SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
PMEG4005EGW,118 NXP Semiconductors PMEG4005EGW, 118 1.0000
RFQ
ECAD 2203 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv Herunterladen 0000.00.0000 1
1PS74SB23,125 NXP Semiconductors 1PS74SB23,125 0,0900
RFQ
ECAD 47 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 Schottky 6-tsop Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-1ps74SB23,125-954 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 25 v 450 mV @ 1 a 1 ma @ 25 v 125 ° C (max) 1a 100pf @ 4v, 1 MHz
PMXB350UPEZ NXP Semiconductors PMXB350UPEZ 0,0600
RFQ
ECAD 675 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-xdfn exponiert Pad MOSFET (Metalloxid) DFN1010D-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-PMXB350upez-954 Ear99 8541.21.0095 1 P-Kanal 20 v 1.2a (TA) 1,2 V, 4,5 V. 447mohm @ 1,2a, 4,5 V. 950 MV @ 250 ähm 2,3 NC @ 4,5 V. ± 8 v 116 PF @ 10 V - - - 360 MW (TA), 5,68W (TC)
BYR29X-600,127 NXP Semiconductors Byr29x-600,127 0,5100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-2 Full Pack Standard To-220f Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,7 V @ 8 a 75 ns 10 µa @ 600 V 150 ° C (max) 8a - - -
BZV55-B3V3,115 NXP Semiconductors BZV55-B3V3,115 0,0200
RFQ
ECAD 191 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW Llds; Minimelf Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZV55-B3V3,115-954 1 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 1 V 3.3 v 95 Ohm
BZV55-C5V1,115 NXP Semiconductors BZV55-C5V1,115 0,0200
RFQ
ECAD 84 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW Llds; Minimelf Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZV55-C5V1,115-954 1 900 mv @ 10 mA 2 µa @ 2 V 5.1 v 60 Ohm
BZV55-C6V2,115 NXP Semiconductors BZV55-C6V2,115 0,0200
RFQ
ECAD 93 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW Llds; Minimelf Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZV55-C6V2,115-954 1 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 4 V. 6.2 v 10 Ohm
PMCM6501VNE/S500Z NXP Semiconductors PMCM6501VNE/S500Z 0,1900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-PMCM6501VNE/S500Z-954 1
BZT52H-B4V3,115 NXP Semiconductors BZT52H-B4V3,115 0,0200
RFQ
ECAD 73 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) Oberflächenhalterung SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZT52H-B4V3,115-954 1 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 1 V 4.3 v 95 Ohm
PZU3.0B2,115 NXP Semiconductors Pzu3.0b2,115 1.0000
RFQ
ECAD 7015 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F 310 MW SOD-323F Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-pzu3.0b2,115-954 1 1,1 V @ 100 mA 10 µa @ 1 V 3 v 95 Ohm
BZV55-C2V4,115 NXP Semiconductors BZV55-C2V4,115 0,0200
RFQ
ECAD 5308 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW Llds; Minimelf Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 2156-BZV55-C2V4,115-954 10.000 900 mv @ 10 mA 50 µa @ 1 V 2,4 v 100 Ohm
PMZB370UNE,315 NXP Semiconductors Pmzb370une, 315 0,0400
RFQ
ECAD 33 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-pmzb370une, 315-954 1
BZX79-C56,143 NXP Semiconductors BZX79-C56,143 0,0200
RFQ
ECAD 367 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 400 MW ALF2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZX79-C56,143-954 1 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 39.2 V. 56 v 200 Ohm
BZX84-C30,215 NXP Semiconductors BZX84-C30,215 0,0200
RFQ
ECAD 50 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 250 MW To-236ab Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZX84-C30,215-954 1 900 mv @ 10 mA 50 na @ 21 v 30 v 80 Ohm
BZV55-B33,115 NXP Semiconductors BZV55-B33,115 0,0200
RFQ
ECAD 207 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW Llds; Minimelf Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZV55-B33,115-954 1 900 mv @ 10 mA 50 na @ 23.1 v 33 v 80 Ohm
PHN203,518 NXP Semiconductors PHN203,518 0,2500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-PHN203,518-954 1
BZB84-B9V1,215 NXP Semiconductors BZB84-B9V1,215 - - -
RFQ
ECAD 6918 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv ± 2% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 300 MW To-236ab - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-BZB84-B9V1,215-954 1 900 mv @ 10 mA 500 na @ 6 v 9.1 v 15 Ohm
BZB784-C15,115 NXP Semiconductors BZB784-C15,115 - - -
RFQ
ECAD 6350 0.00000000 NXP -halbleiter BZB784 Schüttgut Aktiv ± 5% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 180 MW SC-70 - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-BZB784-C15,115-954 1 900 mv @ 10 mA 50 na @ 10,5 V. 15 v 30 Ohm
BZB984-C12,115 NXP Semiconductors BZB984-C12,115 - - -
RFQ
ECAD 4745 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 5% - - - Oberflächenhalterung SOT-663 265 MW SOT-663 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZB984-C12,115-954 1 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 900 mv @ 10 mA 100 na @ 8 v 12 v 10 Ohm
BZB784-C2V7,115 NXP Semiconductors BZB784-C2V7,115 0,0300
RFQ
ECAD 75 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 5% - - - Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 180 MW SOT-323 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZB784-C2V7,115-954 Ear99 8541.10.0050 1 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 900 mv @ 10 mA 20 µa @ 1 V 2,7 v 100 Ohm
PZU3.6B2L,315 NXP Semiconductors Pzu3.6b2l, 315 0,0300
RFQ
ECAD 20 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-882 250 MW DFN1006-2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-pzu3.6b2l, 315-954 Ear99 8541.10.0050 9.947 1,1 V @ 100 mA 5 µa @ 1 V 3.6 V 90 Ohm
BZX84-B16,215 NXP Semiconductors BZX84-B16,215 0,0200
RFQ
ECAD 26 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 250 MW To-236ab Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZX84-B16,215-954 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 11.2 V. 16 v 40 Ohm
BZX79-C10,133 NXP Semiconductors BZX79-C10,133 0,0200
RFQ
ECAD 240 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 400 MW ALF2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZX79-C10,133-954 1 900 mv @ 10 mA 200 na @ 7 V 10 v 20 Ohm
BZT52H-C4V3,115 NXP Semiconductors BZT52H-C4V3,115 0,0200
RFQ
ECAD 102 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) Oberflächenhalterung SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZT52H-C4V3,115-954 1 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 1 V 4.3 v 95 Ohm
BZV55-C75,115 NXP Semiconductors BZV55-C75,115 0,0200
RFQ
ECAD 55 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW Llds; Minimelf Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZV55-C75,115-954 1 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 52,5 V. 75 V 255 Ohm
BZX84J-B20,115 NXP Semiconductors BZX84J-B20,115 0,0300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F 550 MW SOD-323F Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZX84J-B20,115-954 1 1,1 V @ 100 mA 50 na @ 14 v 20 v 20 Ohm
BZX79-B3V6,133 NXP Semiconductors BZX79-B3V6,133 0,0200
RFQ
ECAD 88 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 400 MW ALF2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZX79-B3V6,133-954 1 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 1 V 3.6 V 90 Ohm
BZV55-B5V6,115 NXP Semiconductors BZV55-B5V6,115 0,0200
RFQ
ECAD 547 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW Llds; Minimelf Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 2156-BZV55-B5v6,115-954 Ear99 8541.10.0070 1 900 mv @ 10 mA 1 µa @ 2 V. 5.6 v 40 Ohm
PMZB950UPEL315 NXP Semiconductors PMZB950UPEL315 0,0500
RFQ
ECAD 54 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert Verkäfer undefiniert 2156-PMZB950UPEL315-954 1
PSMN5R0-100PS,127 NXP Semiconductors PSMN5R0-100PS, 127 1.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 2156-PSMN5R0-100PS, 127-954 Ear99 8541.29.0095 184 N-Kanal 100 v 120a (TC) 10V 5mohm @ 25a, 10V 4v @ 1ma 170 nc @ 10 v ± 20 V 9900 PF @ 50 V - - - 338W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus