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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgang | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BAW56/LF1215 | 0,0200 |  | 231 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BAW56 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PH4330L, 115 | - - - | | 4884 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | Ph43 | MOSFET (Metalloxid) | LFPAK56, Power-SO8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 30 v | 95.9a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,3 Mohm @ 25a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 22,9 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 2786 PF @ 12 V | - - - | 62,5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHPT60410PY115 | 1.0000 | | 2479 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHPT60603PY115 | 1.0000 | | 4635 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S19200HR5 | - - - | | 1702 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 66 v | Chassis -berg | SOT-957A | MRF6 | 1,93 GHz ~ 1,99 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 1.6 a | 56W | 17.9db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV85-C33,133 | 0,0400 | | 58 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | 200 ° C | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.969 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 23 v | 33 v | 45 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2pd602as, 115 | - - - | | 1853 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2pd60 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 12.000 | 50 v | 500 mA | 10NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 170 @ 150 mA, 10V | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS79SB31,115 | - - - | | 2474 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | Schottky | SOD-523 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 500 MV @ 200 Ma | 30 µa @ 10 V | 125 ° C (max) | 200 ma | 25PF @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4160DPN, 115 | 0,0800 | | 5790 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PBSS4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NXPS20H100CX, 127 | 0,2800 | | 162 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Schottky | To-220f | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 770 mv @ 10 a | 4,5 mA @ 100 v | 175 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pdtd123es, 126 | - - - | | 5693 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PDTD123 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 40 @ 50 Ma, 5V | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV85-C39,133 | 0,0300 | | 76 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,3 w | Do-41 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 27 v | 39 v | 60 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN004-60B, 118 | - - - | | 1831 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 60 v | 75a (TC) | 10V | 3,6 MOHM @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 168 NC @ 10 V | ± 20 V | 8300 PF @ 25 V. | - - - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX284-B3V3,115 | - - - | | 7244 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-110 | Bzx284 | 400 MW | SOD-110 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 95 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C3V0,215 | - - - | | 6536 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYV415K-600PQ127 | 0,8100 | | 438 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 275 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT54AW/6115 | 0,0300 | | 81 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, BAT54W | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bat54 | Schottky | SOT-323 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 30 v | 200 Ma (DC) | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pmll4148l, 135 | - - - | | 9036 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pmll4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pdz36b/zlx | - - - | | 6988 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Pdz36 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069124115 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMZB790SN, 315 | 0,1000 | | 168 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | MOSFET (Metalloxid) | DFN1006B-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 60 v | 650 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 940MOHM @ 300 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 1,37 NC @ 10 V. | ± 20 V | 35 PF @ 30 V | - - - | 360 MW (TA), 2,7W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C47,113 | - - - | | 3202 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX79 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu15b3,115 | 0,0400 | | 8 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu15 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAV99W/DG/B2115 | 1.0000 | | 8628 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BAV99 | Standard | SOT-323 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 100 v | 150 mA (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG2015ev, 115 | 0,0600 | | 8 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Schottky | SOT-666 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,714 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 660 mV @ 1,5 a | 50 µa @ 15 V | 150 ° C (max) | 1,5a | 25pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC846,215 | 0,0200 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMEM4020 UND 115 | - - - | | 9664 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | PMEM4 | 600 MW | SC-74 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 950 Ma | 100na | NPN + Diode (Isolier) | 400mv @ 200 Ma, 2a | 300 @ 500 mA, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBLS1502V, 115 | - - - | | 7820 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | PBLS15 | 300 MW | SOT-666 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50 V, 15 V | 100 mA, 500 mA | 1 µA, 100NA | 1 NPN Voreingensmen, 1 PNP | 150 mV @ 500 µA, 10 mA / 250 mV @ 50 mA, 500 mA | 30 @ 10ma, 5v / 150 @ 100 mA, 2 V. | 280 MHz | 4.7kohm | 4.7kohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMBD7000,235 | 0,0200 | | 15 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Standard | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.974 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 100 v | 215 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 na @ 100 v | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2pc4081q, 115 | 0,0200 | | 9339 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 2pc40 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C6V2/LF1VL | - - - | | 3931 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-C6V2 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069502235 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 4 V. | 6.2 v | 10 Ohm |
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