SIC
close
Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Toleranz Betriebstemperatur Montageart Paket/Koffer Basisproduktnummer Technologie Leistung – max Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) REACH-Status Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Konfiguration FET-Typ Gewinnen Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds FET-Funktion Verlustleistung (max.) Triac-Typ Spannung – Aus-Zustand Strom – Einschaltzustand (It (RMS)) (Max) Spannung – Gate-Trigger (Vgt) (Max) Strom – Nicht-Rep. Überspannung 50, 60 Hz (Itsm) Strom – Gate-Trigger (Igt) (Max) Strom – Rückwärtsleckage bei Vr Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom – Kollektorabschaltung (max.) Spannung – Zener (Nom) (Vz) Impedanz (Max) (Zzt) Transistortyp Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce Häufigkeit – Übergang Widerstand - Basis (R1) Rauschzahl (dB Typ @ f)
2SK3714-S12-AZ Renesas 2SK3714-S12-AZ 2.0100
Anfrage
ECAD 139 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet 150°C Durchgangsloch TO-220-3 Isolierte Registerkarte MOSFET (Metalloxid) MP-45F herunterladen Nicht RoHS-konform REACH Unberührt 2156-2SK3714-S12-AZ EAR99 8541.29.0075 1 N-Kanal 60 V 50A (Tc) 4V, 10V 13 mOhm bei 25 A, 10 V 2,5 V bei 1 mA 60 nC bei 10 V ±20V 3200 pF bei 10 V - 2W (Ta), 35W (Tc)
HZU33B-JTRF-E Renesas HZU33B-JTRF-E 0,0700
Anfrage
ECAD 159 0,00000000 Renesas * Schüttgut Aktiv herunterladen Anbieter nicht definiert Anbieter nicht definiert 2156-HZU33B-JTRF-E-1833 1
HZM6.8NB3TR-E Renesas HZM6.8NB3TR-E 0,1500
Anfrage
ECAD 42 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet ±2 % 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 mW 3-MPAK - Nicht RoHS-konform REACH Unberührt 2156-HZM6.8NB3TR-E EAR99 8541.10.0050 1 2 µA bei 3,5 V 7 V 30 Ohm
2SK2925L06-E Renesas 2SK2925L06-E -
Anfrage
ECAD 6499 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet - 2156-2SK2925L06-E 1
2SD571-AZ Renesas 2SD571-AZ -
Anfrage
ECAD 5114 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet 150°C (TJ) Durchgangsloch 3-SSIP - - 2156-2SD571-AZ 1 100nA (ICBO) NPN 600 mV bei 2 mA, 20 mA - 110 MHz
RD33P-T1-AZ Renesas RD33P-T1-AZ -
Anfrage
ECAD 2271 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet ±6,06 % 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-243AA 1 W - Nicht RoHS-konform REACH Unberührt 2156-RD33P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 10 µA bei 25 V 33 V 80 Ohm
BCR10CM-12LB#BB0 Renesas BCR10CM-12LB#BB0 -
Anfrage
ECAD 7449 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 TO-220ABS - 2156-BCR10CM-12LB#BB0 1 Einzeln Standard 600 V 10 A 1,5 V 100A bei 60Hz 30mA
2SJ604-Z-AZ Renesas 2SJ604-Z-AZ 1.8100
Anfrage
ECAD 4755 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet 150°C Oberflächenmontage TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB MOSFET (Metalloxid) TO-263, TO-220SMD - Nicht RoHS-konform REACH Unberührt 2156-2SJ604-Z-AZ EAR99 8541.29.0095 1 P-Kanal 60 V 45A (Tc) 4V, 10V 30 mOhm bei 23 A, 10 V 2,5 V bei 1 mA 63 nC bei 10 V ±20V 3300 pF bei 10 V - 1,5 W (Ta), 70 W (Tc)
RD22FM(0)-T1-AY Renesas RD22FM(0)-T1-AY -
Anfrage
ECAD 7445 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet - 2156-RD22FM(0)-T1-AY 1
2SD1694(1)-AZ Renesas 2SD1694(1)-AZ -
Anfrage
ECAD 1562 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet - 2156-2SD1694(1)-AZ 1
GA1A4Z-T1-A Renesas GA1A4Z-T1-A 0,1100
Anfrage
ECAD 11 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet Oberflächenmontage SC-70, SOT-323 GA1A4Z 150 mW SC-70 - Nicht RoHS-konform Anbieter nicht definiert 2156-GA1A4Z-T1-A EAR99 8541.29.0095 2.719 50 V 100mA 100nA NPN – Voreingestellt 200 mV bei 250 µA, 5 mA 135 bei 5 mA, 5 V 10 kOhm
HZM5.6NB2TR-E Renesas HZM5.6NB2TR-E 0,1600
Anfrage
ECAD 60 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet ±2,14 % 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 mW 3-MPAK - Nicht RoHS-konform REACH Unberührt 2156-HZM5.6NB2TR-E EAR99 8541.10.0050 1 5 µA bei 2,5 V 5,61 V 80 Ohm
RJK6013DPP-E0#T2 Renesas RJK6013DPP-E0#T2 4.4900
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet 150°C Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket MOSFET (Metalloxid) TO-220FP - Nicht RoHS-konform REACH Unberührt 2156-RJK6013DPP-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 11A (Ta) 10V 700 mOhm bei 5,5 A, 10 V 4,5 V bei 1 mA 37,5 nC bei 10 V ±30V 1450 pF bei 25 V - 30W (Tc)
UPA1722G-E2-A Renesas UPA1722G-E2-A -
Anfrage
ECAD 6348 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet 150°C Oberflächenmontage 8-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite) MOSFET (Metalloxid) 8-SOP - 2156-UPA1722G-E2-A 1 N-Kanal 30 V 9A (Ta) 4V, 10V 21 mOhm bei 4,5 A, 10 V 2,5 V bei 1 mA 20 nC bei 10 V ±20V 980 pF bei 10 V - 2W (Ta)
HZU4.3B2TRF-E Renesas HZU4.3B2TRF-E 0,0900
Anfrage
ECAD 18 0,00000000 Renesas * Schüttgut Aktiv herunterladen Anbieter nicht definiert REACH Unberührt 2156-HZU4.3B2TRF-E-1833 1
2SD1581-T-AZ Renesas 2SD1581-T-AZ -
Anfrage
ECAD 6400 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch 3-SSIP - - 2156-2SD1581-T-AZ 1 100nA (ICBO) NPN 300 mV bei 10 mA, 1A 800 bei 500 mA, 5 V 350 MHz
RD22FS(0)-T1-AY Renesas RD22FS(0)-T1-AY -
Anfrage
ECAD 2260 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet - 2156-RD22FS(0)-T1-AY 1
HZM18NB2TL-E Renesas HZM18NB2TL-E 0,1600
Anfrage
ECAD 72 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet ±2,2 % 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 mW 3-MPAK - Nicht RoHS-konform REACH Unberührt 2156-HZM18NB2TL-E EAR99 8541.10.0050 1 2 µA bei 13 V 17,96 V 45 Ohm
HZM20NB2TR-E Renesas HZM20NB2TR-E 0,1600
Anfrage
ECAD 18 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet ±2,18 % 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 mW 3-MPAK herunterladen Nicht RoHS-konform REACH Unberührt 2156-HZM20NB2TR-E EAR99 8541.10.0050 1.888 2 µA bei 15 V 19,96 V 50 Ohm
RJK5013DPP-E0#T2 Renesas RJK5013DPP-E0#T2 4.9400
Anfrage
ECAD 17 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet 150°C Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket MOSFET (Metalloxid) TO-220FP - Nicht RoHS-konform REACH Unberührt 2156-RJK5013DPP-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 61 N-Kanal 500 V 14A (Ta) 10V 465 mOhm bei 7 A, 10 V 4,5 V bei 1 mA 38 nC bei 10 V ±30V 1450 pF bei 25 V - 30W (Tc)
RD13P(1)-T1-AZ Renesas RD13P(1)-T1-AZ 0,3900
Anfrage
ECAD 19 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet ±6,54 % 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1 W herunterladen Nicht RoHS-konform REACH Unberührt 2156-RD13P(1)-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 10 µA bei 10 V 13 V 30 Ohm
2SC5293(0)-T-AZ Renesas 2SC5293(0)-T-AZ -
Anfrage
ECAD 1101 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet - 2156-2SC5293(0)-T-AZ 1
RD150S-T1-AT Renesas RD150S-T1-AT -
Anfrage
ECAD 6133 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet - 2156-RD150S-T1-AT 1
BCR20CM-12LB#BB0 Renesas BCR20CM-12LB#BB0 1.7300
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 TO-220ABS - 2156-BCR20CM-12LB#BB0 174 Einzeln Standard 600 V 20 A 1,5 V 200A bei 60Hz 30mA
HZM22NB2TL-E Renesas HZM22NB2TL-E 0,1600
Anfrage
ECAD 21 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet ±2,11 % 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 mW 3-MPAK - Nicht RoHS-konform REACH Unberührt 2156-HZM22NB2TL-E EAR99 8541.10.0050 1 2 µA bei 17 V 22.01 V 55 Ohm
2SC2721-AZ Renesas 2SC2721-AZ -
Anfrage
ECAD 9912 0,00000000 Renesas - Schüttgut Veraltet 150°C (TJ) Durchgangsloch 3-SSIP 1W - - 2156-2SC2721-AZ 1 - 60V 700mA NPN 90 bei 100 mA, 1 V 110 MHz -
HZU27B-JTRF-E Renesas HZU27B-JTRF-E 0,0700
Anfrage
ECAD 24 0,00000000 Renesas * Schüttgut Aktiv herunterladen Anbieter nicht definiert REACH Unberührt 2156-HZU27B-JTRF-E-1833 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lager vorrätig