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Diskette HalblerProdukte (6133)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Hold (ih) (max) Strom - Test Leistung - Ausgang Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Triactyp Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Spannung - Im Zustand (VTM) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) Aktuell - Aus dem Zustand (max) SCR -Typ RAUSCHFIGUR Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
NZX33A,133 NXP USA Inc. NZX33A, 133 0,0200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv NZX3 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000
MRF6S19120HSR3 NXP USA Inc. MRF6S19120HSR3 - - -
RFQ
 ECAD 1227 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 68 v Chassis -berg NI-780s MRF6 1,99 GHz Ldmos NI-780s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 250 - - - 1 a 19W 15 dB - - - 28 v
PZM5.6NB2A,115 NXP USA Inc. PZM5.6NB2A, 115 - - -
RFQ
 ECAD 1351 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2% - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PZM5.6 220 MW SMT3; Mpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 2 µa @ 2,5 V 5.6 v 40 Ohm
BZX884-C30,315 NXP USA Inc. BZX884-C30,315 0,0300
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZX884 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000
MRFE6VP6600GNR3 NXP USA Inc. MRFE6VP6600GNR3 93.4822
RFQ
 ECAD 1720 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 133 v Oberflächenhalterung OM-780G-4L Mrfe6 230 MHz Ldmos OM-780G-4L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 935323761528 Ear99 8541.29.0075 250 Dual - - - 100 ma 600W 24.7db - - - 50 v
MRFE6VP6600NR3 NXP USA Inc. MRFE6VP6600NR3 111.0900
RFQ
 ECAD 182 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 133 v Oberflächenhalterung OM-780-4L Mrfe6 230 MHz Ldmos OM-780-4L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 250 Dual - - - 100 ma 600W 24.7db - - - 50 v
PEMH11,315 NXP USA Inc. PEMH11,315 - - -
RFQ
 ECAD 4717 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 PEMH11 300 MW SOT-666 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1 50V 100 ma 1 µA 2 NPN - Voresingenben (Dual) 150 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5ma, 5v - - - 10kohm 10kohm
BLF6G20-110,112 NXP USA Inc. BLF6G20-110,112 - - -
RFQ
 ECAD 1486 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Tablett Veraltet 65 V Chassis -berg SOT-502A 1,93 GHz ~ 1,99 GHz Ldmos SOT502A Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0075 20 29a 900 Ma 25W 19db - - - 28 v
PDTA115EK,115 NXP USA Inc. PDTA115EK, 115 - - -
RFQ
 ECAD 3703 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PDTA115 250 MW SMT3; Mpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 20 ma 1 µA PNP - VoreInensmen 150 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 5ma, 5V 100 Kohms 100 Kohms
PDTA115EE,115 NXP USA Inc. Pdta115ee, 115 - - -
RFQ
 ECAD 5755 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 PDTA115 150 MW SC-75 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 20 ma 1 µA PNP - VoreInensmen 150 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 5ma, 5V 100 Kohms 100 Kohms
MRF5S21100HSR5 NXP USA Inc. MRF5S21100HSR5 - - -
RFQ
 ECAD 9264 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V NI-780s MRF5 2,16 GHz ~ 2,17 GHz Ldmos NI-780s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 5a991g 8541.29.0075 50 - - - 1.05 a 23W 13,5 dB - - - 28 v
PMEG2010AEB/S500115 NXP USA Inc. PMEG2010AEB/S500115 0,0700
RFQ
 ECAD 1772 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 3.000
2PD601AR,115 NXP USA Inc. 2pd601ar, 115 - - -
RFQ
 ECAD 9988 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2pd60 250 MW SMT3; Mpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 15.000 50 v 100 ma 10NA (ICBO) Npn 250mv @ 10 mA, 100 mA 210 @ 2MA, 10V 100 MHz
PDTA123EMB,315 NXP USA Inc. PDTA123EMB, 315 0,0300
RFQ
 ECAD 139 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 PDTA123 250 MW DFN1006B-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1 50 v 100 ma 1 µA PNP - VoreInensmen 150 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 20 Ma, 5V 180 MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
BC56-10PAS115 NXP USA Inc. BC56-10PAS115 0,0600
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 3.000
PZM2.4NBA,115 NXP USA Inc. Pzm2.4nba, 115 - - -
RFQ
 ECAD 1855 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 6% - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PZM2.4 220 MW SMT3; Mpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 50 µa @ 1 V 2,4 v 100 Ohm
BT169D-L,112 NXP USA Inc. BT169D-L, 112 - - -
RFQ
 ECAD 1241 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) To-92-3 Herunterladen Ear99 8541.30.0080 1 5 Ma 400 V 800 mA 800 mV 8a, 9a 50 µA 1,7 v 500 mA 100 µA Sensibler tor
BT136S-800F,118 NXP USA Inc. BT136S-800F, 118 - - -
RFQ
 ECAD 6941 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Dpak Herunterladen Ear99 8541.30.0080 1 Einzel 15 Ma Standard 800 V 4 a 1,5 v 25a, 27a 25 ma
NZX2V4B,133 NXP USA Inc. NZX2V4B, 133 0,0200
RFQ
 ECAD 134 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv NZX2 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000
BFG520W,115 NXP USA Inc. BFG520W, 115 - - -
RFQ
 ECAD 1947 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-343 Reverse Pinning BFG52 500 MW 4-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 - - - 15 v 70 Ma Npn 60 @ 20 ma, 6v 9GHz 1,1 dB ~ 2,1 dB @ 900 MHz
PHB146NQ06LT,118 NXP USA Inc. PHB146NQ06LT, 118 - - -
RFQ
 ECAD 1453 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab PHB14 MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 55 v 75a (TC) 4,5 V, 10 V. 5.4mohm @ 25a, 10V 2V @ 1ma 60 NC @ 5 V ± 15 V 5675 PF @ 25 V. - - - 250 W (TC)
IRF530N,127 NXP USA Inc. IRF530N, 127 - - -
RFQ
 ECAD 7818 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Irf53 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 17a (TC) 10V 110MOHM @ 9A, 10V 4v @ 1ma 40 nc @ 10 v ± 20 V 633 PF @ 25 V. - - - 79W (TC)
PMN28UN,165 NXP USA Inc. PMN28un, 165 - - -
RFQ
 ECAD 8166 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 PMN2 MOSFET (Metalloxid) SC-74 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 12 v 5.7a (TC) 1,8 V, 4,5 V. 34mohm @ 2a, 4,5 V. 700 mV @ 1ma (Typ) 10.1 NC @ 4.5 V. ± 8 v 740 PF @ 10 V. - - - 1,75W (TC)
BF422,116 NXP USA Inc. BF422,116 - - -
RFQ
 ECAD 8206 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BF422 830 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 250 V 50 ma 10NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 30 mA 50 @ 25ma, 20V 60 MHz
BC337,112 NXP USA Inc. BC337,112 - - -
RFQ
 ECAD 5152 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC33 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 1.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V 100 MHz
PN2222A,412 NXP USA Inc. PN2222A, 412 - - -
RFQ
 ECAD 5961 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads PN22 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 5.000 40 v 600 mA 10NA (ICBO) Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 300 MHz
BZB84-B8V2,215 NXP USA Inc. BZB84-B8V2,215 - - -
RFQ
 ECAD 6976 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZB84 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
NZX2V7A,133 NXP USA Inc. NZX2V7A, 133 0,0200
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv NZX2 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000
PMEM4010ND,115 NXP USA Inc. PMEM4010nd, 115 - - -
RFQ
 ECAD 1322 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 PMEM4 600 MW SC-74 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 1 a 100na NPN + Diode (Isolier) 210mv @ 100 mA, 1a 300 @ 500 mA, 5V 150 MHz
BC547C,116 NXP USA Inc. BC547C, 116 - - -
RFQ
 ECAD 4767 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC54 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) Npn 400mv @ 5 mA, 100 mA 420 @ 2MA, 5V 100 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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