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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgang | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | Ausfluss - rds (on) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
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![]() | PMBS3906,235 | 0,0200 | ![]() | 38 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 v | 100 ma | 50na (ICBO) | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT05MP075N-54M | 514.8700 | ![]() | 5002 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 568-links05mp075n-54m | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFV10700HSR5 | 503.6126 | ![]() | 1060 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 105 V | Oberflächenhalterung | NI-780S-4L | AFV10700 | 1,03 GHz ~ 1,09 GHz | Ldmos | NI-780S-4L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | 10 µA | 100 ma | 770W | 19.2db | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBC13900T1 | - - - | ![]() | 9617 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | MBC13 | 188mw | SOT-343 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8541.21.0075 | 3.000 | 15 dB ~ 22 dB | 6,5 v | 20 ma | Npn | 100 @ 5ma, 2v | 15GHz | 0,8 db ~ 1,1 db bei 900 MHz ~ 1,9 GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK654R0-75C, 127 | - - - | ![]() | 8242 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BUK65 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 75 V | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.2mohm @ 25a, 10V | 2,8 V @ 1ma | 234 NC @ 10 V | ± 16 v | 15450 PF @ 25 V. | - - - | 306W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMF63un, 115 | - - - | ![]() | 8604 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PMF63 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 1,8a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 74mohm @ 1,8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 3,3 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 185 PF @ 10 V. | - - - | 275 MW (TA), 1.785 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6V2300NR5578 | - - - | ![]() | 2038 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | MRF6v2300 | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC635-16,126 | - - - | ![]() | 4674 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC63 | 830 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA42,126 | - - - | ![]() | 8225 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | MPSA42 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 300 V | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 30 ma, 10V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC143ZEF, 115 | - - - | ![]() | 4530 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | PDTC143 | 250 MW | SC-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 10ma, 5V | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG6020EPA115 | - - - | ![]() | 5188 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-Powerudfn | PMEG6020 | Schottky | 3-Huson (2x2) | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 575 mv @ 2 a | 78 ns | 250 µa @ 60 V | 150 ° C (max) | 2a | 250pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF7S38075HR5 | - - - | ![]() | 4257 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-957A | MRF7 | 3,4 GHz ~ 3,6 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 900 Ma | 12W | 14db | - - - | 30 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG520W/X, 115 | - - - | ![]() | 6008 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-343 Reverse Pinning | BFG52 | 500 MW | 4-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 15 v | 70 Ma | Npn | 60 @ 20 ma, 6v | 9GHz | 1,1 dB ~ 2,1 dB @ 900 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC115te, 115 | - - - | ![]() | 4771 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTC115 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 100 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC124XE, 115 | - - - | ![]() | 1097 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTC124 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 5V | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB148,115 | - - - | ![]() | 2423 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BB14 | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2.75PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 15 | C1/C28 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF6S19120HR5 | - - - | ![]() | 1798 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Chassis -berg | SOT-957A | MRF6 | 1,99 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 1 a | 19W | 15 dB | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MHT2025NR1 | - - - | ![]() | 4929 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | MHT20 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 935341634528 | Veraltet | 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB174LXYL | - - - | ![]() | 1435 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-882D | BB17 | SOD882d | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934067726315 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 2.22pf @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 10.9 | C1/C28 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN20en, 115 | - - - | ![]() | 5462 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | PMN2 | MOSFET (Metalloxid) | SC-74 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6.7a (TJ) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 6.7a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 18,6 NC @ 10 V. | ± 20 V | 630 PF @ 15 V | - - - | 545 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB199,115 | - - - | ![]() | 9527 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BB19 | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 13.8PF @ 2V, 1 MHz | Einzel | 20 v | 2.8 | C0.5/C2 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMR670UPE, 115 | - - - | ![]() | 2678 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PMR6 | MOSFET (Metalloxid) | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 480 mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 850MOHM @ 400 Ma, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 1,14 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 87 PF @ 10 V. | - - - | 250 MW (TA), 770 MW (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J2E082Exs/S0BE3B4J | - - - | ![]() | 3244 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | J2E0 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J3E120GA6/S0BGEA2J | - - - | ![]() | 1324 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | J3E1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J5A080GHN/T0BG208Z | - - - | ![]() | 9635 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | J5A080 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J5A080GHNT0BG2084, | - - - | ![]() | 6062 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | J5A080 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A3T19H455W23SR6 | 95.2413 | ![]() | 1192 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 65 V | Chassis -berg | ACP-1230S-4L2S | A3T19 | 1,93 GHz ~ 1,99 GHz | Ldmos | ACP-1230S-4L2S | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935363503128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 150 | Dual | 10 µA | 540 Ma | 81W | 16.4db | - - - | 30 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBFJ174,215 | - - - | ![]() | 4409 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PMBFJ1 | 300 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 8PF @ 10V (VGS) | 30 v | 20 mA @ 15 V | 5 V @ 10 na | 85 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J108,126 | - - - | ![]() | 3924 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | J108 | 400 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934003850126 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 25 v | 30pf @ 0v | 25 v | 80 mA @ 5 V | 10 V @ 1 µA | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB182,135 | - - - | ![]() | 3352 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BB18 | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 2,89PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 32 v | 22 | C1/C28 | - - - |
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