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Diskette HalblerProdukte (6133)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgang | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PHK12NQ10T, 518 | - - - |  | 3680 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | PHK12 | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 11.6a (TC) | 10V | 28mohm @ 6a, 10V | 4v @ 1ma | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 1965 PF @ 25 V. | - - - | 8.9W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG325W/XR, 115 | - - - | | 5371 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | BFG32 | 210 MW | Cmpak-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 18.3db | 6v | 35 Ma | Npn | 60 @ 15ma, 3v | 14GHz | 1.1db @ 2ghz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC143ZEF, 115 | - - - | | 4530 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | PDTC143 | 250 MW | SC-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 10ma, 5V | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLF6G20-110,112 | - - - | | 1486 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-502A | 1,93 GHz ~ 1,99 GHz | Ldmos | SOT502A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0075 | 20 | 29a | 900 Ma | 25W | 19db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BT136S-800F, 118 | - - - | | 6941 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Dpak | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | Einzel | 15 Ma | Standard | 800 V | 4 a | 1,5 v | 25a, 27a | 25 ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZX2V4B, 133 | 0,0200 | | 134 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG520W, 115 | - - - | | 1947 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-343 Reverse Pinning | BFG52 | 500 MW | 4-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | - - - | 15 v | 70 Ma | Npn | 60 @ 20 ma, 6v | 9GHz | 1,1 dB ~ 2,1 dB @ 900 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PN2222A, 412 | - - - | | 5961 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN22 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 40 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S19120HSR3 | - - - | | 1227 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Chassis -berg | NI-780s | MRF6 | 1,99 GHz | Ldmos | NI-780s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 1 a | 19W | 15 dB | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC56-10PAS115 | 0,0600 | | 54 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzm2.4nba, 115 | - - - | | 1855 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 6% | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM2.4 | 220 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 µa @ 1 V | 2,4 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC337,112 | - - - | | 5152 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC33 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pzu15b3a115 | 1.0000 | | 1726 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMFPB6532UP, 115 | - - - | | 3273 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | PMFPB | MOSFET (Metalloxid) | 6-Ehemann (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3,5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 70 MOHM @ 1A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 6 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 380 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 520 MW (TA), 8,3W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFG424F, 115 | - - - | | 5653 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-343 Reverse Pinning | BFG42 | 135 MW | 4-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 23 dB | 4,5 v | 30 ma | Npn | 50 @ 25ma, 2v | 25ghz | 0,8 dB ~ 1,2 dB @ 900 MHz ~ 2GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG520/X, 215 | - - - | | 3958 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BFG52 | 300 MW | SOT-143b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 15 v | 70 Ma | Npn | 60 @ 20 ma, 6v | 9GHz | 1,1 dB ~ 2,1 dB @ 900 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF1570NT1 | - - - | | 5432 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 40 v | Chassis -berg | To-272-8 | MRF15 | 470 MHz | Ldmos | To-272-8 Wrap | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 935313761528 | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | - - - | 800 mA | 70W | 11.5db | - - - | 12,5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6VP21KHR5 | 883.3100 | | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 110 v | Chassis -berg | Ni-1230 | MRF6 | 225 MHz | Ldmos | Ni-1230 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - - - | 150 Ma | 1000W | 24 dB | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PEMD15,115 | 0,0600 | | 8863 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | PEMD15 | 300 MW | SOT-666 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.400 | 50V | 100 ma | 1 µA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | - - - | 4.7kohm | 4.7kohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC69PASX | 0,0700 | | 100 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn exponiert pad | 420 MW | DFN2020D-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 20 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 200 Ma, 2a | 85 @ 500 mA, 1V | 140 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8P20165WHSR3 | - - - | | 6590 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Oberflächenhalterung | NI-780S-4L | MRF8 | 1,98 GHz ~ 2.01 GHz | Ldmos | NI-780S-4L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935314475128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | Dual | - - - | 550 Ma | 37W | 14.8db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLF7G22L-130112 | 80.9000 | | 21 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 5a991g | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | On5089,115 | 0,3200 | | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-343F | ON50 | 4-dfp | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFU550A235 | - - - | | 6904 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBLS1503V, 115-NXP | 0,0700 | | 12 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | PBLS1503 | 300 MW | SOT-666 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 4.000 | 50 V, 15 V | 100 mA, 500 mA | 1 µA, 100NA | 1 NPN Voreingensmen, 1 PNP | 150 mV @ 500 µA, 10 mA / 250 mV @ 50 mA, 500 mA | 30 @ 5MA, 5V / 200 @ 10ma, 2V | 280 MHz | 10kohm | 10kohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCX56,135 | 0,0700 | | 162 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 1,25 w | SOT-89 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 180 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB131,135 | - - - | | 8349 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BB131 | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 1.055PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 16 | C0.5/C28 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2pb1219ar/zlx | - - - | | 3503 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2pb12 | SC-70 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069197115 | Veraltet | 0000.00.0000 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6VP41KHR6 | - - - | | 5850 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 110 v | Chassis -berg | Ni-1230 | MRF6 | 450 MHz | Ldmos | Ni-1230 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 150 | Dual | - - - | 150 Ma | 1000W | 20db | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7E11-55B, 127 | - - - | | 6209 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | BUK7 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 55 v | 75a (TC) | 10V | 11mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 37 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2604 PF @ 25 V. | - - - | 157W (TC) |
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