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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgang | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
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![]() | Bta316x-600e/dg12 | 0,4700 | ![]() | 7182 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.30.0080 | 567 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT136-600E/L01,127 | 0,2500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | To-220ab | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1.184 | Einzel | 15 Ma | Logik - Sensitive Gate | 600 V | 4 a | 1,5 v | 25a, 27a | 10 ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4420D, 115 | - - - | ![]() | 4950 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PBSS4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5140S, 126 | - - - | ![]() | 4002 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PBSS5 | 830 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 40 v | 1 a | 100na | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 300 @ 100 mA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8P23080HR3 | - - - | ![]() | 3999 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780-4 | MRF8 | 2,3 GHz | Ldmos | NI-780-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 935314247128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | Dual | - - - | 280 Ma | 16W | 14.6db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF9030LSR1 | - - - | ![]() | 5222 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Ni-360s | MRF90 | 945 MHz | Ldmos | Ni-360s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | - - - | 250 Ma | 30W | 19db | - - - | 26 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF5S9150HR5 | - - - | ![]() | 2289 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Chassis -berg | SOT-957A | MRF5 | 880 MHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 1,5 a | 33W | 19.7db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PH3330L, 115 | - - - | ![]() | 6520 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | Ph33 | MOSFET (Metalloxid) | LFPAK56, Power-SO8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 30 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,3 MOHM @ 25a, 10V | 2,15 V @ 1ma | 30,5 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 4840 PF @ 12 V | - - - | 62,5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSN254,126 | - - - | ![]() | 5940 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BSN2 | MOSFET (Metalloxid) | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 250 V | 310 mA (TA) | 2,4 V, 10 V. | 5ohm @ 300 mA, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 120 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3904,412 | - - - | ![]() | 9623 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2n39 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 40 v | 200 ma | 50na (ICBO) | Npn | 200mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B30,215 | - - - | ![]() | 4012 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF5P21045NR1 | - - - | ![]() | 7304 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Oberflächenhalterung | To-270ab | MRF5 | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | Ldmos | To-270 WB-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | Dual | - - - | 500 mA | 10W | 14.5db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC124EMB | - - - | ![]() | 2024 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT23H160-25SR3 | - - - | ![]() | 6164 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-880x-4L4S-8 | AFT23 | 2,3 GHz | Ldmos | NI-880x-4L4S-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935320681128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | Dual | - - - | 450 Ma | 32W | 16.7db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF4G10LS-120,112 | - - - | ![]() | 6038 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-502B | BLF4 | 920 MHz ~ 960 MHz | Ldmos | SOT502B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 20 | 12a | 650 Ma | 48W | 19db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B13,133 | 0,0200 | ![]() | 82 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 400 MW | ALF2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 13 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2pa1576r/zlx | - - - | ![]() | 7625 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2pa15 | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8S26060HSR5 | - - - | ![]() | 1417 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Oberflächenhalterung | NI-400S-2S | MRF8 | 2,69 GHz | Ldmos | NI-400S-2S | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935321447138 | 5a991g | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 450 Ma | 15.5W | 16.3db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTB113EK, 115 | - - - | ![]() | 5961 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTB113 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 33 @ 50 Ma, 5V | 1 Kohms | 1 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-A18,215 | 0,1100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.681 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 700 mv | 18 v | 45 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG310W/XR, 115 | - - - | ![]() | 9291 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | BFG31 | 60 MW | Cmpak-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 18db | 6v | 10 ma | Npn | 60 @ 5ma, 3v | 14GHz | 1DB @ 2GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN1RS-40ES127 | - - - | ![]() | 7331 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG424F, 115 | - - - | ![]() | 5653 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-343 Reverse Pinning | BFG42 | 135 MW | 4-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 23 dB | 4,5 v | 30 ma | Npn | 50 @ 25ma, 2v | 25ghz | 0,8 dB ~ 1,2 dB @ 900 MHz ~ 2GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN004-55W, 127 | - - - | ![]() | 8607 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | PSMN0 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 55 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.2mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | 226 NC @ 5 V. | ± 15 V | 13000 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD113ZS, 126 | - - - | ![]() | 3923 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PDTD113 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 70 @ 50 Ma, 5V | 1 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF24301HR5 | - - - | ![]() | 9656 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | Chassis -berg | SOT-957A | MRF24 | 2,4 GHz ~ 2,5 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 300W | 13,5 dB | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD113ZU115 | 0,0400 | ![]() | 1867 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 5,340 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | On5087,115 | 0,2800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-343F | ON50 | 4-dfp | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN7R6-60BS118 | - - - | ![]() | 8977 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-C4V3135 | 1.0000 | ![]() | 5859 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µa @ 1 V | 4.3 v | 90 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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