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Diskette HalblerProdukte (447)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Strom - Hold (ih) (max)	Gewinnen	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Triactyp	Spannung - Staat	Strom - Auf Status (It (RMS)) (max)	Spannung - Gate Trigger (VGT) (max)	Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM)	Strom - Gate Trigger (IGT) (max)	Spannung - Im Zustand (VTM) (max)	Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max)	Aktuell - Aus dem Zustand (max)	SCR -Typ	Strom - reverse -lockage @ vr	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
2SK3354 (0) -Z-e1-ay	- - -	RFQ	9228	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		MOSFET (Metalloxid)		To-263, to-220Smd	- - -				2156-2SK3354 (0) -Z-E1-ay			1		N-Kanal			60 v	83a (TC)	4 V, 10V	8mohm @ 42a, 10V	2,5 V @ 1ma	106 NC @ 10 V	± 20 V	6300 PF @ 10 V.	- - -	1,5 W (TA), 100 W (TC)
RD47P-T2-Az	0,4300	RFQ	9	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet									- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen	2156-RD47P-T2-Az	Ear99	8541.10.0080	1
2SC4901YK-tr-e	0,5400	RFQ	213	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323			100 MW	3-cmpak	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-2SC4901YK-tr-e	Ear99	8541.29.0095	1				- - -																						9V	50 ma				Npn		50 @ 20 Ma, 5V	9GHz	1,2 dB bei 900 MHz
CR5AS-12A#C01	- - -	RFQ	3436	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63				MP-3A	- - -				2156-CR5AS-12A#C01			1			3,5 Ma													600 V	7.8 a	800 mV	90a @ 60Hz	100 µA	1,8 v	5 a	1 Ma	Sensibler tor
RD16P (2) -T1 -Az	0,3800	RFQ	15	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	± 5,63%	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			1 w		- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen	2156-RD16P (2) -T1-Az	Ear99	8541.10.0050	785																									10 µa @ 12 V				16 v	40 Ohm
Hzu12b2jtrf-e	0,1000	RFQ	42	Renesas	*	Schüttgut	Aktiv									Herunterladen		Verkäfer undefiniert	UnberÜHrt Ereichen	2156-HZU12B2JTRF-E-1833			1
HZM27NB-JTR-E	0,1500	RFQ	66	Renesas	*	Schüttgut	Aktiv									Herunterladen		Verkäfer undefiniert	UnberÜHrt Ereichen	2156-Hzm27NB-JTR-E-1833			1
2SK3447TZ-E	0,4100	RFQ	10	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C.	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 Langer Körper		MOSFET (Metalloxid)		To-92mod	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-2SK3447TZ-E	Ear99	8541.21.0095	728		N-Kanal			150 v	1a (ta)	4 V, 10V	1,95OHM @ 500 mA, 10V	2,5 V @ 1ma	4,5 NC @ 10 V.	± 20 V	85 PF @ 10 V.	- - -	900 MW (TA)
BCR8KM-12LA-1AR#x2	1.1100	RFQ	4	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack				To-220fn	- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen	2156-BCR8KM-12LA-1AR#x2	Ear99	8541.30.0080	1	Einzel														Standard	600 V	8 a	1,5 v	80a @ 60Hz	30 ma
Rd11p-T1-Az	0,3400	RFQ	12	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	± 5,45%	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-243aa			1 w	SOT-89	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	2156-RD11p-T1-Az	Ear99	8541.10.0050	1																									10 µa @ 8 V				11 v	20 Ohm
UPA2730TP-E2-AZ	0,9900	RFQ	25	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C.	Oberflächenhalterung	8-Powersoic (0,173 ", 4,40 mm Breit)		MOSFET (Metalloxid)		8-hsop	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-upa2730tp-e2-Az	Ear99	8541.29.0095	305		P-Kanal			30 v	20A (TA), 42A (TC)	4 V, 10V	7mohm @ 7.5a, 10V	2,5 V @ 1ma	97 NC @ 10 V	± 20 V	4670 PF @ 10 V.	- - -	3W (TA), 40W (TC)
NP32N055SDE-E1-AZ	1.0700	RFQ	10	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet		175 ° C.	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252 (MP-3ZK)	- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen	2156-NP32N055SDE-E1-AZ	Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal			55 v	32a (TC)	4,5 V, 10 V.	24MOHM @ 16A, 10V	2,5 V @ 250 ähm	41 nc @ 10 v	± 20 V	2000 PF @ 25 V.	- - -	1,2 W (TA), 66 W (TC)
2SB798 (0) -T1 -Az	- - -	RFQ	2144	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-243aa				SC-62	- - -				2156-2SB798 (0) -T1-Az			1																												100NA (ICBO)			PNP	400mv @ 100 mA, 1a	90 @ 100 mA, 1V	110 MHz
2SC3380AS04ur-e	1.0000	RFQ	5490	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet									- - -				2156-2SC3380AS04ur-e			1
Rkz27tjkg#p1	0,1100	RFQ	105	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet									- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen	2156-RKZ27TJKG#P1	Ear99	8541.10.0050	1
CR5AS-12A#B00	- - -	RFQ	9090	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63				MP-3A	- - -				2156-CR5AS-12A#B00			1			3,5 Ma													600 V	7.8 a	800 mV	90a @ 60Hz	100 µA	1,8 v	5 a	1 Ma	Sensibler tor
RJK5012DPP-MG#T2	2.3100	RFQ	478	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C.	K. Loch	To-220-3 Full Pack		MOSFET (Metalloxid)		To-220fn	Herunterladen	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen	2156-RJK5012DPP-MG#T2	Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal			500 V	12a (ta)	10V	620mohm @ 6a, 10V	4,5 V @ 1ma	29 NC @ 10 V	± 30 v	1100 PF @ 25 V.	- - -	30W (TC)
BCR3FM-12RB#BB0	0,9500	RFQ	199	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack				To-220fp	- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen	2156-BCR3FM-12RB#BB0	Ear99	8541.30.0080	1	Einzel														Standard	600 V	3 a	1,5 v	30a @ 60Hz	15 Ma
UPA2790gr-e1-AT	0,9400	RFQ	10	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C.	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,173 ", 4,40 mm Breit)	UPA2790	MOSFET (Metalloxid)	1.7W (TA)	8-Sop	Herunterladen	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen	2156-upa2790gr-e1-at	Ear99	8541.29.0095	1	N und p-kanal				30V	6a (ta)		28mohm @ 3a, 10V, 60MOHM @ 3a, 10 V.	2,5 V @ 1ma	12.6nc @ 10v, 11nc @ 10v		500pf @ 10v, 460pf @ 10v	- - -
Hzu12b1trf-e	0,1200	RFQ	54	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	± 2,06%	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SC-76A			200 MW	2-URP	Herunterladen	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen	2156-HZU12B1TRF-E	Ear99	8541.10.0050	1																									2 µa @ 9 V				11.66 v	35 Ohm
RD3.6FS (0) -T1 -ay	- - -	RFQ	5422	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet									- - -				2156-RD3.6FS (0) -T1-ay			1
RJK6011DP3-A0#J2	0,9900	RFQ	45	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet		- - -	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa		MOSFET (Metalloxid)		SOT-223	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-RJK6011DP3-A0#J2	Ear99	8541.21.0095	1		N-Kanal			600 V	100 ma	- - -	- - -	- - -		- - -		- - -	- - -
2Sc945a-ta	- - -	RFQ	2159	Renesas	*	Schüttgut	Veraltet									- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-2SC945A-TA-1833			1
2SJ494-Az	1.0000	RFQ	3579	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C.	K. Loch	To-220-3 isolierte RegisterKarte		MOSFET (Metalloxid)		MP-45F	Herunterladen	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen	2156-2SJ494-Az	Ear99	8541.29.0075	1		P-Kanal			60 v	20a (ta)	4 V, 10V	50mohm @ 10a, 10V	2V @ 1ma	74 NC @ 10 V	± 20 V	2360 PF @ 10 V.	- - -	2W (TA), 35W (TC)
CR08AS-12-T14#F10	- - -	RFQ	4310	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-243aa				Upak	- - -				2156-CR08AS-12-T14#F10			1			3 ma													600 V	1.26 a	800 mV	10a @ 60Hz	100 µA	1,5 v	800 mA	500 µA	Standardwiederherherster
UPA1902TE-T1-AT	0,3000	RFQ	111	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C.	Oberflächenhalterung	SC-95		MOSFET (Metalloxid)		SC-95	Herunterladen	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-upa1902te-t1-at	Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal			30 v	7a (ta)	4,5 V, 10 V.	22mohm @ 3,5a, 10V	2,5 V @ 1ma	8 NC @ 5 V	± 20 V	780 PF @ 10 V.	- - -	200 MW (TA)
2SK3575-Az	2.3800	RFQ	824	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C.	K. Loch	To-220-3		MOSFET (Metalloxid)		To-220ab	- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen	2156-2SK3575-Az	Ear99	8541.29.0075	1		N-Kanal			30 v	83a (TC)	4,5 V, 10 V.	4,5 MOHM @ 42A, 10V	2,5 V @ 1ma	70 nc @ 10 v	± 20 V	3700 PF @ 10 V.	- - -	1,5 W (TA), 105W (TC)
CR6CM-12A#BB0	- - -	RFQ	9680	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				To-220abs	- - -				2156-CR6CM-12A#BB0			1			15 Ma													600 V	9.4 a	1 v	90a @ 50Hz	10 ma	1,7 v	6 a	2 Ma	Standardwiederherherster
BCR25CM-12LB#BB0	- - -	RFQ	8733	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				To-220abs	- - -				2156-BCR25CM-12LB#BB0			1	Einzel														Standard	600 V	25 a	2 v	250a @ 50Hz	50 ma
BCR16CM-12LB#BB0	0,1000	RFQ	96	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				To-220abs	- - -				2156-BCR16CM-12LB#BB0			2.996	Einzel														Standard	600 V	16 a	1,5 v	170a @ 60Hz	30 ma

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (447)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²