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Diskrete Halbleiterprodukte(545)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	FET-Typ	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)
2SD1246S-AA	0,1400	Anfrage	45	Sanyo	*	Schüttgut	Aktiv							herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0075	1
2SJ646-TL-E	0,2100	Anfrage	8	Sanyo	*	Schüttgut	Aktiv							herunterladen		Anbieter nicht definiert	Anbieter nicht definiert	2156-2SJ646-TL-E-600057			1
MCH3431-TL-E	-	Anfrage	1473	Sanyo	*	Schüttgut	Veraltet							-	Nicht RoHS-konform		Anbieter nicht definiert	2156-MCH3431-TL-E-600057			1
2SJ662-DL-E	1.1600	Anfrage	480	Sanyo	*	Schüttgut	Aktiv				2SJ662	-		-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert			0000.00.0000	1								-
2SK2632LS	-	Anfrage	7412	Sanyo	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket		MOSFET (Metalloxid)	TO-220FI(LS)	herunterladen	Nicht zutreffend				EAR99	8541.29.0095	100	N-Kanal	800 V	2,5A (Ta)	4,8 Ohm bei 1,3 A, 15 V	-	15 nC bei 10 V	550 pF bei 20 V	-	2W (Ta), 25W (Tc)