4933 Standard DO-204AL (DO-41) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 1,2 V @ 1 a 200 ns 5 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4v, 1 MHz
BC546A A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC546A A1 - - -
RFQ
 ECAD 7405 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Box (TB) Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 500 MW To-92 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 1801-BC546AA1TB Veraltet 1 65 V 100 ma 15NA (ICBO) Npn - - - 110 @ 2MA, 5V - - -
BC337-25 Taiwan Semiconductor Corporation BC337-25 0,0441
RFQ
 ECAD 3215 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Box (TB) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) BC337 625 MW To-92 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1801-BC337-25TB Ear99 8541.21.0075 8.000 45 V 800 mA 100NA (ICBO) Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 160 @ 100 mA, 5V 100 MHz
TSM060NB06CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM060NB06CZ C0G 4.1700
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 ECAD 5072 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 TSM060 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1801-TSM060NB06CZC0G Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 60 v 13a (ta), 111a (TC) 7v, 10V 6mohm @ 13a, 10V 4v @ 250 ähm 103 NC @ 10 V ± 20 V 6842 PF @ 30 V - - - 2W (TA), 156W (TC)
BC337-16-B0 A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC337-16-B0 A1G - - -
RFQ
 ECAD 8294 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Box (TB) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 1801-BC337-16-B0A1GTB Veraltet 1 45 V 800 mA 100NA (ICBO) Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 250 @ 100 mA, 5V 100 MHz
BC338-40-B0 A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC338-40-B0 A1G - - -
RFQ
 ECAD 2708 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Box (TB) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 1801-BC338-40-B0A1GTB Veraltet 1 25 v 800 mA 100NA (ICBO) Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 250 @ 100 mA, 5V 100 MHz
TSM650P03CX Taiwan Semiconductor Corporation TSM650P03CX 0,2806
RFQ
 ECAD 2315 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 TSM650 MOSFET (Metalloxid) SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1801-TSM650P03CXTR Ear99 8541.29.0095 12.000 P-Kanal 30 v 4.1a (TC) 2,5 V, 10 V. 65mohm @ 4a, 10V 900 MV @ 250 ähm 8 NC @ 4,5 V. ± 12 V 810 PF @ 15 V - - - 1,56W (TC)
BZX79C4V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C4V7 0,0287
RFQ
 ECAD 2010 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1801-BZX79C4V7TR Ear99 8541.10.0050 20.000 1,5 V @ 100 mA 3 µa @ 2 V 4,7 v 80 Ohm
BAS70-04 Taiwan Semiconductor Corporation Bas70-04 0,0453
RFQ
 ECAD 1605 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bas70 Standard SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1801-Bas70-04tr Ear99 8541.10.0070 6.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Serie Verbindung 70 V 70 Ma 1 V @ 15 mA 5 ns 100 na @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C.
SR103 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR103 R0G - - -
RFQ
 ECAD 1934 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic K. Loch Do-204Al, Do-41, axial SR103 Schottky DO-204AL (DO-41) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 550 mV @ 1 a 500 µa @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a - - -
UF4001 A0G Taiwan Semiconductor Corporation UF4001 A0G - - -
RFQ
 ECAD 8197 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Box (TB) Aktiv K. Loch Do-204Al, Do-41, axial UF4001 Standard DO-204AL (DO-41) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 17pf @ 4v, 1 MHz
TSM2N60ECP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N60ECP ROG - - -
RFQ
 ECAD 8884 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 TSM2 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 600 V 2a (TC) 10V 4OHM @ 1a, 10V 5 V @ 250 ähm 9,5 NC @ 10 V. ± 30 v 362 PF @ 25 V. - - - 52.1W (TC)
TSM160N10LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM160N10LCR RLG 3.8300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn TSM160 MOSFET (Metalloxid) 8-PDFN (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 100 v 46a (TC) 4,5 V, 10 V. 16mohm @ 8a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 73 NC @ 10 V ± 20 V 4431 PF @ 50 V - - - 83W (TC)
ES1CLHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Es1Clhrtg - - -
RFQ
 ECAD 5753 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-219AB ES1C Standard Sub SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 7.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 150 v 950 mv @ 1 a 35 ns 5 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4v, 1 MHz
UGF2006GH Taiwan Semiconductor Corporation UGF2006GH 0,6996
RFQ
 ECAD 3347 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte UGF2006 Standard ITO-220AB Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1801-UGF2006GH Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 400 V 20a 1,25 V @ 10 a 20 ns 5 µa @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C.
BC817-40 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC817-40 RFG 0,0346
RFQ
 ECAD 2983 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC817 300 MW SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 250 @ 100 mA, 1V 100 MHz
1N4001G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001G A0G - - -
RFQ
 ECAD 1559 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Box (TB) Aktiv K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4001 Standard DO-204AL (DO-41) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 50 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4v, 1 MHz
F1T6G Taiwan Semiconductor Corporation F1t6g 0,0742
RFQ
 ECAD 7086 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch T-18, axial F1T6 Standard TS-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 800 V 1,3 V @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
SS210L RQG Taiwan Semiconductor Corporation SS210L RQG - - -
RFQ
 ECAD 2218 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-219AB SS210 Schottky Sub SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 850 mV @ 2 a 100 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 2a - - -
HER307G Taiwan Semiconductor Corporation HER307G 0,2361
RFQ
 ECAD 7459 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch Do-201ad, axial HER307 Standard Do-201ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1,250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 800 V 1,7 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 35PF @ 4V, 1 MHz
TSM340N06CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM340N06CZ C0G - - -
RFQ
 ECAD 1736 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen TSM340N06CZC0G Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 60 v 30a (TC) 4,5 V, 10 V. 34mohm @ 15a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 16.6 NC @ 10 V. ± 20 V 1180 PF @ 30 V - - - 66W (TC)
SR16150PTH Taiwan Semiconductor Corporation SR16150PTH - - -
RFQ
 ECAD 6679 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Rohr Abgebrochen bei Sic K. Loch To-247-3 SR16150 Schottky To-247ad (to-3p) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 16a 1 V @ 8 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
ES2DV R5G Taiwan Semiconductor Corporation ES2DV R5G - - -
RFQ
 ECAD 4577 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB Es2d Standard Do-214AA (SMB) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 850 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 900 mv @ 2 a 20 ns 5 µa @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 25pf @ 4v, 1 MHz
S1GL RHG Taiwan Semiconductor Corporation S1gl RHG - - -
RFQ
 ECAD 4376 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-219AB S1g Standard Sub SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1,1 V @ 1 a 1,8 µs 5 µa @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 9pf @ 4v, 1 MHz
SR220HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR220HA0G - - -
RFQ
 ECAD 4777 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Band & Box (TB) Aktiv K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial SR220 Schottky DO-204AC (Do-15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 950 mV @ 2 a 100 µA @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 2a - - -
TSOD1F6HM RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSOD1F6HM RVG - - -
RFQ
 ECAD 2671 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123F TSOD1 Standard SOD-123FL Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,3 V @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 4PF @ 4V, 1 MHz
BAV21WS-G Taiwan Semiconductor Corporation BAV21WS-G 0,0334
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 ECAD 6306 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 BAV21 Standard SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1801-BAV21WS-GTR Ear99 8541.10.0070 9.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 200 v 1,25 V @ 100 mA 50 ns 100 Na @ 200 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 200 ma 5PF @ 0V, 1MHz
SS14L M2G Taiwan Semiconductor Corporation SS14L M2G - - -
RFQ
 ECAD 6451 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-219AB SS14 Schottky Sub SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 7.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 550 mV @ 1 a 400 µa @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    Lagerhaus

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