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Diskette HalblerProdukte (6133)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NZX15B133 | 0,0200 |  | 157 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B68,133 | 0,0200 | | 119 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 400 MW | ALF2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 47.6 V. | 68 v | 240 Ohm | |||||||||||||||||
 | BZX84J-C2V4115 | 0,0300 | | 19 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 11.823 | |||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C9V1,113 | 0,0200 | | 180 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX79 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||
 | BUK9E04-40A, 127 | - - - | | 7608 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 84 | N-Kanal | 40 v | 75a (TC) | 4,3 V, 10 V. | 4mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | 128 NC @ 5 V. | ± 15 V | 8260 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | |||||||||||
 | Pzu 4,3b3,115 | 0,0400 | | 162 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu4.3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
| BZX84J-B3V6,115 | - - - | | 5658 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 5 µa @ 1 V | 3.6 V | 90 Ohm | |||||||||||||||||
 | BUK7Y20-30B115 | 1.0000 | | 7818 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| Pzu3.0b2a115 | 1.0000 | | 5060 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7606-55B, 118 | - - - | | 1447 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | N-Kanal | 55 v | 75a (TC) | 10V | 6mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 64 NC @ 10 V | ± 20 V | 5100 PF @ 25 V. | - - - | 254W (TC) | ||||||||
| MRF24301HR5178 | 1.0000 | | 9953 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| Pzu5.1ba115 | 1.0000 | | 3750 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | NZH22C, 115 | - - - | | 6433 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZH2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
| BCX51-10115 | 1.0000 | | 3209 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX384-C22,115 | - - - | | 7085 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX384 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-B2V4135 | 1.0000 | | 4054 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 50 µa @ 1 V | 2,4 v | 100 Ohm | ||||||||||||||
 | PDZ5.1B145 | - - - | | 1365 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| PSMN1R2-30YLC, 115 | - - - | | 4700 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PSMN1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||
| BZB984-C4V3,115 | 0,0400 | | 36 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZB984 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | ||||||||||||||||||||||||
 | BUK7Y7R2-60EX | - - - | | 2919 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | MOSFET (Metalloxid) | LFPAK56, Power-SO8 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 60 v | - - - | 10V | - - - | - - - | ± 20 V | - - - | 167W (TC) | ||||||||||||||
 | BUK7575-100A, 127 | 0,3300 | | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 100 v | 23a (ta) | 75mohm @ 13a, 10V | 4v @ 1ma | ± 20 V | 1210 PF @ 25 V. | - - - | 99W (TA) | ||||||||||
| BUK9506-40B, 127 | 0,5200 | | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Rohr | Aktiv | BUK95 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||
| BUK754R0-55B, 127 | 0,7700 | | 959 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 55 v | 75a (TC) | 10V | 4mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 86 NC @ 10 V | ± 20 V | 6776 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | ||||||||
 | BUK7508-55A, 127 | - - - | | 6763 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 55 v | 75A (TA) | 8mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 76 NC @ 0 v | ± 20 V | 4352 PF @ 25 V. | - - - | 254W (TA) | |||||||||
 | BUK7909-75AIE, 127 | 0,9200 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Rohr | Aktiv | BUK79 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||
| BZX585-C4V3135 | 1.0000 | | 5859 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µa @ 1 V | 4.3 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||
| BLF184XR112 | 564.5800 | | 80 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| BUK6E3R4-40C, 127 | 0,5500 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Rohr | Aktiv | BUK6 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||
 | PH3120L, 115-NXP | - - - | | 3809 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | MOSFET (Metalloxid) | LFPAK56, Power-SO8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1.500 | N-Kanal | 20 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,65 MOHM @ 25a, 10 V | 2V @ 1ma | 48,5 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 4457 PF @ 10 V. | - - - | 62,5W (TC) | ||||||||
| BUK6228-55C, 118 | 0,2400 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1,268 | N-Kanal | 55 v | 31a (TC) | 10V | 29mohm @ 10a, 10V | 2,8 V @ 1ma | 20,2 NC @ 10 V. | ± 16 v | 1340 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) |
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