Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung – Nennspannung | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Frequenz | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET-Typ | Nennstrom (Ampere) | Aktuell - Test | Leistung – Leistung | Gewinnen | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) | Rauschzahl | Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If | Reverse Recovery Time (trr) | Strom – Rückwärtsleckage bei Vr | Betriebstemperatur – Verbindungsstelle | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | Kapazität @ Vr, F | Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | Strom - Kollektor (Ic) (Max) | Spannung – Test | Strom – Kollektorabschaltung (max.) | Spannung – Zener (Nom) (Vz) | Impedanz (Max) (Zzt) | Transistortyp | Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | Häufigkeit – Übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PZU4.3B2,115 | - | ![]() | 2424 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ±2 % | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-90, SOD-323F | 310 mW | SC-90 | - | Nicht RoHS-konform | Anbieter nicht definiert | 2156-PZU4.3B2,115-954 | 1 | 1,1 V bei 100 mA | 3 µA bei 1 V | 4,3 V | 90 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PH9130AL115 | 0,2500 | ![]() | 153 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | * | Schüttgut | Aktiv | PH9130 | herunterladen | Anbieter nicht definiert | REACH Unberührt | 2156-PH9130AL115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6VP3091NR1 | - | ![]() | 6863 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Veraltet | 115 V | Oberflächenmontage | TO-270AB | 470 MHz ~ 1.215 GHz | LDMOS (Dual), Common Source | TO-270 WB-4 | - | Nicht RoHS-konform | Anbieter nicht definiert | 2156-MRF6VP3091NR1-954 | 1 | 2 N-Kanal | 10µA | 450mA | 90W | 22dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN1R8-30PL,127 | 1.0000 | ![]() | 1915 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | PSMN1R8 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | Nicht zutreffend | REACH Unberührt | 2156-PSMN1R8-30PL,127-954 | 1 | N-Kanal | 30 V | 100A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 1,8 mOhm bei 25 A, 10 V | 2,15 V bei 1 mA | 170 nC bei 10 V | ±20V | 10180 pF bei 12 V | - | 270 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU3.0B1,115 | 0,0300 | ![]() | 13 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Veraltet | ±2 % | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-90, SOD-323F | 310 mW | SOD-323F | - | Nicht RoHS-konform | Anbieter nicht definiert | 2156-PZU3.0B1,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V bei 100 mA | 10 µA bei 1 V | 3 V | 95 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP56-16HX | - | ![]() | 3505 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BCP56-16HX-954 | 8541.29.0075 | 1 | 80 V | 1 A | 100nA (ICBO) | NPN | 500 mV bei 50 mA, 500 mA | 100 bei 150 mA, 2 V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C22,115 | 0,0200 | ![]() | 145 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | ±5 % | -65 °C ~ 200 °C | Oberflächenmontage | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 mW | LLDS; MiniMelf | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BZV55-C22,115-954 | 1 | 900 mV bei 10 mA | 50 nA bei 15,4 V | 22 V | 55 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN035-150P,127 | 0,7500 | ![]() | 15 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | TrenchMOS™ | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | Anbieter nicht definiert | REACH Unberührt | 2156-PSMN035-150P,127-954 | 1 | N-Kanal | 150 V | 50A (Tc) | 10V | 35 mOhm bei 25 A, 10 V | 4V bei 1mA | 79 nC bei 10 V | ±20V | 4720 pF bei 25 V | - | 250 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857AW,115 | 0,0200 | ![]() | 279 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-70, SOT-323 | BC857 | 200 mW | SOT-323 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BC857AW,115-954 | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 100mA | 15nA (ICBO) | PNP | 600 mV bei 5 mA, 100 mA | 125 bei 2 mA, 5 V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMCM4401VNE/S500Z | - | ![]() | 1093 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | * | Schüttgut | Aktiv | herunterladen | Anbieter nicht definiert | REACH Unberührt | 2156-PMCM4401VNE/S500Z-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG045T150EPDAZ | 0,3600 | ![]() | 92 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-277, 3-PowerDFN | Schottky | CFP15 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-PMEG045T150EPDAZ-954 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 45 V | 550 mV bei 15 A | 20 ns | 100 µA bei 45 V | 175 °C (max.) | 15A | 800pF bei 10V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMPB23XNEZ | 0,1000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 6-UDFN freiliegendes Pad | MOSFET (Metalloxid) | DFN2020MD-6 | herunterladen | Nicht RoHS-konform | Anbieter nicht definiert | 2156-PMPB23XNEZ | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.600 | N-Kanal | 20 V | 7A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 22 mOhm bei 7 A, 4,5 V | 900 mV bei 250 µA | 17 nC bei 4,5 V | ±12V | 1136 pF bei 10 V | - | 1,7 W (Ta) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN48XP,125 | 0,1300 | ![]() | 3 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-74, SOT-457 | MOSFET (Metalloxid) | 6-TSOP | herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | P-Kanal | 20 V | 4,1A (Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 55 mOhm bei 2,4 A, 4,5 V | 1,25 V bei 250 µA | 13 nC bei 4,5 V | ±12V | 1000 pF bei 10 V | - | 530 mW (Ta), 6,25 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZT4403,115 | 0,0900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-261-4, TO-261AA | 1,15 W | SOT-223 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-PZT4403,115-954 | 1 | 40 V | 600 mA | 50nA (ICBO) | PNP | 750 mV bei 50 mA, 500 mA | 100 bei 150 mA, 1 V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C62,115 | 0,0200 | ![]() | 165 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ±5 % | -65°C ~ 150°C (TA) | Oberflächenmontage | SOD-123F | BZT52 | 375 mW | SOD-123F | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BZT52H-C62,115-954 | 1 | 900 mV bei 10 mA | 50 nA bei 43,4 V | 62 V | 140 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C5V6.133 | 0,0200 | ![]() | 325 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | ±5 % | -65 °C ~ 200 °C | Durchgangsloch | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 mW | ALF2 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BZX79-C5V6,133-954 | 1 | 900 mV bei 10 mA | 1 µA bei 2 V | 5,6 V | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB984-C7V5,115 | - | ![]() | 8437 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | ±5 % | - | Oberflächenmontage | SOT-663 | BZB984-C7V5 | 265 mW | SOT-663 | herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 1 Paar gemeinsame Anode | 900 mV bei 10 mA | 1 µA bei 5 V | 7,5 V | 6 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2V09H400-04NR3 | 95.5000 | ![]() | 250 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | 105 V | Oberflächenmontage | OM-780-4L | 720 MHz ~ 960 MHz | LDMOS (Dual) | OM-780-4L | - | 2156-A2V09H400-04NR3 | 4 | 2 N-Kanal | 10µA | 688mA | 107W | 17,9 dB | - | 48 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV20.143 | - | ![]() | 6288 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | DO-204AH, DO-35, Axial | Standard | ALF2 | - | Nicht RoHS-konform | Anbieter nicht definiert | 2156-BAV20,143-954 | 1 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 150 V | 1,25 V bei 200 mA | 50 ns | 100 nA bei 150 V | 175 °C (max.) | 250mA | 5 pF bei 0 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B4V7.215 | 0,0200 | ![]() | 74 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ±2 % | -65 °C ~ 150 °C | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | TO-236AB | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BZX84-B4V7,215-954 | 1 | 900 mV bei 10 mA | 3 µA bei 2 V | 4,7 V | 80 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZ27BGWX | - | ![]() | 4669 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101, PDZ-GW | Schüttgut | Aktiv | ±2 % | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOD-123 | 365 mW | SOD-123 | - | Nicht RoHS-konform | Anbieter nicht definiert | 2156-PDZ27BGWX-954 | 1 | 1,1 V bei 100 mA | 50 nA bei 21 V | 27 V | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN27XPE115 | 0,2300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | * | Schüttgut | Aktiv | herunterladen | Anbieter nicht definiert | REACH Unberührt | 2156-PMN27XPE115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT60410PYX | 0,2100 | ![]() | 40 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-100, SOT-669 | 1,3 W | LFPAK56, Power-SO8 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-PHPT60410PYX-954 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.550 | 40 V | 10 A | 100nA | PNP | 800 mV bei 500 mA, 10 A | 240 bei 500 mA, 2 V | 97 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMXB350UPEZ | 0,0600 | ![]() | 675 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 3-XDFN freiliegendes Pad | MOSFET (Metalloxid) | DFN1010D-3 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-PMXB350UPEZ-954 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | P-Kanal | 20 V | 1,2A (Ta) | 1,2 V, 4,5 V | 447 mOhm bei 1,2 A, 4,5 V | 950 mV bei 250 µA | 2,3 nC bei 4,5 V | ±8V | 116 pF bei 10 V | - | 360 mW (Ta), 5,68 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C36,113 | 0,0300 | ![]() | 152 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | ±5 % | -65 °C ~ 200 °C | Durchgangsloch | DO-204AL, DO-41, Axial | 1,3 W | DO-41 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BZV85-C36,113-954 | 1 | 1 V bei 50 mA | 50 nA bei 25 V | 36 V | 50 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C10,133 | 0,0200 | ![]() | 240 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | ±5 % | -65 °C ~ 200 °C | Durchgangsloch | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 mW | ALF2 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BZX79-C10,133-954 | 1 | 900 mV bei 10 mA | 200 nA bei 7 V | 10 V | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C5V6.115 | 0,0200 | ![]() | 84 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ±5 % | -65°C ~ 150°C (TA) | Oberflächenmontage | SOD-123F | BZT52 | 375 mW | SOD-123F | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BZT52H-C5V6,115-954 | 1 | 900 mV bei 10 mA | 1 µA bei 2 V | 5,6 V | 40 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW89.215 | 0,0200 | ![]() | 142 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCW89 | 250 mW | TO-236AB | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BCW89,215-954 | 1 | 60 V | 100mA | 100nA (ICBO) | PNP | 150 mV bei 2,5 mA, 50 mA | 120 bei 2 mA, 5 V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-B36,115 | - | ![]() | 4246 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | BZT52H | Schüttgut | Aktiv | ±1,94 % | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOD-123F | 375 mW | SOD-123F | - | Nicht RoHS-konform | Anbieter nicht definiert | 2156-BZT52H-B36,115-954 | 1 | 900 mV bei 10 mA | 50 nA bei 25,2 V | 36 V | 60 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMZB950UPEL315 | 0,0500 | ![]() | 54 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | * | Schüttgut | Aktiv | herunterladen | Anbieter nicht definiert | Anbieter nicht definiert | 2156-PMZB950UPEL315-954 | 1 |

Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen

Standardprodukteinheit

Weltweite Hersteller

Vorrätiges Lager
Wunschliste (0 Artikel)