Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Max | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A3G26D055N-2515 | 265.6200 | ![]() | 4340 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 v | Oberflächenhalterung | 6-ldfn exponiert Pad | 100 MHz ~ 2,69 GHz | Gan | 6-PDFN (7x6.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 568-A3G26D055N-2515 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - - - | 40 ma | 8W | 13.9db | - - - | 48 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7Y25-80E/GF115 | 1.0000 | ![]() | 2952 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7226-75A118 | 0,3200 | ![]() | 13 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMXB65UPE147 | 0,0500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAP51-06W, 115 | 0,4000 | ![]() | 474 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | Bap51 | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 50 ma | 240 MW | 0,35PF @ 5V, 1 MHz | Pin - 1 Paar -Gemeinsame -Anode | 50V | 2,5 Ohm bei 10 Ma, 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | By29x-1500s, 127 | - - - | ![]() | 4521 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 Full Pack | By32 | Standard | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1500 V | 1,6 V @ 6,5 a | 160 ns | 250 µa @ 1300 V | 150 ° C (max) | 6a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK762R0-40E118 | - - - | ![]() | 1754 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC123JU | 1.0000 | ![]() | 9906 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTC123 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX284-B12,115 | - - - | ![]() | 4449 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-110 | Bzx284 | 400 MW | SOD-110 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 100 na @ 8 v | 12 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRFX1K80GNR5 | 219.8700 | ![]() | 30 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Chassis -berg | OM-1230G-4L | MRFX1 | 1,8 MHz ~ 470 MHz | Ldmos | OM-1230G-4L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 1800W | 24 dB | - - - | 65 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF5S19100HR5 | - - - | ![]() | 6995 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Ni-780 | MRF5 | 1,93 GHz ~ 1,99 GHz | Ldmos | Ni-780 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 1 a | 22W | 13.9db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Ph9030al, 115 | - - - | ![]() | 2505 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | Ph90 | MOSFET (Metalloxid) | LFPAK56, Power-SO8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 30 v | 61a (TC) | 8mohm @ 15a, 10V | 2,15 V @ 1ma | 17,8 NC @ 10 V. | 1006 PF @ 12 V | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bat54s, 215 | - - - | ![]() | 3887 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bat54 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C2V7/LF1VL | - - - | ![]() | 7816 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-C2V7 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069454235 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 20 µa @ 1 V | 2,7 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C3V0115 | 1.0000 | ![]() | 4593 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 10 µa @ 1 V | 3 v | 95 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG2005AESF/S711315 | 0,0400 | ![]() | 135 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX51,115 | 0,0700 | ![]() | 45 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 1,3 w | SOT-89 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4,133 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 145 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7230-55A, 118 | 0,4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | BUK7230 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 0000.00.0000 | 772 | N-Kanal | 55 v | 38a (TC) | 10V | 30mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | ± 20 V | 1152 PF @ 25 V. | - - - | 88W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB170X | 0,4100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BB170 | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2.75PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 15 | C1/C28 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pumb9/zl115 | 0,0400 | ![]() | 3194 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pumb9 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 6.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B11,215 | 0,0200 | ![]() | 7869 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAW56/LF1235 | 0,0200 | ![]() | 98 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BAW56 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC144ET/DG/B4215 | 0,0200 | ![]() | 57 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C39/LF1VL | - - - | ![]() | 4368 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-C39 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069467235 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 27.3 v | 39 v | 90 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7107-55AIE, 118 | - - - | ![]() | 1416 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Veraltet | BUK71 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF5S21100HR5 | - - - | ![]() | 5844 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-957A | MRF5 | 2,16 GHz ~ 2,17 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 1.05 a | 23W | 13,5 dB | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF6S20010GNR1 | 45.4800 | ![]() | 201 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Oberflächenhalterung | To-270ba | MRF6S20010 | 2,17 GHz | Ldmos | To-270-2 Möwe | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 130 ma | 10W | 15.5db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pumb2/L135 | 0,0500 | ![]() | 340 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pumb2 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLA6G1011LS-200RG11 | 385.1400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHK28NQ03LT, 518 | - - - | ![]() | 7273 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | PHK28 | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 23.7a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,5 MOHM @ 14A, 10V | 2V @ 1ma | 30,3 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 2800 PF @ 20 V | - - - | 6.25W (TC) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus