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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Strom – Halten (Ih) (Max) | Triac-Typ | Spannung – Aus-Zustand | Strom – Einschaltzustand (It (RMS)) (Max) | Spannung – Gate-Trigger (Vgt) (Max) | Strom – Nicht-Rep. Überspannung 50, 60 Hz (Itsm) | Strom – Gate-Trigger (Igt) (Max) | Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If | Strom – Rückwärtsleckage bei Vr | Betriebstemperatur – Verbindungsstelle | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | Kapazität @ Vr, F | Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | Strom - Kollektor (Ic) (Max) | Strom – Kollektorabschaltung (max.) | Spannung – Zener (Nom) (Vz) | Impedanz (Max) (Zzt) | Transistortyp | Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | Häufigkeit – Übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NXP3875Y,215 | - | ![]() | 6198 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | * | Schüttgut | Aktiv | herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSV52.215 | 0,0500 | ![]() | 37 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | TO-236AB | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BSV52,215-954 | 1 | 12 V | 100mA | 400nA (ICBO) | NPN | 400 mV bei 5 mA, 50 mA | 40 bei 10 mA, 1 V | 500 MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B8V2.113 | 0,0200 | ![]() | 130 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | ±2 % | -65 °C ~ 200 °C | Durchgangsloch | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 mW | ALF2 | herunterladen | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV bei 10 mA | 700 nA bei 5 V | 8,2 V | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCM847BV,115 | - | ![]() | 9326 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOT-563, SOT-666 | BCM847 | 300 mW | SOT-666 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BCM847BV,115-954 | 1 | 45V | 100mA | 15nA (ICBO) | 2 NPN (Dual) Matched Pair | 400 mV bei 5 mA, 100 mA | 200 bei 2 mA, 5 V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384-B4V7.115 | - | ![]() | 3698 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | ±2 % | -65 °C ~ 150 °C | Oberflächenmontage | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300 mW | SOD-323 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BZX384-B4V7,115-954 | 1 | 1,1 V bei 100 mA | 3 µA bei 2 V | 4,7 V | 80 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RB521S30,115 | - | ![]() | 6894 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | SC-79, SOD-523 | Schottky | SOD-523 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-RB521S30,115-954 | 1 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 30 V | 500 mV bei 200 mA | 30 µA bei 10 V | 150 °C (max.) | 200mA | 25 pF bei 1 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX10C,133 | - | ![]() | 2866 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | NZX | Schüttgut | Aktiv | ±2 % | 175°C (TJ) | Durchgangsloch | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 mW | ALF2 | - | Nicht RoHS-konform | Anbieter nicht definiert | 2156-NZX10C,133-954 | 1 | 1,5 V bei 200 mA | 200 nA bei 7 V | 10 V | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C56,115 | 0,0200 | ![]() | 37 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | ±5 % | -65 °C ~ 200 °C | Oberflächenmontage | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 mW | LLDS; MiniMelf | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BZV55-C56,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV bei 10 mA | 50 nA bei 39,2 V | 56 V | 200 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-A3V3.215 | 0,1100 | ![]() | 6 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ±1 % | -65 °C ~ 150 °C | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | TO-236AB | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BZX84-A3V3,215-954 | 1 | 900 mV bei 10 mA | 5 µA bei 1 V | 3,3 V | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU6.2B2L,315 | 1.0000 | ![]() | 3739 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | ±2 % | -55 °C ~ 150 °C | Oberflächenmontage | SOD-882 | PZU6.2 | 250 mW | DFN1006-2 | herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V bei 100 mA | 500 nA bei 3 V | 6,2 V | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B16,215 | 0,0200 | ![]() | 26 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ±2 % | -65 °C ~ 150 °C | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | TO-236AB | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BZX84-B16,215-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV bei 10 mA | 50 nA bei 11,2 V | 16 V | 40 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA204X-600C,127 | 0,2500 | ![]() | 20 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | 125°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 Vollpackung, isolierte Registerkarte | BTA204 | TO-220F | herunterladen | EAR99 | 8541.30.0080 | 1.202 | Einzeln | 20mA | Standard | 600 V | 4 A | 1,5 V | 25A, 27A | 35mA |

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