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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Max | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgang | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
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![]() | BUK9226-75A/C1,118 | 1.0000 | ![]() | 4294 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHM10030DLS115 | 0,3600 | ![]() | 24 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMB16,115 | - - - | ![]() | 6307 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pemb1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAP50-03,135 | - - - | ![]() | 8121 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SC-76, SOD-323 | Bap50 | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 50 ma | 500 MW | 0,35PF @ 5V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | 5ohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU520YF | 0,3080 | ![]() | 5463 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BFU520 | 450 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934067715135 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 14db | 12V | 30 ma | 2 NPN (Dual) | 60 @ 5ma, 8v | 10GHz | 1 dB @ 1,8 GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF5S4140HSR5 | - - - | ![]() | 3797 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780s | MRF5 | 465 MHz | Ldmos | NI-780s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 1,25 a | 28W | 21db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1202R, 215 | - - - | ![]() | 7326 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 10 v | To-253-4, to-253aa | BF120 | 400 MHz | Mosfet | SOT-143R | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal Dual Gate | 30 ma | 12 Ma | 200 MW | 30,5 dB | 0,9 dB | 5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bta316-600b, 127 | - - - | ![]() | 8385 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bta31 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFE6P3300HR5 | - - - | ![]() | 3327 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 66 v | Chassis -berg | NI-860C3 | Mrfe6 | 857MHz ~ 863MHz | Ldmos | NI-860C3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 1.6 a | 270W | 20.4db | - - - | 32 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT138X-600E, 127 | - - - | ![]() | 8054 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | To-220f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | Einzel | 30 ma | Logik - Sensitive Gate | 600 V | 12 a | 1,5 v | 95a, 105a | 10 ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA123ET, 215 | 0,0200 | ![]() | 1850 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTA12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2pd1820as, 115 | 0,0300 | ![]() | 16 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10,724 | 50 v | 500 mA | 10NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 170 @ 150 mA, 10V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF998,235 | - - - | ![]() | 3474 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 12 v | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BF998 | 200 MHz | Mosfet | SOT-143b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934002640235 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal Dual Gate | 30 ma | 10 ma | - - - | - - - | 0,6 dB | 8 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN013-100ES, 127 | 0,6300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Rohr | Aktiv | PSMN0 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8P9300HR6 | - - - | ![]() | 1620 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 70 V | Chassis -berg | Ni-1230 | MRF8 | 960 MHz | Ldmos | Ni-1230 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935321416128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 150 | Dual | - - - | 2.4 a | 100W | 19.4db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bta316-600e, 127 | 0,4100 | ![]() | 29 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bta31 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK754R0-40C, 127 | 0,4900 | ![]() | 989 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 40 v | 100a (ta) | 4mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 97 NC @ 10 V | ± 20 V | 5708 PF @ 25 V. | - - - | 203W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF1021NT1 | - - - | ![]() | 2654 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 30 v | Oberflächenhalterung | PLD-1.5W | MMRF1 | 870 MHz | Ldmos | PLD-1.5W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935315257515 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | - - - | 100 ma | 7.3W | 15.2db | - - - | 7,5 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-C9V1,315 | 0,0300 | ![]() | 49 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX884 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7E1R6-30E, 127 | - - - | ![]() | 8847 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | BUK7 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 30 v | 120a (TC) | 10V | 1,6 MOHM @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 154 NC @ 10 V. | ± 20 V | 11960 PF @ 25 V. | - - - | 349W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2pd602aql, 215 | 0,0300 | ![]() | 2210 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 2pd60 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PMST5088,115 | 0,0200 | ![]() | 521 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 v | 100 ma | 50na (ICBO) | Npn | 500mv @ 1ma, 10 mA | 300 @ 100 µA, 5 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MHT1108NT1 | - - - | ![]() | 4254 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Oberflächenhalterung | 16-VDFN Exposed Pad | MHT11 | 2,45 GHz | Ldmos | 16-dfn (4x6) | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935337042515 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 10 µA | 110 Ma | 12.5W | 18.6db | - - - | 32 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1105R, 215 | - - - | ![]() | 2047 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 7 v | Oberflächenhalterung | SOT-143R | BF110 | 800 MHz | Mosfet | SOT-143R | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal Dual Gate | 30 ma | - - - | 20db | 1.7db | 5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC849B, 215 | - - - | ![]() | 3405 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BC84 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B56,215 | 0,0200 | ![]() | 60 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 39.2 V. | 56 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK962R5-60E118 | 1.0000 | ![]() | 6166 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMD15,115 | 0,0600 | ![]() | 8863 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | PEMD15 | 300 MW | SOT-666 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.400 | 50V | 100 ma | 1 µA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | - - - | 4.7kohm | 4.7kohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2G35S200-01SR3 | 139.2100 | ![]() | 129 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 125 v | Oberflächenhalterung | NI-400S-2S | A2G35 | 3,4 GHz ~ 3,6 GHz | Gan Hemt | NI-400S-2S | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Disc 3a001b3 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 291 Ma | 180W | 16.1db | - - - | 48 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6V2300NR5578 | - - - | ![]() | 2038 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | MRF6v2300 | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1 | - - - |
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