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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung – Nennspannung | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Frequenz | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET-Typ | Nennstrom (Ampere) | Aktuell - Test | Leistung – Leistung | Gewinnen | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) | Rauschzahl | Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If | Reverse Recovery Time (trr) | Strom – Rückwärtsleckage bei Vr | Betriebstemperatur – Verbindungsstelle | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | Kapazität @ Vr, F | Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | Strom - Kollektor (Ic) (Max) | Spannung – Test | Strom – Kollektorabschaltung (max.) | Spannung – Zener (Nom) (Vz) | Impedanz (Max) (Zzt) | Transistortyp | Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | Häufigkeit – Übergang | Rauschzahl (dB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BUK7E2R3-40E,127 | 0,8500 | ![]() | 3 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA | MOSFET (Metalloxid) | I2PAK | herunterladen | Anbieter nicht definiert | REACH Unberührt | 2156-BUK7E2R3-40E,127-954 | 1 | N-Kanal | 40 V | 120A (Tc) | 10V | 2,3 mOhm bei 25 A, 10 V | 4V bei 1mA | 109,2 nC bei 10 V | ±20V | 8500 pF bei 25 V | - | 293W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B56,113 | 0,0200 | ![]() | 24 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | ±2 % | -65 °C ~ 200 °C | Durchgangsloch | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 mW | ALF2 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BZX79-B56,113-954 | 1 | 900 mV bei 10 mA | 50 nA bei 39,2 V | 56 V | 200 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4230PAN,115 | - | ![]() | 3391 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 6-UDFN freiliegendes Pad | PBSS4230 | 510 mW | 6-HUSON-EP (2x2) | - | 0000.00.0000 | 1 | 30V | 2A | 100nA (ICBO) | - | 290 mV bei 200 mA, 2A | 200 bei 1A, 2V | 120 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU20B1A,115 | 0,0300 | ![]() | 26 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | ±2 % | -55 °C ~ 150 °C | Oberflächenmontage | SC-76, SOD-323 | 320 mW | SOD-323 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-PZU20B1A,115-954 | 1 | 1,1 V bei 100 mA | 50 nA bei 15 V | 20 V | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX22C,133 | 0,0200 | ![]() | 84 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | ±2 % | -55 °C ~ 175 °C | Durchgangsloch | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 mW | ALF2 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-NZX22C,133-954 | 1 | 1,5 V bei 200 mA | 50 nA bei 15,4 V | 22 V | 65 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW32.215 | 0,0200 | ![]() | 204 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | TO-236AB | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BCW32,215-954 | 1 | 32 V | 100mA | 100nA (ICBO) | NPN | 210 mV bei 2,5 mA, 50 mA | 200 bei 2 mA, 5 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMDXB1200UPEZ | 0,0700 | ![]() | 13 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | * | Schüttgut | Aktiv | PMDXB1200 | - | herunterladen | Anbieter nicht definiert | REACH Unberührt | 2156-PMDXB1200UPEZ-954 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PH3120L,115 | 0,2500 | ![]() | 17 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | TrenchMOS™ | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-100, SOT-669 | MOSFET (Metalloxid) | LFPAK56, Power-SO8 | herunterladen | Anbieter nicht definiert | REACH Unberührt | 2156-PH3120L,115-954 | 1 | N-Kanal | 20 V | 100A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 2,65 mOhm bei 25 A, 10 V | 2V bei 1mA | 48,5 nC bei 4,5 V | ±20V | 4457 pF bei 10 V | - | 62,5 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMGD175XNEX | - | ![]() | 5004 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PMGD175 | MOSFET (Metalloxid) | 260 mW (Ta) | SOT-363 | herunterladen | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 N-Kanal (Dual) | 30V | 870mA (Ta) | 252 mOhm bei 900 mA, 4,5 V | 1,25 V bei 250 µA | 1,65 nC bei 4,5 V | 81pF bei 15V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-B3V3.215 | - | ![]() | 8942 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | ±2 % | - | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-B3V3 | 300 mW | TO-236AB | herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 1 Paar gemeinsame Anode | 900 mV bei 10 mA | 5 µA bei 1 V | 3,3 V | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLM6G22-30G,118 | - | ![]() | 8447 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Veraltet | 65 V | Oberflächenmontage | SOT-822-1 | 2,1 GHz ~ 2,2 GHz | LDMOS (Dual) | 16-HSOP | - | 2156-BLM6G22-30G,118 | 1 | - | 3A, 9A | 280mA | 30W | 30 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C24,113 | 0,0200 | ![]() | 350 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | ±5 % | -65 °C ~ 200 °C | Durchgangsloch | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 mW | ALF2 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BZX79-C24,113-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mV bei 10 mA | 50 nA bei 16,8 V | 24 V | 70 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN48XPAX | - | ![]() | 2032 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-74, SOT-457 | MOSFET (Metalloxid) | 6-TSOP | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.260 | P-Kanal | 20 V | 4,1A (Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 55 mOhm bei 2,4 A, 4,5 V | 1,25 V bei 250 µA | 13 nC bei 4,5 V | ±12V | 1000 pF bei 10 V | - | 530 mW (Ta), 6,25 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX13C,133 | 1.0000 | ![]() | 4910 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | ±2 % | -55 °C ~ 175 °C | Durchgangsloch | DO-204AH, DO-35, Axial | NZX13 | 500 mW | ALF2 | herunterladen | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V bei 200 mA | 100 nA bei 8 V | 13 V | 35 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC143ZMB,315 | 0,0300 | ![]() | 126 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | * | Schüttgut | Aktiv | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-PDTC143ZMB,315-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZH3V3A,115 | 0,0200 | ![]() | 52 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | ±3 % | -55 °C ~ 150 °C | Oberflächenmontage | SOD-123F | 500 mW | SOD-123F | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-NZH3V3A,115-954 | 1 | 900 mV bei 10 mA | 20 µA bei 1 V | 3,3 V | 70 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG045V050EPDZ | 0,1700 | ![]() | 9 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-277, 3-PowerDFN | Schottky | CFP15 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-PMEG045V050EPDZ-954 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 45 V | 490 mV bei 5 A | 19 ns | 300 µA bei 45 V | 175 °C (max.) | 5A | 580pF bei 1V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDZ16J,115 | - | ![]() | 4263 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101, TDZxJ | Schüttgut | Aktiv | ±1,88 % | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-90, SOD-323F | 500 mW | SC-90 | - | Nicht RoHS-konform | Anbieter nicht definiert | 2156-TDZ16J,115-954 | 1 | 1,1 V bei 100 mA | 50 nA bei 11,2 V | 16 V | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-A43,215 | 0,1100 | ![]() | 95 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ±1 % | -65 °C ~ 150 °C | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | TO-236AB | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BZX84-A43,215-954 | 1 | 900 mV bei 10 mA | 50 nA bei 30,1 V | 43 V | 150 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD4148.215 | - | ![]() | 6158 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Standard | TO-236AB | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-MMBD4148,215-954 | 1 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 75 V | 1,25 V bei 150 mA | 4 ns | 500 nA bei 75 V | 150 °C (max.) | 215mA | 1,5 pF bei 0 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU3.0B2A,115 | - | ![]() | 1522 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ±2 % | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-76, SOD-323 | 320 mW | SOD-323 | - | Nicht RoHS-konform | Anbieter nicht definiert | 2156-PZU3.0B2A,115-954 | 1 | 1,1 V bei 100 mA | 10 µA bei 1 V | 3 V | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C36,133 | - | ![]() | 3634 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | ±5 % | -65 °C ~ 200 °C | Durchgangsloch | DO-204AL, DO-41, Axial | BZV85-C36 | 1,3 W | DO-41 | herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 1 V bei 50 mA | 50 nA bei 25 V | 36 V | 50 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG6010ESBC,315 | 0,0300 | ![]() | 30 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | * | Schüttgut | Aktiv | PMEG6010 | herunterladen | Anbieter nicht definiert | REACH Unberührt | 2156-PMEG6010ESBC,315-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMV100XPEA215 | 0,0400 | ![]() | 48 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | herunterladen | Anbieter nicht definiert | REACH Unberührt | 2156-PMV100XPEA215-954 | 6.693 | P-Kanal | 20 V | 2,4A (Ta) | 128 mOhm bei 2,4 A, 4,5 V | 1,25 V bei 250 µA | 6 nC bei 4,5 V | ±12V | 386 pF bei 10 V | - | 463 mW (Ta), 4,45 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX70J,215 | - | ![]() | 8888 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | TO-236AB | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BCX70J,215-954 | 1 | 45 V | 100mA | 20nA (ICBO) | NPN | 550 mV bei 1,25 mA, 50 mA | 250 bei 2 mA, 5 V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C18,133 | 0,0200 | ![]() | 301 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | ±5 % | -65 °C ~ 200 °C | Durchgangsloch | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 mW | ALF2 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BZX79-C18,133-954 | 1 | 900 mV bei 10 mA | 50 nA bei 12,6 V | 18 V | 45 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-B68,315 | 0,0300 | ![]() | 30 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | - | Schüttgut | Aktiv | ±2 % | -65 °C ~ 150 °C | Oberflächenmontage | SOD-882 | 250 mW | DFN1006-2 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BZX884-B68,315-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mV bei 10 mA | 50 nA bei 47,6 V | 68 V | 240 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5112PAP,115 | 0,1400 | ![]() | 34 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | * | Schüttgut | Aktiv | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-PBSS5112PAP,115-954 | 2.166 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCV65.215 | 0,0800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | * | Schüttgut | Aktiv | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 2156-BCV65,215-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU520XRR | 0,1200 | ![]() | 51 | 0,00000000 | NXP Semiconductors | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOT-143R | 450 mW | SOT-143R | - | 2156-BFU520XRR | 2.515 | 17,5 dB | 12V | 30mA | NPN | 60 bei 5 mA, 8 V | 10 GHz | 0,65 dB bei 900 MHz |

Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen

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