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Diskrete Halbleiterprodukte(1062)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET-Typ	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)	Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If	Reverse Recovery Time (trr)	Strom – Rückwärtsleckage bei Vr	Betriebstemperatur – Verbindungsstelle	Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	Kapazität @ Vr, F	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	Spannung – Zener (Nom) (Vz)	Impedanz (Max) (Zzt)	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang	Widerstand - Basis (R1)	Widerstand – Emitterbasis (R2)
PSMN8R5-100ESFQ	0,6900	Anfrage	1	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA		MOSFET (Metalloxid)		I2PAK	herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-PSMN8R5-100ESFQ-954			1			N-Kanal	100 V	97A (Ta)	7V, 10V	8,8 mOhm bei 25 A, 10 V	4V bei 1mA	44,5 nC bei 10 V	±20V	3181 pF bei 50 V	-	183W (Ta)
BUK7675-55A,118	0,3900	Anfrage	75	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101, TrenchMOS™	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BUK7675-55A,118-954			763			N-Kanal	55 V	20,3A (Tc)	10V	75 mOhm bei 10 A, 10 V	4V bei 1mA		±20V	483 pF bei 25 V	-	62W (Tc)
BAS16.235	0,0200	Anfrage	2	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101, BAS16	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS16	Standard		TO-236AB	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BAS16,235-954			1		Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)												100 V	1,25 V bei 150 mA	4 ns	500 nA bei 80 V	150 °C (max.)	215mA	1,5 pF bei 0 V, 1 MHz
BLC6G27LS-100,118	563.3800	Anfrage	100	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv									herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-BLC6G27LS-100,118-954			1
BZX79-C3V3.133	0,0200	Anfrage	170	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±5 %	-65 °C ~ 200 °C	Durchgangsloch	DO-204AH, DO-35, Axial			400 mW	ALF2	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BZX79-C3V3,133-954		0000.00.0000	1															900 mV bei 10 mA		5 µA bei 1 V							3,3 V	95 Ohm
PNS40010ER,115	-	Anfrage	6908	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenmontage	SOD-123W		Standard		SOD-123W	-		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-PNS40010ER,115-954			1		Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io)												400 V	1,1 V bei 1 A	1,8 µs	1 µA bei 400 V	175 °C (max.)	1A	20 pF bei 4 V, 1 MHz
BZV55-B75,115	-	Anfrage	5152	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±2 %	-65 °C ~ 200 °C	Oberflächenmontage	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80			500 mW	LLDS; MiniMelf	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BZV55-B75,115-954		0000.00.0000	1															900 mV bei 10 mA		50 nA bei 52,5 V							75 V	255 Ohm
BCW33.215	0,0200	Anfrage	96	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv		150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250 mW	TO-236AB	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BCW33,215-954			1																					32 V	100mA	100nA (ICBO)			NPN	210 mV bei 2,5 mA, 50 mA	420 bei 2 mA, 5 V	100 MHz
BZX884-C6V2.315	-	Anfrage	5365	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	±5 %	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOD-882			250 mW	DFN1006-2	-	Nicht RoHS-konform		Anbieter nicht definiert	2156-BZX884-C6V2,315-954			1															900 mV bei 10 mA		3 µA bei 4 V							6,2 V	10 Ohm
BZT52H-B68,115	-	Anfrage	6010	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	±2 %	-65°C ~ 150°C (TA)	Oberflächenmontage	SOD-123F	BZT52		375 mW	SOD-123F	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BZT52H-B68,115-954			1															900 mV bei 10 mA		50 nA bei 47,6 V							68 V	160 Ohm
BUK664R4-55C,118	-	Anfrage	5636	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101, TrenchMOS™	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-BUK664R4-55C,118-954	EAR99	8541.29.0095	124			N-Kanal	55 V	100A (Tc)	5V, 10V	4,9 mOhm bei 25 A, 10 V	2,8 V bei 1 mA	124 nC bei 10 V	±16V	7750 pF bei 25 V	-	204W (Tc)
BZX79-B15143	-	Anfrage	2053	NXP Semiconductors	BZX79	Schüttgut	Aktiv	±2 %	-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	DO-204AH, DO-35, Axial			400 mW	ALF2	-	Nicht RoHS-konform		Anbieter nicht definiert	2156-BZX79-B15143-954			1															900 mV bei 10 mA		50 nA bei 10,5 V							15 V	30 Ohm
PBSS5220T,215	-	Anfrage	8901	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv		150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			480 mW	TO-236AB	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-PBSS5220T,215-954			1																					20 V	2 A	100nA (ICBO)			PNP	225 mV bei 200 mA, 2 A	200 bei 1A, 2V	100 MHz
BZV85-C9V1,113	0,0400	Anfrage	107	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±5 %	-65 °C ~ 200 °C	Durchgangsloch	DO-204AL, DO-41, Axial			1,3 W	DO-41	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BZV85-C9V1,113-954			1															1 V bei 50 mA		700 nA bei 6,5 V							9,1 V	5 Ohm
BZX79-C75,133	0,0200	Anfrage	70	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±5 %	-65 °C ~ 200 °C	Durchgangsloch	DO-204AH, DO-35, Axial			400 mW	ALF2	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BZX79-C75,133-954			1															900 mV bei 10 mA		50 nA bei 52,5 V							75 V	255 Ohm
PMEG2005AEL,315	0,0400	Anfrage	1	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenmontage	SOD-882		Schottky		DFN1006-2	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-PMEG2005AEL,315-954			1		Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)												20 V	440 mV bei 500 mA		1,5 mA bei 20 V	150 °C (max.)	500mA	25 pF bei 1 V, 1 MHz
PZU7.5B3A,115	-	Anfrage	9829	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	±2 %	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-76, SOD-323			320 mW	SOD-323	-	Nicht RoHS-konform		Anbieter nicht definiert	2156-PZU7.5B3A,115-954			1															1,1 V bei 100 mA		500 nA bei 4 V							7,5 V	10 Ohm
BZV49-C47,115	0,1600	Anfrage	6	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±5 %	-65 °C ~ 150 °C	Oberflächenmontage	TO-243AA			1 W	SOT-89	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BZV49-C47,115-954			1															1 V bei 50 mA		50 nA bei 32,9 V							47 V	170 Ohm
PZU24B1,115	0,0300	Anfrage	59	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±2 %	-65 °C ~ 150 °C	Oberflächenmontage	SC-90, SOD-323F			310 mW	SOD-323F	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-PZU24B1,115-954			1															1,1 V bei 100 mA		50 nA bei 19 V							24 V	30 Ohm
PMBT4401/S911,215	0,0200	Anfrage	72	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv									herunterladen					EAR99	8541.21.0075	1
BUK6E3R2-55C,127	0,9700	Anfrage	4	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101, TrenchMOS™	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA		MOSFET (Metalloxid)		I2PAK	herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-BUK6E3R2-55C,127-954			1			N-Kanal	55 V	120A (Tc)	10V	3,2 mOhm bei 25 A, 10 V	2,8 V bei 1 mA	258 nC bei 10 V	±16V	15300 pF bei 25 V	-	306W (Tc)
PMXB56ENZ	1.0000	Anfrage	7694	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	3-XDFN freiliegendes Pad		MOSFET (Metalloxid)		DFN1010D-3	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-PMXB56ENZ-954	EAR99	8541.29.0095	1			N-Kanal	30 V	3,2A (Ta)	4,5 V, 10 V	55 mOhm bei 3,2 A, 10 V	2V bei 250µA	6,3 nC bei 10 V	±20V	209 pF bei 15 V	-	400 mW (Ta), 8,33 W (Tc)
BZB784-C3V6,115	1.0000	Anfrage	3948	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±5 %	-	Oberflächenmontage	SC-70, SOT-323	BZB784-C3V6		180 mW	SOT-323	herunterladen						0000.00.0000	1	1 Paar gemeinsame Anode														900 mV bei 10 mA		5 µA bei 1 V							3,6 V	90 Ohm
BAV99/8.215	-	Anfrage	9213	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv					BAV99				herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-BAV99/8,215-954			1
BZB84-C68,215	1.0000	Anfrage	6985	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±5 %	-	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZB84-C68		300 mW	TO-236AB	herunterladen						0000.00.0000	1	1 Paar gemeinsame Anode														900 mV bei 10 mA		50 nA bei 47,6 V							68 V	240 Ohm
1N4531133	-	Anfrage	9164	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv			Durchgangsloch	DO-204AG, DO-34, Axial		Standard		DO-34	herunterladen					EAR99	8541.10.0070	1														75 V	1 V bei 10 mA	4 ns	25 nA bei 20 V	200 °C (max.)		4 pF bei 0 V, 1 MHz
BZB84-C2V7,215	-	Anfrage	4810	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±5 %	-	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZB84-C2V7		300 mW	TO-236AB	herunterladen						0000.00.0000	1	1 Paar gemeinsame Anode														900 mV bei 10 mA		20 µA bei 1 V							2,7 V	100 Ohm
PDTA123YM,315	-	Anfrage	5284	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenmontage	SC-101, SOT-883	PDTA123		250 mW	DFN1006-3	herunterladen						0000.00.0000	1																					50 V	100mA	1µA			PNP – Voreingestellt	150 mV bei 500 µA, 10 mA	35 bei 5 mA, 5 V		2,2 kOhm	10 kOhm
BUK625R0-40C,118	-	Anfrage	3532	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101, TrenchMOS™	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		DPAK	herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-BUK625R0-40C,118-954	EAR99	8541.29.0095	1			N-Kanal	40 V	90A (Ta)		5 mOhm bei 25 A, 10 V	2,8 V bei 1 mA	88 nC bei 10 V	±16V	5200 pF bei 25 V	-	158 W (Ta)
BAW56SRAZ	0,0300	Anfrage	6639	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv					BAW56				herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BAW56SRAZ-954	EAR99	8541.10.0070	1