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Diskette HalblerProdukte (6133)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | A3I20X050GNR1 | 44.7930 |  | 8397 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | A3I20X050GN | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 65 V | OM-400G-8 | 1,8 GHz ~ 2,2 GHz | Ldmos | OM-400G-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.33.0001 | 500 | Dual | 10 µA | 145 Ma | 6.3W | 29.3db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A5G35H110N-3400 | 315.0000 | | 7093 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 v | Oberflächenhalterung | 6-ldfn exponiert Pad | 3,3 GHz ~ 3,7 GHz | - - - | 6-PDFN (7x6.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - - - | - - - | 70 Ma | 15.1W | 15.3db | - - - | 48 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMN20en, 115 | - - - | | 5462 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | PMN2 | MOSFET (Metalloxid) | SC-74 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6.7a (TJ) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 6.7a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 18,6 NC @ 10 V. | ± 20 V | 630 PF @ 15 V | - - - | 545 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB199,115 | - - - | | 9527 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BB19 | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 13.8PF @ 2V, 1 MHz | Einzel | 20 v | 2.8 | C0.5/C2 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMR670UPE, 115 | - - - | | 2678 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PMR6 | MOSFET (Metalloxid) | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 480 mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 850MOHM @ 400 Ma, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 1,14 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 87 PF @ 10 V. | - - - | 250 MW (TA), 770 MW (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| J2E082Exs/S0BE3B4J | - - - | | 3244 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | J2E0 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J3E120GA6/S0BGEA2J | - - - | | 1324 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | J3E1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J5A080GHN/T0BG208Z | - - - | | 9635 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | J5A080 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J5A080GHNT0BG2084, | - - - | | 6062 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | J5A080 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAP64-02115 | - - - | | 2135 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC143XMB315 | 0,0300 | | 159 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN020-30MLCX | 0,1500 | | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) | MOSFET (Metalloxid) | Lfpak33 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.052 | N-Kanal | 30 v | 31.8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 18.1Mohm @ 5a, 10V | 1,95 V @ 1ma | 9,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 430 PF @ 15 V | - - - | 33W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN2R7-30PL, 127 | - - - | | 3543 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PSMN2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCV61,235 | - - - | | 4319 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 30V | Stromspiegel | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BCV61 | SOT-143b | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 100 ma | 2 NPN (Dual) Stromspiegel | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PSMN4R5-30YLC, 115 | - - - | | 9887 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PSMN4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK9277-55A, 118 | - - - | | 3407 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BUK92 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC124XMB315 | - - - | | 6993 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK762R9-40E118 | - - - | | 7307 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAP50-04215 | 0,1100 | | 9 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCP54-16,135 | 0,0600 | | 3270 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 960 MW | SOT-223 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.200 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 180 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMDPB70XP, 115 | 1.0000 | | 1741 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-UFDFN exponiert Pad | PMDPB70 | MOSFET (Metalloxid) | 490 MW | 6-Ehemann (2x2) | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 2.9a | 87mohm @ 2,9a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 7.8nc @ 5v | 680PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN009-100B, 118 | - - - | | 9962 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PSMN0 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B22,133 | 0,0200 | | 89 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX79 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2pb710arl, 215 | 0,0300 | | 2359 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 2pb71 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX6V8D, 133 | 0,0200 | | 98 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX6 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-B6V8,215 | - - - | | 2986 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 4 V. | 6,8 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCV27,215 | 0,0400 | | 160 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BCV27 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSH114,215 | - - - | | 1264 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BSH1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC143ZQA147 | 0,0300 | | 133 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFX1K80HR5178 | 1.0000 | | 9392 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 |
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