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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgang | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Pzu13b1a115 | - - - |  | 3061 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 100 na @ 10 v | 13 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA144ee, 115 | - - - | | 1657 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTA144 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 5V | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pdta114ee, 115 | - - - | | 8240 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTA114 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 180 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MHT1807T1 | 0,3200 | | 114 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Nicht für Designs | - - - | Nicht Anwendbar | Verkäfer undefiniert | Informationser Ereichen auf Anfage Verflügbar | 2832-MHT1807T1 | Ear99 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBSS2540E, 115 | - - - | | 1310 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PBSS2 | 250 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 2V | 450 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG67/X, 215 | - - - | | 9908 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BFG67 | 380 MW | SOT-143b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 10V | 50 ma | Npn | 60 @ 15ma, 5V | 8GHz | 1,3 dB @ 1 GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9840-55115 | 1.0000 | | 8988 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDZ36B/ZL115 | 0,0200 | | 15 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA115TS, 126 | - - - | | 3963 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PDTA115 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 100 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AFT09MP055GNR1 | 20.8845 | | 1853 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 40 v | Oberflächenhalterung | To-270bb | Achtern | 870 MHz | Ldmos | To-270 WB-4 Möwe | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935317959528 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 550 Ma | 1W | 15.7db | - - - | 12,5 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6VS25GNR1 | 37.1900 | | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 133 v | Oberflächenhalterung | To-270ba | Mrfe6 | 512MHz | Ldmos | To-270-2 Möwe | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 10 ma | 25W | 25.4db | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLP8G10S-45PJ | - - - | | 7922 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 65 V | Oberflächenhalterung | SOT-1223-1 | BLP8 | 952,5 MHz ~ 957,5 MHz | Ldmos | 4-hohn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 934067371118 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | Dual | - - - | 224 Ma | 2.5W | 20.8db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF1208,115 | - - - | | 8171 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 6 v | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | BF120 | 400 MHz | Mosfet | SOT-666 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | N-Kanal Dual Gate | 30 ma | 19 ma | - - - | 32db | 1,3 dB | 5 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Php3055e, 127 | - - - | | 3736 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Php30 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 10.3a (TC) | 10V | 150 MOHM @ 5.5A, 10V | 4v @ 1ma | 5.8 NC @ 10 V | ± 20 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 33W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PhD108NQ03LT, 118 | - - - | | 9462 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | PhD10 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 75a (TC) | 5v, 10V | 6mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | 16,3 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1375 PF @ 12 V | - - - | 187W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK7506-55A127 | - - - | | 8755 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 55 v | 75a (TC) | 10V | 6,3 Mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | ± 20 V | 6000 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PEMF21,115 | - - - | | 7225 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PEMF2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF7S18125AHR3 | - - - | | 1906 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-957A | MRF7 | 1,88 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 1.1 a | 125W | 17db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTD143XQA147 | 0,0300 | | 29 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-B2V4135 | 1.0000 | | 4054 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 50 µa @ 1 V | 2,4 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S21100HR5 | - - - | | 9731 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-957A | MRF8 | 2,17 GHz | Mosfet | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | - - - | 700 Ma | 24W | 18.3db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMST5550,135 | - - - | | 5130 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 140 v | 300 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 5 mA, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEM4020nd, 115 | - - - | | 8796 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | PMEM4 | 600 MW | SC-74 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 950 Ma | 100na | NPN + Diode (Isolier) | 400mv @ 200 Ma, 2a | 300 @ 500 mA, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS193,135 | - - - | | 9634 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 1PS19 | Standard | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (max) | 215 Ma | 1,5PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMEG050V150EPD146 | 0,3300 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX585-B3V9135 | - - - | | 3475 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µa @ 1 V | 3,9 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG2005ESF315 | 0,0400 | | 459 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.435 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX384-B62,115 | 0,0200 | | 27 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX384 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC143EMB315 | 0,0300 | | 119 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZM8.2NB2,115 | - - - | | 7878 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM8.2 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 9.000 | 1,1 V @ 100 mA | 700 NA @ 5 V. | 8.2 v | 10 Ohm |
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