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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | Spannung - Im Zustand (VTM) (max) | Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) | Aktuell - Aus dem Zustand (max) | SCR -Typ | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF6S18140HR5 | - - - |  | 9344 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Chassis -berg | SOT-957A | MRF6 | 1,88 GHz | Ldmos | NI-880H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 1.2 a | 29W | 16 dB | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | OT412115 | 0,2300 | | 3072 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.30.0080 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu 10b2,115 | - - - | | 7207 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu10 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMDXB550Un, 147 | 1.0000 | | 1879 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMDXB550 | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52H-C10,115 | - - - | | 5929 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZT52 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | EC103D1,116 | 1.0000 | | 3613 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | To-92-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 5 Ma | 400 V | 800 mA | 800 mV | 8a, 9a | 12 µA | 1,35 v | 500 mA | 100 µA | Sensibler tor | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF640,127 | - - - | | 6764 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf64 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 16a (TC) | 10V | 180mohm @ 8a, 10V | 4v @ 1ma | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 1850 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9E2R3-40E, 127 | - - - | | 1962 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | BUK9 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 120a (TC) | 5v, 10V | 2,2 MOHM @ 25a, 10V | 2,1 V @ 1ma | 87,8 NC @ 5 V | ± 10 V | 13160 PF @ 25 V. | - - - | 293W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | A2T09VD250NR1 | 47.5929 | | 2461 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 105 V | Oberflächenhalterung | To-270-6 Variante, Flache Leitungen | A2T09 | 920 MHz | Ldmos | To-270WB-6a | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935320819528 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | Dual | - - - | 1 a | 65W | 22.5db | - - - | 48 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6S19060MR1 | - - - | | 7994 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | To-270-4 | MRF6 | 1,93 GHz | Ldmos | To-270 WB-4 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 610 Ma | 12W | 16 dB | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| On5295, 127 | - - - | | 5278 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | On5295 | - - - | - - - | To-220ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934059252127 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN8R5-108ES127 | - - - | | 4809 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PN2222A, 412 | - - - | | 5961 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN22 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 40 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A2T18S260-12SR3 | - - - | | 7537 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780-2S2L | A2T18 | 1.805 GHz ~ 1.995 GHz | Ldmos | NI-780-2S2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935318801128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 10 µA | 1.4 a | 257W | 18.9db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX284-B22,115 | - - - | | 7088 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-110 | Bzx284 | 400 MW | SOD-110 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 15.4 v | 22 v | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYC5-600PQ127 | 0,3400 | | 908 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 908 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSM5240PF, 115 | - - - | | 4526 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PBSM5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6VP6300HR3 | - - - | | 6973 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 130 v | Chassis -berg | NI-780-4 | Mrfe6 | 230 MHz | Ldmos | NI-780-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935317343128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | Dual | - - - | 100 ma | 300W | 26.5db | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S27085HR5 | - - - | | 5305 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Chassis -berg | SOT-957A | MRF6 | 2,66 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 900 Ma | 20W | 15.5db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMV56XN, 215 | - - - | | 2112 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PMV5 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 (to-236ab) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 3.76a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 85mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 650 mV @ 1ma (min) | 5.4 NC @ 4.5 V | ± 8 v | 230 PF @ 10 V. | - - - | 1,92W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMPB16XN, 115 | - - - | | 4498 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | PMPB1 | MOSFET (Metalloxid) | 6-DFN2020MD (2x2) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 7.2a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 21mohm @ 7.2a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 10,8 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 775 PF @ 15 V | - - - | 1,7W (TA), 12,5 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C3V9,235 | 0,0200 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 1 V | 3,9 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK958R5-40E, 127 | - - - | | 3037 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BUK95 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 75a (TC) | 5v, 10V | 6,6 MOHM @ 20A, 10V | 2,1 V @ 1ma | 20,9 NC @ 5 V. | ± 10 V | 2600 PF @ 25 V. | - - - | 96W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG3005el/S500315 | 0,0300 | | 531 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMEG3005 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.276 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84J-C3V9,115 | - - - | | 4025 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC124et, 215 | 0,0200 | | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTC12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK7511-55A, 127 | - - - | | 5183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BUK75 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 55 v | 75a (TC) | 10V | 11mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | ± 20 V | 3093 PF @ 25 V. | - - - | 166W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6V12250HR5 | 434,5000 | | 7021 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 100 v | Chassis -berg | SOT-957A | MRF6V12250 | 1,03 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 100 ma | 275W | 20.3db | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF545C, 215 | - - - | | 9985 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 30 v | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BF545 | - - - | Jfet | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25ma | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC557B, 116 | - - - | | 9390 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC55 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz |
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