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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgang | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | BCP56-10H, 115 | - - - | ![]() | 3757 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF7S21150HSR5 | - - - | ![]() | 6668 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780s | MRF7 | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | Ldmos | NI-780s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 1,35 a | 44W | 17.5db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1205,115 | - - - | ![]() | 4420 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 10 v | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BF120 | 800 MHz | Mosfet | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal Dual Gate | 30 ma | 12 Ma | - - - | 26 dB | 1.2db | 5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BY359X-1500,127 | - - - | ![]() | 1327 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 Full Pack | By35 | Standard | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934030330127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1500 V | 1,8 V @ 20 a | 600 ns | 100 µa @ 1300 V | 150 ° C (max) | 10a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C11/LF1R | - - - | ![]() | 6107 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-C11 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069417215 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 11 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bat54t, 115 | - - - | ![]() | 7785 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Bat54 | Schottky | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | 150 ° C (max) | 200 ma | 10pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMCXB900UEL147 | - - - | ![]() | 7042 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PhD36N03LT, 118 | - - - | ![]() | 4863 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | PhD36 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 43,4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 17mohm @ 25a, 10V | 2v @ 250 ähm | 18,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 690 PF @ 25 V. | - - - | 57,6W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pzu2.7BL315 | 0,0300 | ![]() | 138 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFV141KHSR5 | 605.1276 | ![]() | 7798 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 105 V | Chassis -berg | Ni-1230-4s | AFV141 | 1,4 GHz | Ldmos | Ni-1230-4s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935316277178 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - - - | 100 ma | 1000W | 17.7db | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU668f, 115 | 0,4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-343F | BFU66 | 4-dfp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pdz27b/zl115 | 1.0000 | ![]() | 8135 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX284-C11,115 | - - - | ![]() | 9468 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-110 | Bzx284 | 400 MW | SOD-110 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 100 na @ 8 v | 11 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2G22S160-01SR3 | - - - | ![]() | 7741 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 125 v | Oberflächenhalterung | NI-400S-2S | A2G22 | 2.11GHz | NI-400S-2S | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 150 Ma | 32W | 19.6db | - - - | 48 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C3V3,115 | - - - | ![]() | 7847 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMD14,115 | 0,0600 | ![]() | 9926 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | PEMD14 | 300 MW | SOT-666 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50V | 100 ma | 1 µA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | - - - | 47kohm | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384-B75/ZLX | - - - | ![]() | 9396 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934068669115 | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 700 mv | 75 V | 255 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9635-55A118 | - - - | ![]() | 1744 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C22,135 | 0,0200 | ![]() | 164 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZv55 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857BW, 115 | - - - | ![]() | 3242 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BC857 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX284-C27,135 | - - - | ![]() | 4510 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-110 | Bzx284 | 400 MW | SOD-110 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 11.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 18,9 v | 27 v | 40 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pzu 5.1b3,115 | - - - | ![]() | 3507 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu5.1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF1550FNT1 | - - - | ![]() | 3796 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 40 v | Chassis -berg | To-272ba | MRF15 | 175MHz | Ldmos | To-272-6 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 935313626528 | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | 12a | 500 mA | 50W | 14.5db | - - - | 12,5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX4V3B, 133 | 0,0200 | ![]() | 98 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-A16215 | - - - | ![]() | 5895 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8P26080HR3 | - - - | ![]() | 9528 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780-4 | MRF8 | 2,62 GHz | Ldmos | NI-780-4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935310536128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | Dual | - - - | 300 ma | 14W | 15 dB | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MHT1004GNR3 | - - - | ![]() | 4532 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | OM-780-2G | MHT10 | 2,45 GHz | Ldmos | OM-780-2 Möwe | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935322425528 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 10 µA | 100 ma | 280W | 15.2db | - - - | 32 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF9180R6 | - - - | ![]() | 7582 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | Ni-1230 | MRF91 | 880 MHz | Ldmos | Ni-1230 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 150 | - - - | 1.4 a | 170W | 17.5db | - - - | 26 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFE6VP6300HSR3 | - - - | ![]() | 1338 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 130 v | Oberflächenhalterung | NI-780S-4L | Mrfe6 | 230 MHz | Ldmos | NI-780S-4L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | Dual | - - - | 100 ma | 300W | 26.5db | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7507-55B, 127 | - - - | ![]() | 8730 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 230 | N-Kanal | 55 v | 75a (TC) | 10V | 7.1Mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 53 NC @ 10 V | ± 20 V | 3760 PF @ 25 V. | - - - | 203W (TC) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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